碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術(shù)研究報告：基于“三個必然”戰(zhàn)略論斷的物理機(jī)制與應(yīng)用實踐驗證

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

在全球電力電子產(chǎn)業(yè)面臨能效升級與功率密度躍遷的歷史性關(guān)口，傾佳電子（Changer Tech）楊茜提出的“三個必然”戰(zhàn)略論斷，不僅是對半導(dǎo)體材料科學(xué)演進(jìn)規(guī)律的精準(zhǔn)預(yù)判，更是對未來十年功率器件應(yīng)用格局的綱領(lǐng)性指引。其中， “第一必然”——即SiC碳化硅MOSFET模塊必然全面取代IGBT模塊和IPM模塊，揭示了在高壓、高頻、高功率密度應(yīng)用場景下，寬禁帶半導(dǎo)體對傳統(tǒng)硅基器件的降維打擊趨勢。這一替代過程并非簡單的器件置換，而是一場涉及驅(qū)動控制、熱管理、電路保護(hù)及系統(tǒng)架構(gòu)的全面工程革命。

在通過詳盡的技術(shù)分析與實測數(shù)據(jù)驗證，深度剖析SiC MOSFET模塊在替代傳統(tǒng)進(jìn)口IGBT模塊過程中面臨的核心工程挑戰(zhàn)與技術(shù)差異。我們聚焦于驅(qū)動電壓配置的物理約束、短路保護(hù)機(jī)制的代際演進(jìn)（特別是兩級關(guān)斷技術(shù)的必要性）、并聯(lián)均流的動態(tài)特性差異、工作結(jié)溫提升帶來的熱設(shè)計變革，以及過載能力的邊界界定?；诨景雽?dǎo)體（BASiC Semiconductor）等國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)的最新技術(shù)成果與可靠性數(shù)據(jù)，本報告為工程技術(shù)人員提供了一份從理論到實踐的詳實指南，說明了SiC技術(shù)在固態(tài)變壓器SST、儲能變流器PCS、Hybrid inverter混合逆變器、戶儲、工商業(yè)儲能PCS、構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS、集中式大儲PCS、商用車電驅(qū)動、礦卡電驅(qū)動、風(fēng)電變流器、數(shù)據(jù)中心HVDC、AIDC儲能、服務(wù)器電源、重卡電驅(qū)動、大巴電驅(qū)動、中央空調(diào)變頻器等應(yīng)用中取代IGBT的物理必然性與工程可行性。

2. 戰(zhàn)略背景與技術(shù)原點：解析“第一必然”的物理邏輯

2.1 功率半導(dǎo)體的“摩爾定律”失效與寬禁帶的崛起

傳統(tǒng)的硅基IGBT技術(shù)在經(jīng)歷了數(shù)十年的迭代優(yōu)化后，其性能已逼近材料物理極限。受限于硅材料1.12eV的禁帶寬度和0.3MV/cm的臨界擊穿場強(qiáng)，IGBT必須依靠厚漂移區(qū)來維持高耐壓，同時引入電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)（雙極性工作模式）來降低通態(tài)壓降。然而，這種雙極性機(jī)制不可避免地導(dǎo)致了關(guān)斷時的少子復(fù)合過程，即“拖尾電流”（Tail Current），造成了巨大的開關(guān)損耗，將IGBT的開關(guān)頻率死死限制在20kHz（大功率模塊）以內(nèi) 。

相比之下，楊茜所強(qiáng)調(diào)的SiC MOSFET模塊取代趨勢，根植于碳化硅材料（4H-SiC）的本征優(yōu)勢：

3.26 eV的寬禁帶：賦予了器件極低的漏電流和超高溫工作的可能性。

3.0 MV/cm的擊穿場強(qiáng)：使得在相同耐壓下，SiC漂移層厚度僅為硅的1/10，阻抗降低至1/100。這使得SiC MOSFET可以采用單極性結(jié)構(gòu)，徹底消除了拖尾電流，實現(xiàn)了開關(guān)損耗降低80%以上的飛躍 。

高電子飽和漂移速度：支持了極高的開關(guān)速度（dV/dt>50V/ns），從而大幅減小了磁性元件和電容的體積，推動了系統(tǒng)層面的功率密度提升。

2.2 市場格局與國產(chǎn)化機(jī)遇

以基本半導(dǎo)體為代表的國產(chǎn)廠商推出了Pcore?2、ED3等高性能SiC模塊系列，旨在直接對標(biāo)并替代Infineon、Fuji等國際巨頭的IGBT模塊產(chǎn)品 。這種替代不僅是供應(yīng)鏈安全的考量，更是技術(shù)性能壓倒性優(yōu)勢的體現(xiàn)。例如，在20kW全橋工業(yè)電源拓?fù)?a target="_blank">仿真中，BMF80R12RA3 SiC模塊在80kHz頻率下的總損耗僅為同規(guī)格高速IGBT模塊在20kHz下?lián)p耗的一半，整機(jī)效率提升顯著 。

3. 驅(qū)動設(shè)計的范式轉(zhuǎn)移：從IGBT到SiC的柵極電壓(VGS?)深度解析

SiC MOSFET與IGBT雖然在拓?fù)浞柹峡此葡嗨?，但?a target="_blank">柵極驅(qū)動特性上存在本質(zhì)區(qū)別。盲目沿用IGBT的驅(qū)動方案將導(dǎo)致SiC器件性能大打折扣甚至失效。

3.1 導(dǎo)通電壓(VGS,on?)：+15V與+18V的物理博弈

IGBT的標(biāo)準(zhǔn)： 傳統(tǒng)IGBT的柵極氧化層（SiO2?）工藝成熟，且硅界面的陷阱密度較低。通常在VGE?=+15V時，器件即可進(jìn)入深度飽和區(qū)，通態(tài)壓降VCE(sat)?達(dá)到最優(yōu)。

SiC的特殊性：

對于SiC MOSFET，特別是平面型或早期溝槽型結(jié)構(gòu)，其SiC/SiO2?界面存在較高的界面態(tài)密度（Interface Trap Density, Dit?）。這些界面陷阱會捕獲部分溝道電子，導(dǎo)致溝道遷移率下降。為了克服這一效應(yīng)并充分反型溝道，必須施加更高的柵極電場。

推薦電壓： 因此，楊茜強(qiáng)調(diào)的SiC模塊通常推薦+18V作為開通電壓 。

數(shù)據(jù)支撐： 根據(jù)基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3模塊的實測數(shù)據(jù)，其RDS(on)?測試條件明確標(biāo)注為VGS?=18V 。若僅使用+15V驅(qū)動，導(dǎo)通電阻將顯著增加（可能增加20-30%），導(dǎo)致導(dǎo)通損耗劇增，并可能因發(fā)熱增加而引發(fā)熱失控風(fēng)險。

設(shè)計警示： SiC MOSFET的柵極氧化層比IGBT更?。榱双@得高跨導(dǎo)），其最大柵源電壓(VGS,max?)余量較小。通常IGBT可承受±30V，而SiC MOSFET的推薦工作電壓（+18V）與最大額定值（通常+22V或+25V瞬態(tài)）非常接近 。這意味著驅(qū)動電源的穩(wěn)壓精度必須極高（例如±1），且必須嚴(yán)控柵極回路的振鈴過沖。

3.2 關(guān)斷電壓(VGS,off?)：負(fù)壓偏置的絕對必要性

IGBT的魯棒性： 由于IGBT的閾值電壓(VGE(th)?)較高（通常4.5V-6.0V），且開關(guān)速度較慢，許多應(yīng)用中采用0V關(guān)斷（單極性驅(qū)動）即可保證安全，不易發(fā)生誤導(dǎo)通。

SiC的敏感性：

低閾值電壓與負(fù)溫系數(shù)： SiC MOSFET的VGS(th)?在室溫下通常為2.0V-3.0V（如BMF540R12MZA3典型值為2.7V），但其具有顯著的負(fù)溫度系數(shù)（NTC）。當(dāng)結(jié)溫升高至175°C時，VGS(th)?可降至1.8V左右 。

米勒效應(yīng)的威脅： SiC的高頻開關(guān)特性意味著極高的dVDS?/dt（可達(dá)100V/ns以上）。這一瞬態(tài)電壓通過米勒電容(Cgd?)耦合到柵極，產(chǎn)生感應(yīng)電壓Vinduced?=RG,off?×Cgd?×dV/dt。如果關(guān)斷電壓僅為0V，這個感應(yīng)電壓極易突破高溫下僅剩1.8V的閾值，導(dǎo)致橋臂直通（Shoot-through）短路 。

解決方案： 因此，SiC驅(qū)動電路必須采用負(fù)壓關(guān)斷，通常推*-5V。這不僅提供了抗干擾的噪聲容限，還加速了關(guān)斷過程，降低了關(guān)斷損耗?；景雽?dǎo)體明確指出，驅(qū)動其ED3系列模塊需使用-5V作為關(guān)斷電壓 。

3.3 米勒鉗位（Miller Clamp）的強(qiáng)制性引入

鑒于SiC器件極快的開關(guān)速度，單純依賴負(fù)壓偏置有時仍不足以抑制極高dV/dt下的米勒干擾。楊茜所推崇的SiC驅(qū)動方案中，**有源米勒鉗位（Active Miller Clamp）**成為標(biāo)配功能 。

工作機(jī)制： 驅(qū)動芯片監(jiān)測柵極電壓，當(dāng)其降至預(yù)設(shè)閾值（如2V）以下時，內(nèi)部的一個低阻抗MOSFET導(dǎo)通，將柵極直接短路至負(fù)電源軌(VEE?)，旁路掉外部柵極電阻(RG,off?)，從而以極低阻抗吸納米勒電流，死死“按住”柵極電壓，防止誤導(dǎo)通。

與IGBT的區(qū)別： 在IGBT驅(qū)動中，米勒鉗位通常是可選的，而在SiC MOSFET尤其是大電流模塊驅(qū)動中，這是確保可靠性的關(guān)鍵一環(huán) 。

4. 短路保護(hù)的代際跨越：為何SiC必須采用兩級關(guān)斷(2LTO)

在楊茜提出的替代趨勢中，短路保護(hù)機(jī)制的升級是核心痛點之一。IGBT與SiC MOSFET在短路耐受能力上的巨大差異，迫使保護(hù)策略從“被動響應(yīng)”轉(zhuǎn)向“主動干預(yù)”。

4.1 短路耐受時間(SCWT)的物理鴻溝

IGBT的寬容： 硅基IGBT芯片面積較大，熱容量足，且跨導(dǎo)受到飽和電流限制。其短路耐受時間(SCWT)通?？蛇_(dá)**10 μs**甚至更長 。這給了驅(qū)動電路充足的時間進(jìn)行去飽和檢測(DESAT)和關(guān)斷。

SiC的脆弱：

能量密度極高： SiC芯片面積通常僅為同電流等級IGBT的1/3到1/4，這意味著熱容量極小。

飽和電流大： SiC MOSFET為了降低導(dǎo)通電阻，設(shè)計了極高的跨導(dǎo)，導(dǎo)致短路時的飽和電流可達(dá)額定電流的10倍以上。

耐受極限： 極高的短路功率密度使得SiC芯片結(jié)溫在微秒級時間內(nèi)急劇攀升至熔點。其SCWT通常被壓縮至2 μs - 3 μs 。

結(jié)論： 傳統(tǒng)的IGBT DESAT保護(hù)電路（響應(yīng)時間通常在3-5μs）用于SiC模塊時，保護(hù)尚未動作，器件已因過熱燒毀。SiC驅(qū)動必須具備響應(yīng)速度<1μs的快速檢測能力。

4.2 關(guān)斷過電壓(VDS? Overshoot)的困境

既然SiC怕熱，是否應(yīng)該檢測到短路后立即以最快速度關(guān)斷？答案是否定的，這構(gòu)成了“保護(hù)悖論”。

電感電壓尖峰： 短路電流極其巨大（數(shù)千安培），且回路中不可避免存在寄生電感(Lstray?)。根據(jù)公式 Vspike?=Lstray?×di/dt，若以正常的高速開關(guān)速度關(guān)斷短路電流，di/dt將極大，感應(yīng)出的電壓尖峰疊加在母線電壓上，極易超過SiC器件的擊穿電壓(VDSS?)，導(dǎo)致雪崩擊穿損壞 。

4.3 兩級關(guān)斷(2LTO)技術(shù)的機(jī)理與必要性

為了解決“熱擊穿”與“過壓擊穿”的矛盾，**兩級關(guān)斷（Two-Level Turn-Off, 2LTO）**技術(shù)應(yīng)運而生，并被楊茜列為SiC驅(qū)動的關(guān)鍵區(qū)別特征 。

4.3.1 2LTO的工作流程

檢測階段： 驅(qū)動器在極短時間內(nèi)（<1μs）檢測到短路信號。

第一級關(guān)斷（降柵壓）： 立即將柵極電壓VGS?從+18V強(qiáng)行拉低到一個中間電平（如+6V或+8V），而不是直接拉到-5V。

物理意義： SiC MOSFET的飽和電流與(VGS??Vth?)2成正比。降低VGS?可以瞬間將短路電流限制在一個較低的安全水平（例如從10倍額定電流降至3-4倍），從而大幅降低芯片的發(fā)熱速率，延長器件的耐受時間 。

保持階段（Plateau）： 維持中間電平數(shù)微秒，讓系統(tǒng)回路中的能量有控制地釋放，避免di/dt過大。

第二級關(guān)斷（全關(guān)斷）： 在電流下降到安全范圍后，再將柵極拉至-5V，徹底關(guān)斷器件。

4.3.2 與軟關(guān)斷(Soft Turn-Off, STO)的區(qū)別

雖然STO（通過增大關(guān)斷電阻慢速放電）也能抑制過壓，但它存在嚴(yán)重缺陷：

一致性差： STO依賴于器件的輸入電容Ciss?，而Ciss?隨電壓變化且存在個體差異，導(dǎo)致關(guān)斷時間不可控。

熱應(yīng)力大： STO過程中電流下降緩慢，且由于未鉗位VGS?，電流幅值依然很高，導(dǎo)致關(guān)斷過程中的能量耗散巨大。

2LTO優(yōu)勢： 2LTO通過主動鉗位VGS?來主動限制電流幅值，不僅解決了過壓問題，更從源頭上降低了短路能量，是SiC模塊保護(hù)的最佳方案 。

5. 模塊并聯(lián)的工程深水區(qū)：Vth?失配與均流設(shè)計

隨著功率等級向兆瓦級邁進(jìn)（如“三個必然”中提到的集中式儲能PCS），SiC模塊的并聯(lián)使用成為常態(tài)。然而，SiC的物理特性使得其并聯(lián)難度遠(yuǎn)高于IGBT。

5.1 閾值電壓(Vth?)的負(fù)溫度系數(shù)（NTC）陷阱

IGBT的自平衡： IGBT的VCE(sat)?通常具有正溫度系數(shù)（PTC），即溫度越高電阻越大，電流自動減小；雖然其VGE(th)?是負(fù)溫系數(shù)，但影響較小。這使得IGBT并聯(lián)具有一定的熱穩(wěn)定性。

SiC的潛在熱失控：

SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)?雖然也是PTC（有利于靜態(tài)均流），但其閾值電壓Vth?具有顯著的負(fù)溫度系數(shù)（NTC） 。

正反饋機(jī)制： 在動態(tài)開關(guān)過程中，若并聯(lián)模塊中某一個的Vth?略低，它將先開通、后關(guān)斷，承擔(dān)更多的開關(guān)損耗，導(dǎo)致結(jié)溫升高。結(jié)溫升高反過來導(dǎo)致其Vth?進(jìn)一步降低（高溫下可降至1.8V），使其開通更早、電流更大、溫度更高。這種正反饋可能導(dǎo)致該模塊單體過熱失效。

工程對策： 傾佳電子楊茜強(qiáng)調(diào)的SiC應(yīng)用方案中，對于并聯(lián)模塊必須進(jìn)行嚴(yán)格的**Vth?篩選與分檔（Binning），通常要求并聯(lián)組內(nèi)的Vth?偏差控制在0.2V以內(nèi)** 。此外，必須采用對稱的驅(qū)動布局和獨立的柵極電阻(Rg?)來解耦控制。

5.2 寄生電感與動態(tài)均流

由于SiC的開關(guān)速度極快，di/dt極大，微小的源極電感(Ls?)差異都會在柵極產(chǎn)生巨大的感應(yīng)電壓差（ΔVGS?=ΔLs?×di/dt）。

IGBT： 較慢的開關(guān)速度掩蓋了布局的不對稱性。

SiC： 幾納亨（nH）的電感不對稱就會導(dǎo)致嚴(yán)重的動態(tài)電流不平衡 。

設(shè)計要求： SiC并聯(lián)設(shè)計必須遵循嚴(yán)格的幾何對稱原則，采用疊層母排技術(shù)最小化換流回路電感，并利用開爾文源極連接（Kelvin Source）來消除公共源極電感對驅(qū)動回路的干擾。

6. 熱管理與過載能力：材料特性決定的新邊界

6.1 工作結(jié)溫(Tvj?)的提升：175°C的新常態(tài)

IGBT的限制： 傳統(tǒng)硅IGBT受限于本征載流子濃度，當(dāng)溫度超過150°C時，漏電流急劇增加，甚至失去晶體管特性。因此，商用IGBT模塊的最高結(jié)溫長期鎖定在150°C，推薦工作結(jié)溫通常在125°C。

SiC的耐溫優(yōu)勢：

得益于寬禁帶特性，SiC器件理論上可工作在600°C以上。受限于封裝材料，目前的商用SiC模塊（如基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3）將最高工作結(jié)溫提升到了**175°C** 。

可靠性驗證： 可靠性報告顯示，B3M系列器件在175°C下通過了1000小時的高溫反偏（HTRB）和高溫柵偏（HTGB）測試，證明了其在高溫下的長期穩(wěn)定性 。

系統(tǒng)價值： 25°C的溫升裕量意味著在相同散熱條件下可以輸出更大電流，或者在相同功率下減小散熱器體積，完美契合“高功率密度”的必然趨勢。

6.2 封裝材料的革新：Si3?N4? AMB基板

為了匹配SiC的高溫與高功率密度特性，傳統(tǒng)IGBT常用的氧化鋁(Al2?O3?) DBC基板已捉襟見肘?；景雽?dǎo)體資料顯示，高性能SiC模塊普遍采用**氮化硅(Si3?N4?)活性金屬釬焊（AMB）**基板 。

性能對比： Si3?N4?的熱導(dǎo)率（90 W/mK）遠(yuǎn)高于Al2?O3?（24 W/mK），且抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性極佳 。

可靠性： 在極端的溫度沖擊循環(huán)中，Si3?N4?基板能有效抵抗銅層剝離，確保模塊在175°C工況下的機(jī)械可靠性，這是IGBT模塊難以比擬的。

6.3 過載能力與浪涌電流

關(guān)于SiC的過載能力，業(yè)界存在普遍誤區(qū)，認(rèn)為芯片小則過載弱。

浪涌電流(IFSM?)： 實際上，SiC MOSFET的反向?qū)ǎw二極管或同步整流）具有極強(qiáng)的浪涌耐受力?；景雽?dǎo)體模塊采用高性能芯片技術(shù)，雖芯片面積小，但SiC材料的高熱導(dǎo)率（硅的3倍）有助于熱量快速擴(kuò)散。

短時過載(I2t)： 在短時過載方面，由于SiC MOSFET沒有IGBT的拐點電壓（Knee Voltage），在小電流和過載初期，其導(dǎo)通壓降呈線性增加，相比IGBT的固定壓降+電阻壓降，SiC在一定范圍內(nèi)的過載發(fā)熱可能更低。

系統(tǒng)層面： 雖然SiC芯片本身的熱容（熱慣性）小于IGBT，使得其應(yīng)對極短脈沖過載的能力較弱，但通過175°C的高結(jié)溫上限和低導(dǎo)通損耗，SiC模塊在實際應(yīng)用周期（如電動汽車加速）中的持續(xù)過載能力往往優(yōu)于同規(guī)格IGBT模塊 。

7. 結(jié)論：踐行“三個必然”的技術(shù)路徑

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET功率模塊，BASiC基本半導(dǎo)體SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。

通過上述詳盡的工程對比分析，我們可以清晰地看到，傾佳電子楊茜提出的“三個必然”并非空穴來風(fēng)，而是建立在堅實的物理學(xué)基礎(chǔ)與工程實踐之上的。SiC MOSFET模塊在效率、頻率、耐溫性及系統(tǒng)功率密度上對IGBT模塊形成了全面碾壓。

然而，必然的趨勢不代表簡單的替換。工程技術(shù)人員在踐行這一趨勢時，必須深刻理解SiC與IGBT在應(yīng)用層面的巨大差異：

驅(qū)動升級： 必須摒棄+15V/0V的IGBT驅(qū)動思維，轉(zhuǎn)而采用**+18V/-5V的SiC專用電壓配置，并強(qiáng)制引入有源米勒鉗位**。

保護(hù)重構(gòu)： 面對SiC脆弱的短路耐受力，必須采用**兩級關(guān)斷（2LTO）**技術(shù)，在微秒級時間內(nèi)實現(xiàn)“既快又穩(wěn)”的保護(hù)，解決過熱與過壓的矛盾。

精細(xì)并聯(lián)： 正視Vth?負(fù)溫系數(shù)帶來的挑戰(zhàn)，通過嚴(yán)格的篩選與對稱的電路設(shè)計來保證并聯(lián)可靠性。

熱設(shè)計釋放： 充分利用**175°C的結(jié)溫優(yōu)勢與Si3?N4?**材料特性，重新定義系統(tǒng)的體積與重量。

綜上所述，SiC模塊替代IGBT模塊不僅是功率器件的更迭，更是電力電子系統(tǒng)設(shè)計哲學(xué)的全面革新。唯有掌握這些關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)，才能真正駕馭“三個必然”的浪潮，推動產(chǎn)業(yè)向更高能效、更強(qiáng)性能的未來邁進(jìn)。

附錄：SiC MOSFET模塊與IGBT模塊關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)對比一覽表

審核編輯 黃宇