EMMI-InGaAs 與 OBIRCH：一分鐘教你看懂兩款失效定位設備原理與應用
EMMI-InGaAs 與 OBIRCH：主流故障點定位技術的原理與應用
1）微光顯微鏡（EMMI-InGaAs）
EMMI-InGaAs，又稱砷化銦鎵微光顯微鏡，是一種典型的“被動式”光學故障定位技術。它通過捕捉半導體器件內(nèi)部電子—空穴在異常復合時產(chǎn)生的近紅外微弱發(fā)光，實現(xiàn)對亮點與熱點的精確識別。漏電、PN 結(jié)受損、局部擊穿等失效通常會伴隨微光信號，借助 InGaAs 探測器即可將這些原本不可見的光子清晰呈現(xiàn)。憑借快速、非破壞、定位直觀的優(yōu)勢，EMMI 在致晟光電的分析流程中常作為漏電類問題的首選篩查手段，有助于迅速判斷失效的大致區(qū)域。
2）激光束電阻異常偵測（OBIRCH）
OBIRCH 屬于“主動式”熱效應定位方法，通過激光在芯片正面或背面掃描，使金屬走線上產(chǎn)生輕微溫升，從而引發(fā)可檢測的電阻變化。金屬短路、微斷路、Via 接觸不良等結(jié)構(gòu)性缺陷會在這種熱敏響應下表現(xiàn)出明顯對比信號。與 EMMI 不同，OBIRCH 不依賴任何光發(fā)射，因此更適用于金屬通路類問題的精準定位，尤其是在復雜結(jié)構(gòu)或背面分析中表現(xiàn)突出。
審核編輯 黃宇
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