威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-GA是一款面向 65V 中低壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配中低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值13mΩ，中低壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • \(T=25^\circ\text{C}\)時20A；\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為15A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：60A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：實現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，提升系統(tǒng)功率密度；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 8.3mJ，感性負(fù)載開關(guān)場景穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度電路板設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 65V 級中低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器開關(guān)管；
  • 中低壓電源的同步整流回路；
  • 消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的中功率負(fù)載開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）