近日，中芯國際發(fā)布了2018年中期業(yè)績報(bào)告，報(bào)告顯示，2018年上半年?duì)I收達(dá)17.22億美元，同比增長11.5%。毛利為4.38億美元，同比增長5.6%。股東應(yīng)占溢利降至8097.6萬美元；同比減少23.7%，每股收益為0.02美元。

報(bào)告中披露，上半年中芯國際來自中國地區(qū)客戶的收入增長占不含技術(shù)授權(quán)總收入的56.3%，相比2017年同期46%，收入升幅為23.9%。報(bào)告期內(nèi)，中芯國際的付運(yùn)晶圓增加或許是導(dǎo)致數(shù)據(jù)增長的原因。

值得一提的是，在報(bào)告期內(nèi)，中芯國際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上取得了重大進(jìn)展。據(jù)了解，目前該技術(shù)研發(fā)已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入生產(chǎn)階段，而在28納米工藝節(jié)點(diǎn)上，除了PolySiON技術(shù)和HKC技術(shù)外，28納米HKC+技術(shù)也完成了開發(fā)，同時(shí)HKC技術(shù)持續(xù)上量且良率顯著提升。

此外，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍和梁孟松曾表示，中芯處于蓄勢過渡時(shí)期?！拔覀儗⒗^續(xù)擴(kuò)展和提升我們的成熟和先進(jìn)技術(shù)平臺，提供客戶全面有競爭力的服務(wù)。作為中國首選晶圓代工伙伴，相信公司必將受惠于中國芯片市場的成長機(jī)遇。”

業(yè)界猜測，中芯國際在14納米FinFET打好基礎(chǔ)后，公司指出下一步是推進(jìn)第二代的FinFET工藝技術(shù)，以追求更好的PPAC（power-performance-area-cost）。

放眼全球，目前已量產(chǎn)FinFET架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體大廠包括英特爾、臺積電、三星、GlobalFoundries、聯(lián)電等。據(jù)了解，英特爾從22納米開始發(fā)展FinFET技術(shù)工藝，三星在14納米工藝世代、臺積電在16納米工藝開始導(dǎo)入FinFET架構(gòu)，聯(lián)電在14納米導(dǎo)入。在先進(jìn)制程技術(shù)方面，中芯國際一直都在追趕臺積電、三星等領(lǐng)先廠商。

中芯國際在今年年初宣布，將聯(lián)同大基金和上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進(jìn)制程的研發(fā)計(jì)劃，最終達(dá)到每月量產(chǎn)3.5萬片的目標(biāo)。

如果中芯國際的14納米FinFET制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那就意味著未來，中芯國際有望在晶圓代工市場上取得更大成果。