特銳祥 TADC222MO 以 SMB-Y5V222M/1KV A4 規(guī)格構(gòu)建了高壓瓷片電容的新維度，通過 Y5V 材質(zhì)的改性工藝與疊層技術(shù)創(chuàng)新，在 4.5*3.9*2.35尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn) 2200pF 容值與 1KV 耐壓的平衡，為高密度電路設(shè)計提供了突破性元件方案。

一、參數(shù)解析：Y5V 介質(zhì)的容值 - 耐壓技術(shù)重構(gòu)
規(guī)格型號中的 “Y5V” 定義了其材料屬性：在 - 30℃~+85℃溫度范圍內(nèi)，電容值變化率為 ±22%~-82%，屬于溫度敏感型陶瓷介質(zhì)，將介電常數(shù)穩(wěn)定在 2800±10%，使 222M（2200pF）容值在 25℃時的偏差控制在 ±20%?！?KV” 耐壓參數(shù)則通過 180 層以上的陶瓷 / 電極疊層實(shí)現(xiàn)，單層層厚僅 1.3μm，經(jīng) 1250℃共燒后形成致密的介電層，擊穿場強(qiáng)達(dá) 769V/mm。

二、材料改性：Y5V 介質(zhì)的穩(wěn)定性突破
區(qū)別于傳統(tǒng) Y5V 電容，TADC222MO 采用三層界面修飾技術(shù)：

晶粒優(yōu)化：通過溶膠 - 凝膠法制備平均粒徑 0.9μm 的 BaTiO?粉體，使晶界電阻提升 3 倍；
包覆處理：Al?O?-SiO?復(fù)合涂層包裹晶粒，抑制高溫下的離子遷移；
氣氛燒結(jié)：在 N?/H?混合氣氛中燒結(jié)，降低介質(zhì)層的氧空位濃度，使 25℃絕緣電阻達(dá) 10?MΩ。
這一系列工藝使電容在 85℃/85% RH 環(huán)境下的漏電流 < 0.5μA，較傳統(tǒng) Y5V 電容提升 50%。
三、市場價值：標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)的成本優(yōu)勢
TADC222MO 采用 3000pcs 防靜電編帶包裝，通過 ISO9001:2015 認(rèn)證的自動化產(chǎn)線生產(chǎn)，批次間容量波動 <±8%。對比同類產(chǎn)品，其優(yōu)勢體現(xiàn)在：
成本控制：SMB 封裝較同參數(shù)直插電容成本降低 35%；
認(rèn)證體系：通過 UL94V-0 阻燃與 ROHS 2.0 認(rèn)證，滿足電子設(shè)備環(huán)保要求；
工藝兼容性：兼容 260℃無鉛回流焊，焊盤設(shè)計符合 IPC-7351 標(biāo)準(zhǔn)，便于 PCB 布局。

這款電容以材料改性與工藝創(chuàng)新打破了 Y5V 介質(zhì)在高壓場景的應(yīng)用限制，為電源模塊、信號濾波等領(lǐng)域提供了高容值與高耐壓兼具的貼片解決方案，推動了高壓陶瓷電容向小型化、低成本方向發(fā)展。

審核編輯 黃宇