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SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ

11112225 ? 來(lái)源:11112225 ? 作者:11112225 ? 2025-12-17 17:08 ? 次閱讀
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SMAG1116LX 是一款 N-Channel(N溝道)增強(qiáng)型功率MOSFET(即功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。是針對(duì)高效能、高密度電源應(yīng)用的另一款核心產(chǎn)品。

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SMAG1116LX 是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)和優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET。其主要設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)超低的導(dǎo)通電阻、卓越的開關(guān)性能和更高的功率效率,特別適用于對(duì)效率和熱管理要求極高的同步整流開關(guān)電路。

**關(guān)鍵特性與參數(shù)**


1. **通道類型:** N-Channel

這是最常用的一種MOSFET類型。當(dāng)柵極(G)相對(duì)于源極(S)施加一個(gè)正電壓時(shí),器件導(dǎo)通。它通常用作低端開關(guān)(連接在負(fù)載和地之間),或者在同步整流拓?fù)渲凶鳛橄鹿苁褂谩?/p>

2. **極低的導(dǎo)通電阻**

這是SMAG1116LX最突出的亮點(diǎn)。其導(dǎo)通電阻值極低。
典型數(shù)據(jù):在 Vgs=10V 時(shí),Rds(on) 典型值僅為 1.6mΩ(最大值通常在2.0mΩ左右)。
在 Vgs=4.5V 時(shí),也能保持很低的導(dǎo)通電阻(典型值約2.0mΩ),這使其在由5V或更低電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中也能高效工作。
極低的Rds(on)直接意味著更低的傳導(dǎo)損耗和更高的系統(tǒng)效率。

3. **高連續(xù)漏極電流**

得益于低電阻設(shè)計(jì),它能承受很高的持續(xù)電流,Id 可達(dá) +100A 或更高(具體數(shù)值需參考數(shù)據(jù)手冊(cè),與測(cè)試條件如Tc溫度相關(guān))。這表明其具有極強(qiáng)的功率處理能力。

4. **優(yōu)異的開關(guān)特性**

具有低柵極電荷和低導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)間。這使其在高頻開關(guān)電源(如DC-DC轉(zhuǎn)換器)中工作時(shí),開關(guān)損耗很小,有助于提升高頻下的整體效率。

5. **封裝**

通常采用 DFN5x6-8L 或類似的先進(jìn)貼片封裝。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域**
SMAG1116LX 憑借其N溝道特性和超低電阻,主要應(yīng)用于需要高效率能量轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域:

1. **同步整流**

這是其最經(jīng)典和最重要的應(yīng)用場(chǎng)景。在現(xiàn)代開關(guān)電源(如AC-DC適配器、服務(wù)器電源、通信電源)的次級(jí)側(cè),用于替代傳統(tǒng)的肖特基整流二極管。
由于其Rds(on)極低,導(dǎo)通壓降遠(yuǎn)低于二極管的正向壓降,可以大幅降低整流過(guò)程中的損耗,顯著提升電源效率(尤其是在低輸出電壓、大電流的應(yīng)用中,如5V/20A)。

2. **DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器**

在同步降壓電路中,SMAG1116LX 常被用作下管(同步整流管),與一個(gè)上管(控制管)配合工作。其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能是保證整個(gè)轉(zhuǎn)換器高效率、高功率密度的關(guān)鍵。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與調(diào)速**

在電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)、機(jī)器人等的大電流H橋或三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路中,作為核心的功率開關(guān)元件。其高電流能力和低損耗有助于延長(zhǎng)電池續(xù)航并減少發(fā)熱。

4. **電池保護(hù)與負(fù)載開關(guān)**

電池管理系統(tǒng)或大電流放電通路中,用作開關(guān)管。雖然P-MOSFET更常用于高端開關(guān),但在低端配置或特定電路中,N-MOSFET也是一個(gè)選擇。

5. **各類電源管理系統(tǒng)**

適用于對(duì)效率有極致要求的通信設(shè)備、計(jì)算設(shè)備、工業(yè)設(shè)備的電源部分。

**總結(jié)**

SMAG1116LX 是一款定位高端的N溝道功率MOSFET,其標(biāo)志性的“極低導(dǎo)通電阻”是其核心競(jìng)爭(zhēng)力。它主要服務(wù)于對(duì)效率和功率密度有極致追求的電源設(shè)計(jì),尤其是在同步整流這一關(guān)鍵應(yīng)用中表現(xiàn)出色。結(jié)合其出色的電流能力和現(xiàn)代化的封裝,它是工程師在設(shè)計(jì)高效能、高可靠性電源產(chǎn)品時(shí)的一個(gè)強(qiáng)有力的國(guó)產(chǎn)化選擇。

審核編輯 黃宇

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