仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向 100V 中壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借低導通電阻、高頻開關特性及高可靠性，適用于高頻開關、同步整流等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓功率轉換場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值5.6mΩ，中壓場景下導通損耗控制優(yōu)異；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時80A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為50A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達320A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 低導通電阻與開關損耗：5.6mΩ 導通電阻設計，大幅降低中壓大電流場景下的傳導損耗；同時優(yōu)化開關特性，降低開關損耗，適配高頻開關應用；
• 高穩(wěn)定性與可靠性：具備優(yōu)異的參數(shù)均勻性，且通過100% UIS（單向雪崩耐量）測試和100% dv/dt 測試，在感性負載開關、異常過壓工況下可靠性強；
• 環(huán)保合規(guī)：RoHS 及無鹵合規(guī)，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時76W，實際應用需結合散熱設計（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長期可靠工作；
• 雪崩特性：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達218mJ，感性負載開關場景下抗沖擊能力優(yōu)異；
• 熱特性：結 - 環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）108℃/W，結 - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）1.66℃/W；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結溫區(qū)間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000 片 / 卷，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應用：
  • 高頻開關應用：在中壓高頻開關拓撲（如電源模塊、逆變器）中作為功率開關，低損耗特性提升能量轉換效率；
  • 同步整流：適配各類中壓電源的同步整流回路，通過低導通電阻降低整流損耗，提升電源效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）