仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向 100V 中壓大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值5.6mΩ，中壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗控制優(yōu)異；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí)80A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為50A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)320A，滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 低導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗：5.6mΩ 導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，大幅降低中壓大電流場(chǎng)景下的傳導(dǎo)損耗；同時(shí)優(yōu)化開關(guān)特性，降低開關(guān)損耗，適配高頻開關(guān)應(yīng)用；
• 高穩(wěn)定性與可靠性：具備優(yōu)異的參數(shù)均勻性，且通過(guò)100% UIS（單向雪崩耐量）測(cè)試和100% dv/dt 測(cè)試，在感性負(fù)載開關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：RoHS 及無(wú)鹵合規(guī)，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí)76W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 雪崩特性：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達(dá)218mJ，感性負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景下抗沖擊能力優(yōu)異；
• 熱特性：結(jié) - 環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）108℃/W，結(jié) - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）1.66℃/W；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000 片 / 卷，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應(yīng)用：
  • 高頻開關(guān)應(yīng)用：在中壓高頻開關(guān)拓?fù)洌ㄈ?a target="_blank">電源模塊、逆變器）中作為功率開關(guān)，低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 同步整流：適配各類中壓電源的同步整流回路，通過(guò)低導(dǎo)通電阻降低整流損耗，提升電源效率。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）