仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向 30V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值10mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：50A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達150A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 低電容與柵極電荷：優(yōu)化的電容和柵極電荷設計，大幅降低開關損耗，適配高頻開關應用；
• 快速開關能力：開關速度優(yōu)異，提升系統(tǒng)能量轉換效率；
• 雪崩可靠性：單脈沖雪崩能量達48mJ，在感性負載開關、異常過壓工況下可靠性強；
• 多封裝適配：支持 TO-252 表面貼裝和 TO-251 直插封裝，適配不同電路設計需求。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：45W，實際應用需結合散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長期可靠工作；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結溫區(qū)間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：
  • TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500 片 / 卷；
  • TO-251 直插封裝，包裝規(guī)格為 70 片 / 管；
• 典型應用：各類開關應用場景，如低壓電源的開關控制、負載切換等，憑借低損耗與快速開關特性保障系統(tǒng)效率與穩(wěn)定性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）