在光伏行業(yè)快速發(fā)展的今天，高效、可靠、緊湊的逆變器設(shè)計已成為提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)的成熟，光伏逆變器的設(shè)計迎來了新的突破契機。作為至信微電子的長期合作伙伴，浮思特科技一直密切關(guān)注并積極推廣這一領(lǐng)域的最新技術(shù)應(yīng)用。

在單相組串式光伏逆變器中，目前較為主流的拓撲主要包括 HERIC 拓撲與 H6 拓撲。

HERIC 拓撲因其結(jié)構(gòu)特點，能夠有效降低開關(guān)損耗，實現(xiàn)較高系統(tǒng)效率，同時在體積、重量和電磁干擾控制方面具有明顯優(yōu)勢，是當(dāng)前高效率光伏逆變器的常見選擇。但這類拓撲對開關(guān)器件的開關(guān)速度、損耗控制和高頻可靠性要求較高。

相比之下，H6 拓撲在效率上略低于 HERIC，但其共模特性更優(yōu)，在某些對漏電流和EMI要求更嚴格的應(yīng)用場景中仍然具有優(yōu)勢。

無論是哪種拓撲，本質(zhì)上都在追求：

更低的損耗 + 更高的開關(guān)頻率 + 更穩(wěn)定的工作狀態(tài)

這正是 SiC MOSFET 能夠發(fā)揮價值的地方。

為什么 SiC MOSFET 正逐漸成為逆變器的“標(biāo)配”?

與傳統(tǒng)硅 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 在光伏逆變器中主要體現(xiàn)出三點優(yōu)勢：

· 開關(guān)損耗低，適合高頻應(yīng)用

·耐高溫能力強，有利于系統(tǒng)熱設(shè)計

·導(dǎo)通電阻低，有助于提升整體效率

在 HERIC、H6 等高效率拓撲中，SiC MOSFET 可以讓工程師在效率與功率密度之間擁有更大的設(shè)計空間。

SMC25N065DT4AS 在逆變與儲能場景中的應(yīng)用價值

以至信微電子的 SMC25N065DT4ASSiC MOSFET為例，該器件為 650V / 25mΩ 規(guī)格，適用于光伏逆變器與中小功率儲能 PCS 場景。

在單相組串式逆變器中，該器件可應(yīng)用于主功率開關(guān)位置，借助 SiC 器件的高頻特性，幫助系統(tǒng)在保持高效率的同時，進一步縮小磁性器件和散熱結(jié)構(gòu)的體積。

在功率小于 10kW 的儲能 PCS 或 UPS、EPS 等應(yīng)用中，常見的 2-level 拓撲需要實現(xiàn) DC/AC 雙向能量流動。此類應(yīng)用對器件的開關(guān)一致性和可靠性要求較高，SiC MOSFET 在雙向運行工況下的穩(wěn)定性優(yōu)勢也更加明顯。

從應(yīng)用到落地，器件選型同樣重要

在實際項目中我們發(fā)現(xiàn)，SiC MOSFET 并不是“簡單替換”硅器件就能發(fā)揮全部優(yōu)勢。

驅(qū)動設(shè)計、布局、EMI 控制、散熱方式，都會直接影響最終效果。

作為至信微電子的合作代理商，浮思特科技在為客戶提供 SMC25N065DT4AS 等 SiC 器件的同時，也會結(jié)合具體的逆變器或儲能系統(tǒng)架構(gòu)，協(xié)助客戶進行更合理的器件選型與應(yīng)用評估，避免“用上 SiC，卻沒發(fā)揮出 SiC 價值”的情況。

光伏逆變器和儲能系統(tǒng)的技術(shù)升級，本質(zhì)上是系統(tǒng)級優(yōu)化的結(jié)果，而功率器件正是其中非常關(guān)鍵的一環(huán)。像至信微SMC25N065DT4AS 這樣的 SiC MOSFET，為高效率、高可靠性的逆變器設(shè)計，提供了更多可能性。

后續(xù)我們也會結(jié)合更多實際應(yīng)用案例，持續(xù)分享 SiC 器件在光伏、儲能及電力電子領(lǐng)域中的應(yīng)用經(jīng)驗。