美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對(duì)大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545786 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:322459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
STMicroelectronics的快速碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管的開關(guān)使設(shè)計(jì)人員可以達(dá)到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
校正，新能源電網(wǎng)，新能源汽車，軌道交通等不同領(lǐng)域！附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號(hào)選型表：
2021-11-09 16:36:57
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負(fù)壓免疫
650V開關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應(yīng)對(duì)電機(jī)反電動(dòng)勢(shì)和MOSFET開關(guān)尖峰
-7V VS負(fù)壓承受 ：消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負(fù)壓擊穿
2025-06-25 08:34:07
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
和低壓開關(guān)特性等性能。 如圖1所示，為單管測(cè)試電路，其中，測(cè)試負(fù)載為200W242歐姆純電阻。圖1 單管測(cè)試電路首先考察Vgs在500k頻率下的開通延遲時(shí)間為938.4ns，關(guān)斷延遲時(shí)間為
2020-05-21 15:24:22
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
批量生產(chǎn)時(shí)LED燈具參數(shù)的一致性?！?b class="flag-6" style="color: red">SIC9654具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù)、采樣電阻開短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等?！?b class="flag-6" style="color: red">特性：■內(nèi)部集成650V功率管■±3%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
- XD040Q065AY1S3（650V/40A)XDM芯達(dá)茂 IGBT單管XD040Q065AY1S3采用先進(jìn)的微溝槽 FS IGBT 技術(shù)，同時(shí)采用SiC FRD管進(jìn)行
2025-01-06 17:19:18
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-06-09 10:33:26975 
2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場(chǎng)投入1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時(shí)宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:508397 新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 14:09:221594 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:551515 
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:153087 
英飛凌的mos管資料，650V工具?ISBuiltoverthesolidsiliconcarbide技術(shù)開發(fā)時(shí)間不超過20年。利用寬帶隙SiC材料特性，650V冷卻液?MOSFET是獨(dú)一無二的性能、可靠性和易用性的組合。適用于高在溫度和濕度條件下，可降低成本和成本高效系統(tǒng)的有效部署。
2022-08-05 14:40:510 Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:211907 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:251900 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:571193 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動(dòng)器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342033 保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:181078 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
開關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:011708 Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:371369 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:021808 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746429 
近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 ：2ED2388S06F產(chǎn)品特點(diǎn)工作電壓（相對(duì)于VS）高達(dá)+650V負(fù)VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價(jià)值集成自舉
2024-07-27 08:14:36869 Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對(duì)高功率
2024-08-05 11:25:201265 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表貼封裝、實(shí)現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢(shì)壘二極管。雖為小型表貼封裝，但通過確保足夠的爬電距離，可減輕采取特殊絕緣對(duì)策（灌
2024-12-19 09:43:181316 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15791 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 17:23:30763 
：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07772 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作 正向電壓
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806 
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測(cè)試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
2025-02-27 17:11:28675 
/DC轉(zhuǎn)換器等，滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動(dòng)汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護(hù)。我們的650V
2025-07-04 17:09:031016 CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077
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