電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 TOLL（TO-LeadLess，薄型無引腳）封裝得益于其高密度、小型化的特性，在近年受到了功率半導(dǎo)體廠商的關(guān)注，在SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體中得到越來越多的應(yīng)用。

近期羅姆和TI都推出了TOLL封裝的功率器件產(chǎn)品。羅姆推出了SCT40xxDLL系列TOLL封裝的SiC MOSFET，于2025年9月正式量產(chǎn)，提供13mΩ至65mΩ導(dǎo)通電阻的6款型號。其核心突破在于將TOLL封裝耐壓提升至750V，遠超普通TOLL封裝的650V標(biāo)準，即使考慮浪涌電壓也可抑制柵極電阻，進一步降低開關(guān)損耗。該系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)、消費電子等領(lǐng)域，包括AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心電源（適配緊湊空間與高功率密度需求）、光伏逆變器（750V耐壓匹配電網(wǎng)連接需求，低損耗提升發(fā)電量）、“卡片式”薄型電源（2.3mm超薄設(shè)計滿足厚度4mm以下的嚴苛要求）等。

TI則推出了集成式TOLL封裝GaN器件LMG3650，該器件將GaN FET與驅(qū)動器集成于TOLL封裝內(nèi)，是高壓電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的核心方案，適用于光伏逆變器、工業(yè)電源等場景。其集成了過熱保護、過流保護、欠壓鎖定等功能，無需外部保護電路，顯著降低設(shè)計復(fù)雜度；配備的5V低壓降穩(wěn)壓器可直接為輔助電路供電，零電壓檢測與過零檢測功能可優(yōu)化死區(qū)時間，進一步降低損耗?；谠撈骷?00W單相Cyclo轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計，功率密度達640W/L，峰值效率96.1%，可在600kHz高頻下穩(wěn)定運行，充分驗證了TOLL封裝與GaN集成的技術(shù)優(yōu)勢。

從結(jié)構(gòu)上，區(qū)別于傳統(tǒng)TO-247、TO-263等有引腳封裝，TOLL封裝采用全底部焊盤設(shè)計，無任何外伸金屬引腳。其電氣連接與機械固定均通過底部陣列焊盤完成，焊盤分為信號焊盤、電源焊盤與散熱焊盤（可選），其中散熱焊盤通常占據(jù)封裝底部30%-50%面積，直接與芯片背面接觸。這種結(jié)構(gòu)從根源上縮短了信號傳輸路徑，使寄生電感降至1nH以下，遠低于傳統(tǒng)封裝的5-10nH，為高頻開關(guān)場景提供了基礎(chǔ)。同時，無引腳設(shè)計避免了引腳彎曲、斷裂的機械風(fēng)險，提升了器件在振動環(huán)境下的可靠性。

同時TOLL封裝通過“芯片-散熱焊盤-PCB散熱層”的直連散熱路徑，配合高導(dǎo)熱環(huán)氧塑封料與銅基基板（或BT樹脂基板），大幅降低熱阻。典型TOLL封裝的結(jié)到PCB熱阻值僅為1.2-1.5℃/W，而傳統(tǒng)TO-247封裝熱阻值高達2.5-3.0℃/W。部分高端產(chǎn)品還通過優(yōu)化封裝材料與結(jié)構(gòu)，進一步提升散熱效率，相較于傳統(tǒng)TO-263-7L封裝散熱性提升約39%，可有效控制高頻工作時的芯片結(jié)溫。

因此，TOLL封裝形成了小型化、低寄生參數(shù)、高效散熱、高兼容性低成本等優(yōu)勢，這也令其成為釋放GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體性能的關(guān)鍵載體。近期ROHM、TI等廠商的新品落地，將其應(yīng)用從工業(yè)設(shè)備拓展至AI服務(wù)器、儲能系統(tǒng)、薄型電源等新興場景，驗證了其在高功率密度、空間受限場景下的核心價值。隨著新能源產(chǎn)業(yè)與高端電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升級，TOLL封裝有望進一步向多芯片集成、更高耐壓、更薄封裝方向演進，成為功率電子領(lǐng)域的主流封裝方案，推動全球能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向更高效、更緊湊、更經(jīng)濟的方向發(fā)展。