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芯導(dǎo)科技PD快充同步整流MOSFET應(yīng)用解讀

芯導(dǎo)科技Prisemi ? 來(lái)源:芯導(dǎo)科技Prisemi ? 2025-12-29 10:28 ? 次閱讀
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在這個(gè)快節(jié)奏的時(shí)代,快速充電成為了我們?nèi)粘I畹膭傂琛6斐浼夹g(shù)的關(guān)鍵之一就是高性能MOSFET??斐溆?MOSFET 需具備卓越的性能,能夠高效地控制電流,實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定的充電過(guò)程。無(wú)論是為手機(jī)、電腦、Pad還是其他電子設(shè)備,都能在極短時(shí)間內(nèi)注入充足的電量。

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PD快充應(yīng)用框圖

經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展,快充技術(shù)已經(jīng)從最初的手機(jī)出發(fā),逐步覆蓋到了筆記本電腦、電動(dòng)工具、個(gè)人護(hù)理、新能源汽車(chē)、戶外電源、TWS耳機(jī)、POS機(jī)、寵物用品、電子霧化器、充氣泵等十余個(gè)市場(chǎng)。

近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展趨勢(shì)是120W以上小體積的GaN/SiC PD快充。隨著充電器內(nèi)部的第三代半導(dǎo)體、MOSFET、同步整流、智能芯片等技術(shù)優(yōu)化,會(huì)帶來(lái)?yè)p耗更低、體積更小、功率密度更高的產(chǎn)品。

新型快充充電器對(duì)比

如傳統(tǒng)的200W充電器,體積1100cm3,重量達(dá)1300g;而得益于基于第三代半導(dǎo)體及MOSFET功率器件同步整流方案的加持,新的240W快充,體積約160cm3,重量在250g左右,不僅體積更小,重量更輕,更便攜,且損耗會(huì)更低,轉(zhuǎn)換效率更高。

那么,基于MOSFET次級(jí)同步整流電路的電源,是如何實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換的呢?

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二極管整流電路

若快充電路的副邊采用二極管作為整流管,稱為二極管整流電路。由于快充的輸出電流大,有時(shí)輸出電流可高達(dá)5A,二極管因?yàn)橛幸粋€(gè)約0.7V左右的正向壓降,所以二極管整流電路損耗較大,效率差。

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同步整流電路

如果使用MOSFET取代二極管作為整流管,稱為副邊(次級(jí))同步整流。在同步整流中,由于 MOS管的 Rdson 非常小,一般為毫歐級(jí)別,導(dǎo)通后的壓降非常低,損耗功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于二極管。所以用MOS管做整流管的同步整流電路損耗低、效率高。

將MOS導(dǎo)通阻抗低、發(fā)熱量小、開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)勢(shì)成功應(yīng)用到次級(jí)同步整流電路中,使得電源發(fā)熱量大幅下降,可靠性更高,體積更小。采用同步整流MOS,電路整體效率可提升2~5%。以5V/9V 2A充電為例,同步整流方案溫度可以降低約15°C(SOP-8封裝情況下)。

芯導(dǎo)科技PD快充同步整流MOSFET產(chǎn)品推薦

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PD快充同步整流MOS的耐壓一般選擇100V,可以為20V 標(biāo)準(zhǔn)輸出提供 5 倍安全裕度,為48V 高功率輸出提供 2 倍安全保障,同時(shí)可以有效應(yīng)對(duì)反激電路特有的電壓尖峰問(wèn)題,在保持低導(dǎo)通電阻(3-9mΩ) 的同時(shí)具備良好開(kāi)關(guān)性能,實(shí)現(xiàn)單器件兼容全系列 PD 協(xié)議,未來(lái)升級(jí)無(wú)憂,因此工程師通常選擇100V耐壓的MOSFET,作為性價(jià)比最高的解決方案. 當(dāng)然,也有一些廠家基于成本和實(shí)際應(yīng)用考慮,會(huì)選擇60V 耐壓的MOS作為快充同步整流MOS。

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Prisemi芯導(dǎo)科技用于快充同步整流的MOSFET產(chǎn)品均采用先進(jìn)的分立柵溝槽MOSFET(SGT MOS)技術(shù),較傳統(tǒng)單柵溝槽MOSFET,分立柵MOSFET擁有出色的導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)特性,極佳的散熱能力和安全性。如下對(duì)比數(shù)據(jù),相同芯片面積下,分立柵MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻即導(dǎo)通損耗低。相同導(dǎo)通電阻情況下,分立柵MOSFET電容(尤其是米勒電容Crss)參數(shù)值更小,Qg更小即開(kāi)關(guān)損耗低。

Prisemi 的MOS產(chǎn)品已成功應(yīng)用在多個(gè)品牌客戶的PD快充同步整流電路中。

企業(yè)介紹

芯導(dǎo)科技(Prisemi)專(zhuān)注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開(kāi)發(fā)及銷(xiāo)售,總部位于上海市張江科學(xué)城。

公司于2009年成立,至今已獲國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)、“上市公司金牛獎(jiǎng)”、“上市公司金質(zhì)量獎(jiǎng)”、“功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)”、“上海市規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)集成電路企業(yè)”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“上海市科技小巨人企業(yè)”等榮譽(yù)資質(zhì),并已擁有百余項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司已在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,股票簡(jiǎn)稱"芯導(dǎo)科技",股票代碼為688230.SH。

芯導(dǎo)科技專(zhuān)注于功率IC(鋰電池充電管理 IC、OVP過(guò)壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等)以及功率器件(ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等)的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用。公司在深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí),積極拓展海外市場(chǎng),目前產(chǎn)品已遠(yuǎn)銷(xiāo)歐美日韓及東南亞等國(guó)家與地區(qū),可應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、電源、儲(chǔ)能、汽車(chē)電子、光伏逆變器等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:低功耗、高性能 | 芯導(dǎo)科技PD快充同步整流MOSFET應(yīng)用解讀

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