深入解析SN65MLVD128與SN65MLVD129：高性能M - LVDS中繼器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，信號(hào)的高效傳輸與處理一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。SN65MLVD128和SN65MLVD129作為L(zhǎng)VTTL到M - LVDS的轉(zhuǎn)換器/中繼器，憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，成為了眾多工程師的首選。今天，我們就來(lái)深入探討這兩款器件的特點(diǎn)、應(yīng)用以及相關(guān)的技術(shù)細(xì)節(jié)。

文件下載：sn65mlvd128.pdf

器件特點(diǎn)

功能配置

• SN65MLVD128：由一個(gè)LVTTL接收器和八個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器組成，配置為一個(gè)8端口M - LVDS中繼器。
• SN65MLVD129：包含兩個(gè)LVTTL接收器和八個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器，配置為雙4端口M - LVDS中繼器。

性能優(yōu)勢(shì)

1. 符合標(biāo)準(zhǔn)：驅(qū)動(dòng)器滿足或超過(guò)M - LVDS標(biāo)準(zhǔn)（TIA/EIA - 899），允許在公共總線上連接32個(gè)節(jié)點(diǎn)，為RS - 485設(shè)備提供了高速替代方案。
2. 高速傳輸：低電壓差分30 - Ω至55 - Ω線路驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)速率最高可達(dá)250 Mbps，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)125 MHz。
3. 信號(hào)質(zhì)量：上電/下電無(wú)毛刺，可控制驅(qū)動(dòng)器輸出電壓轉(zhuǎn)換時(shí)間，提高信號(hào)質(zhì)量。
4. 獨(dú)立控制：每個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出具有獨(dú)立使能功能，輸出到輸出的偏斜$t{sk(0)} ≤160 ps$，器件間偏斜$t{sk(pp)} ≤800 ps$。
5. 電源與保護(hù)：采用單一3.3 - V電壓供電，總線引腳在禁用或$V_{CC} ≤1.5 V$時(shí)呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，總線引腳ESD保護(hù)超過(guò)9 kV。

應(yīng)用領(lǐng)域

1. 時(shí)鐘分配：適用于AdvancedTCA?（ATCA?）時(shí)鐘總線驅(qū)動(dòng)，可將時(shí)鐘信號(hào)從中央時(shí)鐘模塊傳輸?shù)礁鱾€(gè)節(jié)點(diǎn)。
2. 數(shù)據(jù)傳輸：用于數(shù)據(jù)和時(shí)鐘在背板和電纜上的重復(fù)傳輸，如蜂窩基站、中央辦公室交換機(jī)、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器等。
3. 信號(hào)轉(zhuǎn)換與緩沖：可對(duì)數(shù)據(jù)或控制信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換和緩沖，通過(guò)受控阻抗背板或電纜進(jìn)行傳輸。

技術(shù)參數(shù)解析

電氣特性

供電電流

在不同的測(cè)試條件下，器件的供電電流有所不同。例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器使能，輸入為$V{CC}$或GND，負(fù)載電阻$R{L}=50 Ω$時(shí)，典型供電電流為112 mA，最大為140 mA；當(dāng)驅(qū)動(dòng)器禁用時(shí)，供電電流可低至7 mA。

輸入輸出規(guī)格

• LVTTL輸入：高電平輸入電流在$V{IH}=2 V$或$V{CC}$時(shí)最大為10 μA，低電平輸入電流在$V_{IL}=GND$或0.8 V時(shí)最小為10 μA，輸入電容為5 pF。
• M - LVDS輸出：差分輸出電壓幅度在480 - 650 mV之間，穩(wěn)態(tài)共模輸出電壓在0.8 - 1.2 V之間，差分短路輸出電流幅度最大為24 mA等。

開(kāi)關(guān)特性

器件的開(kāi)關(guān)特性包括傳播延遲時(shí)間、上升/下降時(shí)間、偏斜和抖動(dòng)等參數(shù)。例如，傳播延遲時(shí)間低至1 - 3 ns，周期抖動(dòng)在1 - 3 ps之間，峰 - 峰抖動(dòng)在46 - 110 ps之間。

訂購(gòu)與封裝信息

訂購(gòu)信息

封裝散熱評(píng)級(jí)

典型特性與應(yīng)用示例

典型特性

通過(guò)一系列的圖表展示了器件的典型特性，如RMS供電電流與自由空氣溫度的關(guān)系、差分輸出電壓幅度、傳播延遲時(shí)間、轉(zhuǎn)換時(shí)間與峰 - 峰抖動(dòng)等。這些特性有助于工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中更好地了解器件的性能表現(xiàn)。

應(yīng)用示例

在時(shí)鐘分配和數(shù)據(jù)分配方面給出了具體的應(yīng)用示例。例如，在時(shí)鐘分配中，展示了不同頻率時(shí)鐘信號(hào)的輸入輸出情況；在數(shù)據(jù)分配中，展示了250 Mbps的PRBS數(shù)據(jù)的傳輸情況。

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

ESD保護(hù)

由于器件的內(nèi)置ESD保護(hù)有限，在存儲(chǔ)或處理時(shí)，應(yīng)將引腳短接在一起或?qū)⑵骷胖迷趯?dǎo)電泡沫中，以防止MOS柵極受到靜電損壞。

電路板布局

參考文檔中提供了示例電路板布局、焊盤圖案、模板設(shè)計(jì)等信息，工程師在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意這些細(xì)節(jié)，以確保器件的性能和可靠性。

SN65MLVD128和SN65MLVD129是兩款性能出色的M - LVDS中繼器，在高速信號(hào)傳輸和處理方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。工程師們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，合理選擇器件，并注意相關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，以充分發(fā)揮器件的性能。大家在使用這兩款器件的過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。