探索HMC - ABH241:50 - 66 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器
在當今的高頻通信和雷達系統(tǒng)中,高性能的功率放大器至關(guān)重要。今天,我們就來詳細探討一下Analog Devices公司的HMC - ABH241,一款工作在50 - 66 GHz頻段的GaAs HEMT MMIC中功率放大器。
文件下載:HMC-ABH241.pdf
典型應(yīng)用場景
HMC - ABH241憑借其出色的性能,在多個領(lǐng)域都有理想的應(yīng)用:
- 短距離/高容量鏈路:在需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩叹嚯x通信場景中,它能提供穩(wěn)定的功率和增益支持。
- 無線局域網(wǎng)橋:有助于增強無線局域網(wǎng)之間的連接穩(wěn)定性和傳輸效率。
- 軍事與航天領(lǐng)域:其可靠性和高性能滿足軍事和航天環(huán)境下的嚴格要求。
器件概述
HMC - ABH241是一款四級GaAs HEMT MMIC中功率放大器,工作頻率范圍為50 - 66 GHz。在+5V的電源電壓下,它能提供24 dB的增益,并且在1dB壓縮點處輸出功率可達+17 dBm。該放大器的所有鍵合焊盤和芯片背面都采用Ti/Au金屬化處理,并且經(jīng)過了全面的鈍化處理,以確??煽窟\行。它與傳統(tǒng)的芯片貼裝方法以及熱壓和熱超聲引線鍵合兼容,非常適合多芯片模塊(MCM)和混合微電路應(yīng)用。
關(guān)鍵特性
電氣性能
- 輸出三階截點(Output IP3):+25 dBm,體現(xiàn)了其在處理多信號時的線性度。
- 1dB壓縮點輸出功率(P1dB):+17 dBm,保證了在一定功率下的線性放大。
- 增益(Gain):24 dB,為信號提供了足夠的放大倍數(shù)。
- 電源電壓(Supply Voltage):+5V,較為常見的電源規(guī)格,方便設(shè)計使用。
- 輸入/輸出匹配:50歐姆匹配,便于與其他50歐姆系統(tǒng)集成。
物理特性
芯片尺寸為3.2 x 1.42 x 0.1 mm,小巧的尺寸有利于在緊湊的電路設(shè)計中使用。
電氣規(guī)格
| 在環(huán)境溫度$T_{A}= +25^{circ}C$,$Vdd1 = Vdd2 = Vdd3 = 5V$,$Idd1 + Idd2 + Idd3 = 220mA$的條件下,其電氣規(guī)格如下表所示: | 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 頻率范圍 | 50 - 66 | GHz | |||
| 增益 | 19 | 24 | dB | ||
| 輸入回波損耗 | 15 | dB | |||
| 輸出回波損耗 | 15 | dB | |||
| 1dB壓縮點輸出功率(P1dB) | 17 | dBm | |||
| 輸出三階截點(IP3) | 25 | dBm | |||
| 飽和輸出功率(Psat) | 19 | dBm | |||
| 電源電流(Idd1 + Idd2 + Idd3) | 220 | mA |
這里需要注意的是,除非另有說明,所有測量均來自探針芯片。并且可以通過在 -1V至 +0.3V(典型值 -0.3V)之間調(diào)整$Vgg1 = Vgg2 = Vgg3$來實現(xiàn)總電源電流$Idd_{total}= 220mA$。
絕對最大額定值
| 為了確保器件的安全和可靠運行,我們需要了解其絕對最大額定值: | 項目 | 數(shù)值 |
|---|---|---|
| 正常5.0V電源到地 | +5.5 Vdc | |
| 柵極偏置電壓 | -1至 +0.3 Vdc | |
| RF輸入功率(Vdd = +5.0V) | 2dBm | |
| 存儲溫度 | -65℃至 +150°C | |
| 最大峰值回流溫度 | +180℃ |
可靠性信息
溫度相關(guān)參數(shù)
- 最大結(jié)溫:+180℃
- 正常結(jié)溫(環(huán)境溫度$T = +85°C$):+140.6°
- 熱阻(結(jié)到芯片底部):+50.6°/W
- 工作溫度范圍:-55℃至 +85℃
引腳描述
| 引腳編號 | 功能描述 | 接口說明 |
|---|---|---|
| 1 | RFIN,該引腳交流耦合并匹配到50歐姆 | |
| 2, 4, 6, 10, 12, 14 | 柵極控制,用于放大器。需遵循“MMIC放大器偏置程序”應(yīng)用筆記,并參考組裝圖獲取所需外部組件 | |
| 3, 5, 7, 9, 11, 13 | 電源電壓,為放大器供電。參考組裝圖獲取所需外部組件 | |
| 8 | RFOUT,該引腳交流耦合并匹配到50歐姆 | |
| OGND | 芯片底部接地,芯片底部必須連接到RF/DC接地 |
安裝與鍵合技術(shù)
毫米波GaAs MMIC安裝
芯片背面金屬化,可以使用AuSn共晶預(yù)成型件或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂進行芯片貼裝。安裝表面應(yīng)清潔平整。
- 共晶芯片貼裝:推薦使用80/20金錫預(yù)成型件,工作表面溫度為255°C,工具溫度為265°C。當施加90/10氮氣/氫氣熱氣體時,工具尖端溫度應(yīng)為290°C。注意不要讓芯片在超過320°C的溫度下暴露超過20秒,貼裝時擦洗時間不超過3秒。
- 環(huán)氧樹脂芯片貼裝:在安裝表面涂抹最少的環(huán)氧樹脂,使芯片放置到位后,其周邊能觀察到薄的環(huán)氧樹脂圓角。按照制造商的時間表固化環(huán)氧樹脂。
引線鍵合
- RF鍵合:推薦使用0.003” x 0.0005”的帶狀線進行RF鍵合,采用熱超聲鍵合,鍵合力為40 - 60克。
- DC鍵合:推薦使用直徑為0.001”(0.025 mm)的線進行DC鍵合,同樣采用熱超聲鍵合。球形鍵合的鍵合力為40 - 50克,楔形鍵合的鍵合力為18 - 22克。所有鍵合的標稱平臺溫度應(yīng)為150°C,并且應(yīng)施加最小的超聲能量以實現(xiàn)可靠鍵合。所有鍵合應(yīng)盡可能短,小于12密耳(0.31 mm)。
處理注意事項
存儲
所有裸芯片都放置在基于華夫或凝膠的靜電放電(ESD)保護容器中,然后密封在ESD保護袋中進行運輸。一旦密封的ESD保護袋打開,所有芯片應(yīng)存放在干燥的氮氣環(huán)境中。
清潔
在清潔的環(huán)境中處理芯片,不要嘗試使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
靜電敏感性
遵循ESD預(yù)防措施,防止ESD沖擊。
瞬態(tài)抑制
在施加偏置時,抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號和偏置電纜,以減少感應(yīng)拾取。
一般處理
使用真空吸筆或鋒利的彎鑷子沿芯片邊緣處理芯片。芯片表面可能有易碎的空氣橋,不要用真空吸筆、鑷子或手指觸摸芯片表面。
HMC - ABH241是一款性能出色的50 - 66 GHz GaAs HEMT MMIC中功率放大器,在高頻應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。但在設(shè)計和使用過程中,我們需要嚴格遵循其各項參數(shù)和處理要求,以確保其性能的穩(wěn)定和可靠。大家在實際應(yīng)用中遇到過哪些關(guān)于功率放大器的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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