1 引言

隨著人類對空間探索的深入，空間環(huán)境對空間飛行器的電子設(shè)備和器件的影響逐漸顯現(xiàn) 出來?？臻g輻射效應(yīng)，特別是單粒子效應(yīng)，對空間任務(wù)的完成具有潛在的巨大危害。星載計 算機(jī)是衛(wèi)星的核心部件，在空間輻照環(huán)境下，必須充分考慮單粒子翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象對星載計算機(jī)程 控功能的破壞或影響。針對該問題， 目前普遍采用糾錯檢錯(EDAC)設(shè)計對星載計算機(jī)的RAM 存儲單元進(jìn)行糾錯檢錯處理來消除SEU故障。

EDAC功能可采用硬件和軟件兩種手段來實現(xiàn)。采用軟件手段實現(xiàn)，需要在讀寫RAM存儲 單元時，對存儲數(shù)據(jù)和冗余信息進(jìn)行計算，因而要占用大量的CPU時間。對于星載計算機(jī)而 言，由于CPU器件選型的局限，限制了CPU的性能，使CPU資源非常寶貴，因此目前普遍采用 的是硬件手段來實現(xiàn)EDAC功能。隨著FPGA在通信信息特別是在航天領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，F(xiàn)PGA 已成為EDAC功能實現(xiàn)的最佳硬件手段。從目前可獲得的資料看，近些年歐美發(fā)射的衛(wèi)星均采 用了FPGA作為星載計算機(jī)的核心器件。

2 基于漢明碼的傳統(tǒng)EDAC設(shè)計

2.1漢明編碼

目前有許多編碼可以用來作為抗SEU的糾錯碼使用，漢明編碼是最常用的EDAC編碼，由 Hamming于1950年構(gòu)造。這種編碼可以進(jìn)行檢錯和糾錯，可以檢測1比特和2比特錯誤，只能 糾正1比特錯誤，因此適用于單組數(shù)據(jù)中出現(xiàn)多個錯誤位概率較低的情況，這恰與SEU經(jīng)常會 修改星上RAM存儲單元1比特信息的情況相符。

漢明編碼的實現(xiàn)增加的硬件資源主要是存儲器單元，用來存儲冗余數(shù)據(jù)，另外還增加了 編碼和解碼電路，參加編碼和解碼的異或門電路隨著原始數(shù)據(jù)位數(shù)的增加而線性增加。在處 理性能方面，編碼和解碼造成一定的延時，增加了存儲器的讀寫時間。

2.2傳統(tǒng)的EDAC電路設(shè)計

傳統(tǒng)的EDAC電路設(shè)計僅實現(xiàn)讀寫功能，基本原理框圖如圖1所示.寫操作時，CPU將數(shù)據(jù)送入EDAC編碼模塊中，EDAC編碼模塊根據(jù)該數(shù)據(jù)生成校驗碼，并將原始數(shù)據(jù)和校驗碼分別寫 入數(shù)據(jù)RAM和校驗RAM中;讀操作時，CPU將數(shù)據(jù)RAM和校驗RAM中的數(shù)據(jù)取出，送入EDAC糾錯模 塊中，EDAC糾錯模塊將正確的數(shù)據(jù)送至CPU。這里EDAC編碼\糾錯模塊的硬件實現(xiàn)可以是專用 芯片，也可以采用通用的中小規(guī)模集成電路搭建。

SEU造成的RAM單元1比特錯誤如果不定時清除，就會產(chǎn)生累積，使計算機(jī)由此處理的結(jié) 果產(chǎn)生出2比特甚至更多比特錯誤，這種情況下將無法采用EDAC功能進(jìn)行數(shù)據(jù)糾錯，導(dǎo)致系 統(tǒng)錯誤操作甚至任務(wù)失敗。因此定時對RAM存儲單元進(jìn)行更新是必要的，但在傳統(tǒng)EDAC電路 設(shè)計下，對RAM存儲單元的更新只能由計算機(jī)的CPU（單片機(jī)）進(jìn)行，其操作流程如下：

（1） 從存儲單元讀出數(shù)據(jù)；

（2） 將讀出數(shù)據(jù)重寫入；

（3） 重復(fù)（1）～（2），直至全部單元更新完。

以航天計算機(jī)常用的80C32單片機(jī)為例，CPU對外部存儲單元的讀或?qū)懖僮餍枰?個指令 周期，讀完再寫入需要4個指令周期，每個指令周期包含12個時鐘。假設(shè)CPU時鐘為20MHz， 更新1M個RAM存儲單元需要的CPU時間為：4×12×1M 20MHz = 2.4s。

對于星上非常緊張的CPU資源來說，這是難以接受的，大大增加了星上CPU軟件的設(shè)計難 度。這種方法的另一個大的缺點是無法獲得數(shù)據(jù)錯誤信息，因為CPU直接讀取的是糾錯后的 數(shù)據(jù)，所以無法對星上SEU造成RAM單元出錯的概率和錯誤模式進(jìn)行統(tǒng)計。

3 基于FPGA的自檢EDAC設(shè)計

3.1 功能分析

由于FPGA的內(nèi)部大量的邏輯資源，使EDAC電路設(shè)計可以實現(xiàn)更加復(fù)雜的功能。在星載計 算機(jī)中，為了提高效率并節(jié)省CPU資源，一個理想的EDAC電路設(shè)計，應(yīng)具有以下三部分功能：

（1）數(shù)據(jù)讀寫功能。在CPU寫操作時，對原始數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，生成校驗碼，并將原始數(shù) 據(jù)和校驗碼存儲；在CPU讀操作時，從存儲器中取出原始數(shù)據(jù)和校驗碼，進(jìn)行計算，如有錯 誤，將錯誤糾正后輸出，如無錯誤，直接將原始數(shù)據(jù)輸出。

（2）自檢、自糾錯功能。在CPU控制要求下，可自動對所有EDAC保護(hù)的RAM存儲區(qū)進(jìn)行 順序讀取和校驗，檢測出錯誤數(shù)據(jù)或校驗碼。在自檢狀態(tài)下，如果由CPU配置為自糾錯狀態(tài)， 當(dāng)某一RAM單元檢測出單比特錯誤后，自動將正確數(shù)據(jù)和校驗碼重新寫入該RAM單元。該項功 能的實施，基本上可保證SEU對計算機(jī)RAM區(qū)造成的影響及時得到修復(fù)。

（3）錯誤信息處理功能。在CPU讀操作或者自檢狀態(tài)下，通過輸出錯誤標(biāo)志信號，對CPU 產(chǎn)生中斷，對產(chǎn)生的錯誤進(jìn)行相應(yīng)處理。在CPU讀操作或者自檢狀態(tài)下，如果檢測出錯誤， 將出錯的地址、原始數(shù)據(jù)和校驗碼進(jìn)行暫存，可由CPU讀取，進(jìn)行相應(yīng)處理。

3.2 設(shè)計與實現(xiàn)

根據(jù)以上分析，筆者設(shè)計了如圖2所示的自檢EDAC電路，EDAC的功能主要由FPGA來實現(xiàn)。 到目前為止，具有航天等級的FPGA芯片已經(jīng)具有內(nèi)置的CPU硬核以及高達(dá)2.5Mbit的RAM資源， 因此該設(shè)計中的CPU和RAM模塊均可以是FPGA內(nèi)部資源，當(dāng)內(nèi)部資源無法滿足設(shè)計要求時，也 可以采用外置CPU芯片或外置RAM芯片。

在本設(shè)計中，我們采用外置的CPU芯片和內(nèi)置的RAM單元，作為自檢EDAC電路的硬件平臺 （或環(huán)境、資源）。CPU芯片在這里起到的作用是啟動EDAC自檢，處理錯誤中斷，向地面?zhèn)?送錯誤信息，并根據(jù)地面要求對錯誤信息進(jìn)行處理。

在該設(shè)計中，檢測一個存儲單元地址僅需要4個時鐘周期，如果開啟自糾錯功能，并且 檢測到單比特錯誤，再增加2個時鐘周期用來糾錯。因此如果時鐘為20MHz，并且錯誤數(shù)據(jù)較 少，則更新1M個RAM存儲單元需要的時間約為：4×1M 20MHz = 0.2s。

更重要的是，在這0.2s的時間里，僅在出現(xiàn)錯誤時需要向計算機(jī)產(chǎn)生中斷，進(jìn)行相應(yīng)處 理，對地面進(jìn)行錯誤報告，因而CPU處理時間很短，節(jié)省了寶貴的CPU資源。

3.3 仿真與驗證

在空間環(huán)境下普遍存在的SEU，在地面環(huán)境下是很難獲得的，為了在地面對該EDAC電路 設(shè)計進(jìn)行驗證，需要采取故障注入手段。由于在本例中RAM存儲單元采用FPGA內(nèi)部資源，因 此故障注入變得相對簡單。在FPGA進(jìn)行程序綜合時，可將預(yù)先編制好的RAM存儲單元初始化 文件一起綜合。因此我們可在編制RAM存儲單元初始化文件時，對某些比特位進(jìn)行修改，以 模擬空間環(huán)境下SEU對RAM存儲單元的影響。

在這里采用Xilinx公司的XQRV300為硬件載體，該型號FPGA芯片在航天領(lǐng)域內(nèi)被廣泛使 用。為節(jié)省仿真時間，數(shù)據(jù)RAM存儲單元采用256*8bit,檢驗RAM存儲單元采用25*bit。在 RAM存儲單元初始化文件中，人工加入了12個單比特錯誤，以及1個兩比特錯誤，如下表所示。

為仿真簡便起見，向存儲單元存放的正確數(shù)據(jù)與存儲單元地址相同。

時鐘選擇為20MHz，通過采用ModelSim軟件進(jìn)行布線后仿真，我們可以得到圖3所示結(jié)果。

圖中： Clk — 系統(tǒng)時鐘；

En — EDAC 模塊使能控制；

Check — 自檢啟動/使能信號（信號上升沿觸發(fā)一次巡檢，信號為低暫停巡檢）；

Rw_En — 自糾錯使能信號（為高允許糾錯）；

Err — 錯誤中斷（標(biāo)志）信號；

Rw — 自糾錯標(biāo)志信號（為高表示正在進(jìn)行自糾錯操作）；

MErr — 多比特錯誤中斷（標(biāo)志）信號；

Checking — 自檢標(biāo)志（為高表示尚未完成本次巡檢操作）；

Err_Sum,Err_A,Err_D,Err_C — 錯誤計數(shù),錯誤地址，原始數(shù)據(jù)，原始校驗碼；

D,A,Wr,Rd — 單片機(jī)數(shù)據(jù)、地址、寫操作、讀操作信號；

從圖中可以看出，啟動EDAC自檢后，EDAC開始巡檢RAM存儲單元，產(chǎn)生錯誤中斷（標(biāo)志） 信號，給出錯誤信息。當(dāng)單片機(jī)需要處理中斷時，將Check信號置‘0’，可暫時停止巡檢， 此時單片機(jī)可對RAM存儲單元進(jìn)行正常讀寫操作。等中斷處理完后，單片機(jī)將Check信號置 ‘1’，恢復(fù)RAM巡檢操作。

另外可通過Rw_En的置‘0’或‘1’，來控制禁止或允許進(jìn)行自糾錯操作。

當(dāng)出現(xiàn)可識別的多位錯誤時，產(chǎn)生Err和MErr兩個錯誤中斷（標(biāo)志）信號，但由于漢明碼僅能糾正單比特錯誤，因此不進(jìn)行自糾錯操作。

從原注入錯誤數(shù)據(jù)對應(yīng)的地址讀出數(shù)據(jù)，仿真輸出結(jié)果如圖4所示。

可以看出除最后一個地址（FFH）由于兩位錯仍輸出錯誤外，其他地址輸出數(shù)據(jù)均與地址相同，即為正確數(shù)據(jù)。

其中，24H、3CH、60H三個地址雖然輸出正確數(shù)據(jù)，但仍報錯，表明存儲器內(nèi)數(shù)據(jù)仍然 為錯誤數(shù)據(jù)，在輸出時進(jìn)行了糾錯。這是由于在上次巡檢到這部分地址空間時，通過把Rw_En 信號拉低，從而禁止了自動糾錯，導(dǎo)致這三個地址錯誤數(shù)據(jù)未被糾正。而在對其他地址進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀取時，未產(chǎn)生錯誤標(biāo)志，證明其他錯誤數(shù)據(jù)已被糾錯。

4 結(jié)論

本文在采用FPGA芯片實現(xiàn)基本EDAC讀寫功能的設(shè)計思路基礎(chǔ)上，創(chuàng)建了一種新型的可對 RAM存儲單元進(jìn)行自檢的EDAC功能模塊。該模塊不但可以對RAM存儲單元進(jìn)行快速巡檢，巡檢 時間僅為傳統(tǒng)EDAC方法的十二分之一，還可以自動糾正已發(fā)現(xiàn)的錯誤。該模塊最大的優(yōu)點在 于節(jié)省了單片機(jī)資源，幾乎不需要單片機(jī)的參與即可完成所有自檢功能，從而使基于FPGA 的星載計算機(jī)對SEU事件防護(hù)能力得到較大的提升。本文中該模塊采用Verilog硬件描述語言 編程，具有可移植性，這種設(shè)計方法可用于各種體系結(jié)構(gòu)的星載計算機(jī)中。