chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

雙極晶體管的靜態(tài)工作特性

電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2018-09-04 08:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

雙極晶體管的靜態(tài)工作特性是指它在特定接法中的輸入特性,輸出特性和電流增益特性。
一個(gè)晶體管共基極,共發(fā)射極和共繼點(diǎn)擊三種接法,因而有三組工作熱性曲線來(lái)完整地描述其工作性能,由于晶體管的工作特性是其內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn),起作用的因素很多,因而分散性較大,即便是型號(hào)相同的管子也會(huì)有較大差別。下面對(duì)三種工作特性進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明(曲線僅供參考,在實(shí)際的應(yīng)用中還需要進(jìn)行測(cè)量)
1.共基極特性
PNP晶體管的一組典型共基極特性曲線和測(cè)試電路圖

對(duì)共基極、共發(fā)射極和共集電極進(jìn)行特性曲線和測(cè)試電路的分析


這里輸出特性是指以集電結(jié)電壓UCB=0時(shí),該特性即是發(fā)射結(jié)的正向伏安特性,UCB等于等值的時(shí)候,由于集電結(jié)空間電荷區(qū)的展寬使中性基區(qū)變窄,因而相同UEB對(duì)應(yīng)的IE值升高,即輸入特性曲線隨著參量的升高向左移動(dòng)。
輸出特性是指集電極為為參變量的IC-UBC的關(guān)系。當(dāng)IE=0時(shí),該特性就是集電極結(jié)的反向伏安特性。在集電結(jié)上有不超過(guò)其偏移電壓值(對(duì)硅管為0.7V左右)的正偏壓時(shí),若IE≠0,則IC≠0,這就是集電內(nèi)建電廠抽取正偏發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少數(shù)載流子造成的,因而在注入未停之時(shí),只有用外加正偏壓抵消內(nèi)建電廠才能使用IC=0。電流增益特性又叫正向轉(zhuǎn)移特性,是以UCB為參量的IC-IE關(guān)系。該特性既可直接測(cè)出亦可以從輸出特性推算。
2.共發(fā)射極特性
舉例PNP晶體管共發(fā)射極特性曲線和測(cè)試電路:

對(duì)共基極、共發(fā)射極和共集電極進(jìn)行特性曲線和測(cè)試電路的分析


電路中,輸入特性是指以整個(gè)晶體管上的壓降,即集電極發(fā)射極電壓UCE為參變量時(shí),基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓UBE的關(guān)系。當(dāng)UCE=0時(shí),該特性相當(dāng)于組成晶體管的兩個(gè)PN結(jié)并聯(lián)起來(lái)的正向伏安特性。由于IB僅是通過(guò)正偏發(fā)射結(jié)的電流的一部分。因此當(dāng)UCE升高,歲IC部分變大,IB會(huì)減小,就是輸入特性曲線隨UCE升高而向右移。但是當(dāng)UCE>1V左右之后,反偏集電結(jié)的分壓比越來(lái)越大,由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少數(shù)載流子絕大部分被集電結(jié)抽走,IC的增量很小,曲線大體重合。
輸出特性是指以IB為參變量的IC-UCE關(guān)系,由于UCE是兩個(gè)PN結(jié)上的電壓之和,IC的大小在很大程度上決定于UCE在兩個(gè)結(jié)上的分配情況。當(dāng)UCE較小時(shí),例如小于1V時(shí),如果UBE也很小,則UCE的作用將首先是提高發(fā)射結(jié)的正偏壓,使IE隨著UCE的提高而迅速增加。如果UBE已足夠大,則UCE的作用將首先是抵消UBE對(duì)集電結(jié)的正向偏置。在其中建立起能從基區(qū)抽取少數(shù)載流子的反向電場(chǎng),UCE的增加能明顯改善集電極的收集能力。但是在發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的都已進(jìn)入正常工作狀態(tài)之后,UCE將主要降落在集電結(jié)上,電流增益特性是以UCE為參變量的IC-IB關(guān)系,可以直接測(cè)量,也可以根據(jù)輸出特性推算。
3.共集電極特性

(PNP晶體管的共集電極特性測(cè)試電路及輸入特性曲線)

對(duì)共基極、共發(fā)射極和共集電極進(jìn)行特性曲線和測(cè)試電路的分析


以集電極作為晶體管的兩個(gè)偏置電路的公共端的的接法叫共集電極接法,相應(yīng)的晶體管工作特性叫共集電極特性。其輸出特性和電流增益特性與共發(fā)射極接法中的這兩大特性非常相近,因?yàn)橐粋€(gè)晶體管IE和IC近似相等。而共集電極輸出特性是指IB為參變量的IE-UCE關(guān)系,增益特性是以UCE為參變量的IE-IB關(guān)系。但是共集電極接法中的輸入特性與共集電極接法和共發(fā)射接法的輸入都不相同。這里輸入特性定義以UCE為參變量的IB-UCB關(guān)系。由UCE=UCE-UBE,由此式克制,輸入電壓UCB升高會(huì)引起UBE下降,因此IB下降且幅度很大,當(dāng)UBE下降到發(fā)射結(jié)的偏移電壓值時(shí),IB因IE接近于零而歸零。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    7194

    瀏覽量

    140379
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5757

    瀏覽量

    121011
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10272

    瀏覽量

    146338
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索 onsemi NST1602CL 雙極晶體管:高性能與可靠性的完美結(jié)合

    在電子工程師的世界里,選擇合適的晶體管對(duì)于電路設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管,這款器件以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為眾多設(shè)計(jì)中的理想之選。
    的頭像 發(fā)表于 12-08 16:20 ?328次閱讀
    探索 onsemi NST1602CL <b class='flag-5'>雙極晶體管</b>:高性能與可靠性的完美結(jié)合

    深入解析 onsemi BCP56M 通用晶體管特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件,其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的表現(xiàn)。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管,看看它在實(shí)際應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 11-26 14:28 ?197次閱讀
    深入解析 onsemi BCP56M 通用<b class='flag-5'>晶體管</b>:<b class='flag-5'>特性</b>、參數(shù)與應(yīng)用考量

    NSVT5551M雙極晶體管技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南

    安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片,存放溫度范圍為-55°C至
    的頭像 發(fā)表于 11-25 10:50 ?228次閱讀
    NSVT5551M<b class='flag-5'>雙極晶體管</b>技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另一側(cè)是一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?640次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的<b class='flag-5'>工作</b>原理

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947年由?貝爾實(shí)驗(yàn)室?的肖克利(Shockl
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?3496次閱讀

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(上) 【日 鈴木雅臣】

    晶體管和FET的工作原理,觀察放大電路的波形,放大電路的設(shè)計(jì),放大電路的性能,共發(fā)射極應(yīng)用,觀察射極跟隨器的波形,增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì),射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路,小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
    發(fā)表于 04-14 16:07

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    晶體管電路設(shè)計(jì)(上)[日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹了晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強(qiáng)輸出的電路,小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作,渥爾曼電路的設(shè)計(jì),負(fù)反
    發(fā)表于 03-07 13:46

    氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

    。 ? 目的 ?:本手冊(cè)詳細(xì)闡述了氮化鎵(GaN)晶體管并聯(lián)設(shè)計(jì)的具體細(xì)節(jié),旨在幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?:有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:26 ?1010次閱讀

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容
    發(fā)表于 02-26 19:55

    MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-14 16:19 ?0次下載
    MJD31CA NPN高功率<b class='flag-5'>雙極晶體管</b>規(guī)格書(shū)

    BJT晶體管工作原理

    BJT(Bipolar Junction Transistor)是雙極結(jié)型晶體管的縮寫(xiě),是一種三端有源器件,通過(guò)控制基區(qū)電流來(lái)控制集電區(qū)電流,從而實(shí)現(xiàn)電流的放大、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)等功能。BJT的工作
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:11 ?5364次閱讀