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納米壓印的光柵圖形形貌3D測量-3D白光干涉儀應(yīng)用

jf_14507239 ? 來源:jf_14507239 ? 作者:jf_14507239 ? 2026-01-22 17:06 ? 次閱讀
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1 引言

納米壓印技術(shù)因低成本、高 throughput、高分辨率的優(yōu)勢,成為微納光柵制備的核心工藝,廣泛應(yīng)用于光學顯示、光通信、太陽能電池等領(lǐng)域。光柵圖形的線寬、周期、深度、側(cè)壁傾角及表面粗糙度等形貌參數(shù),直接決定其光學衍射效率、偏振特性等核心性能,需實現(xiàn)納米級精度的全面表征。3D白光干涉儀憑借非接觸測量、納米級分辨率及全域三維形貌重建能力,可精準捕捉光柵微觀形貌特征,為納米壓印光柵的工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控提供可靠技術(shù)支撐。本文重點探討3D白光干涉儀在納米壓印光柵圖形形貌測量中的應(yīng)用。

2 3D白光干涉儀測量原理

3D白光干涉儀以寬光譜白光為光源,經(jīng)分束器分為參考光與物光兩路。參考光射向固定參考鏡反射,物光照射至待測納米壓印光柵表面后反射,兩束反射光匯交產(chǎn)生干涉條紋。由于白光相干長度極短(僅數(shù)微米),僅在光程差接近零時形成清晰干涉條紋。通過壓電驅(qū)動裝置帶動參考鏡精密掃描,探測器同步記錄干涉條紋強度變化,形成干涉信號包絡(luò)曲線,曲線峰值位置對應(yīng)光柵表面高度坐標。結(jié)合像素級高度計算與二維圖像拼接技術(shù),可快速重建光柵區(qū)域三維輪廓,實現(xiàn)對線寬、周期、深度、側(cè)壁傾角等關(guān)鍵形貌參數(shù)的精準測量,垂直分辨率可達亞納米級,適配光柵微觀形貌的檢測需求。

3 3D白光干涉儀在納米壓印光柵測量中的應(yīng)用

3.1 關(guān)鍵形貌參數(shù)測量

納米壓印光柵的核心形貌參數(shù)包括周期、線寬、深度及側(cè)壁傾角,3D白光干涉儀可實現(xiàn)全參數(shù)精準量化。對于周期500 nm、線寬250 nm的矩形光柵,通過三維輪廓重建可直接讀取相鄰光柵脊峰間距,獲得周期測量精度±1 nm;基于高度閾值法劃分光柵脊與槽區(qū)域,精準計算線寬尺寸,誤差控制在5 nm以內(nèi)。針對深寬比2:1的高深寬光柵,其深度測量不受側(cè)壁遮擋影響,通過槽底與脊峰的高度差計算,測量誤差≤3 nm;借助輪廓擬合算法可提取側(cè)壁輪廓曲線,計算側(cè)壁傾角,精度可達±0.5°,有效反映壓印工藝的模板復刻精度。

3.2 表面缺陷與均勻性檢測

納米壓印過程中易產(chǎn)生光柵脊頂塌陷、槽底殘留、邊緣毛刺等缺陷,且大面積光柵易存在形貌均勻性差異,這些均會顯著影響光學性能。3D白光干涉儀的全域掃描能力可實現(xiàn)大面積光柵的形貌成像,通過表面粗糙度分析模塊,可量化光柵脊頂與槽底的粗糙度(Ra),當Ra超過10 nm時,會導致衍射效率下降,需反饋調(diào)整壓印壓力與溫度參數(shù)。同時,其可快速識別局部缺陷位置與尺寸,如檢測到脊頂塌陷深度超過50 nm、邊緣毛刺高度超過30 nm時,判定為不合格產(chǎn)品;通過不同區(qū)域的參數(shù)對比,可評估光柵形貌均勻性,為壓印模板優(yōu)化與工藝穩(wěn)定性控制提供數(shù)據(jù)支撐。

4 測量優(yōu)勢與應(yīng)用價值

相較于原子力顯微鏡(AFM)的點掃描模式,3D白光干涉儀具備更快的掃描速度(單次全域掃描時間≤5 s),可實現(xiàn)大面積光柵的高效檢測;相較于掃描電子顯微鏡(SEM)的破壞性與二維表征局限,其非接觸測量模式可避免損傷光柵表面,且能提供完整的三維形貌信息。通過為納米壓印光柵的制備工藝提供精準、全面的形貌量化數(shù)據(jù),3D白光干涉儀可助力構(gòu)建工藝參數(shù)優(yōu)化閉環(huán),提升光柵制備良率與性能穩(wěn)定性,推動納米壓印技術(shù)在光學領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

大視野 3D 白光干涉儀:納米級測量全域解決方案?

突破傳統(tǒng)局限,定義測量新范式!大視野 3D 白光干涉儀憑借創(chuàng)新技術(shù),一機解鎖納米級全場景測量,重新詮釋精密測量的高效精密。

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三大核心技術(shù)革新?

1)智能操作革命:告別傳統(tǒng)白光干涉儀復雜操作流程,一鍵智能聚焦掃描功能,輕松實現(xiàn)亞納米精度測量,且重復性表現(xiàn)卓越,讓精密測量觸手可及。?

2)超大視野 + 超高精度:搭載 0.6 倍鏡頭,擁有 15mm 單幅超大視野,結(jié)合 0.1nm 級測量精度,既能滿足納米級微觀結(jié)構(gòu)的精細檢測,又能無縫完成 8 寸晶圓 FULL MAPPING 掃描,實現(xiàn)大視野與高精度的完美融合。?

3)動態(tài)測量新維度:可集成多普勒激光測振系統(tǒng),打破靜態(tài)測量邊界,實現(xiàn) “動態(tài)” 3D 輪廓測量,為復雜工況下的測量需求提供全新解決方案。?

實測驗證硬核實力?

1)硅片表面粗糙度檢測:憑借優(yōu)于 1nm 的超高分辨率,精準捕捉硅片表面微觀起伏,實測粗糙度 Ra 值低至 0.7nm,為半導體制造品質(zhì)把控提供可靠數(shù)據(jù)支撐。?

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(以上數(shù)據(jù)為新啟航實測結(jié)果)

有機油膜厚度掃描:毫米級超大視野,輕松覆蓋 5nm 級有機油膜,實現(xiàn)全區(qū)域高精度厚度檢測,助力潤滑材料研發(fā)與質(zhì)量檢測。?

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高深寬比結(jié)構(gòu)測量:面對深蝕刻工藝形成的深槽結(jié)構(gòu),展現(xiàn)強大測量能力,精準獲取槽深、槽寬數(shù)據(jù),解決行業(yè)測量難題。?

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分層膜厚無損檢測:采用非接觸、非破壞測量方式,對多層薄膜進行 3D 形貌重構(gòu),精準分析各層膜厚分布,為薄膜材料研究提供無損檢測新方案。?

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新啟航半導體,專業(yè)提供綜合光學3D測量解決方案!

審核編輯 黃宇

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