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不同阻抗電壓探頭對電壓放電的影響及選型指南

PRBTEK ? 來源:PRBTEK ? 作者:PRBTEK ? 2026-01-26 09:37 ? 次閱讀
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把電壓探頭接入電路后,其實(shí)就相當(dāng)于在被測元件兩端并聯(lián)了一個(gè)電阻,它的阻抗大小會(huì)直接影響放電回路的總電阻。電壓放電其實(shí)就是電容、絕緣介質(zhì)這類儲能元件通過回路釋放電荷的過程,而回路總電阻是由被測元件內(nèi)阻、傳輸線電阻和探頭輸入電阻共同組成的。

按照RC放電原理,回路總電阻R會(huì)決定放電時(shí)間常數(shù)τ(τ=RC),而探頭阻抗作為R的關(guān)鍵組成部分,數(shù)值不一樣,放電速度自然也會(huì)不同。這里要提一句,探頭輸入阻抗主要以電阻分量為主,電容分量通常能通過校準(zhǔn)忽略掉,不用額外考慮它對放電的干擾。

圖片1.png

1.1MΩ探頭:強(qiáng)負(fù)載效應(yīng)主導(dǎo)的快速放電特性

1MΩ探頭的輸入阻抗偏低,一接入電路就會(huì)明顯拉低放電回路的總電阻,形成強(qiáng)負(fù)載效應(yīng),對電壓放電的影響主要體現(xiàn)在三個(gè)方面:加速放電、測量失真以及適用場景有限。

1MΩ探頭加速放電的效果特別直觀。拿1μF/100V的電容舉例,要是電容自身內(nèi)阻是10MΩ,單靠自身內(nèi)阻放電的話,電壓降到初始值的10%得花23秒左右。而接入1MΩ探頭后,等效并聯(lián)電阻會(huì)降到約909kΩ,放電時(shí)間常數(shù)大幅縮小,達(dá)到同樣電壓衰減目標(biāo)只需要2.1秒,放電速度直接提升了10倍以上。這其實(shí)就是低阻抗探頭的分流作用導(dǎo)致的,相當(dāng)于直接“搶”走了被測元件的放電電荷,讓電壓下降得更快。

強(qiáng)負(fù)載效應(yīng)還會(huì)帶來測量失真的問題。尤其是在高壓放電測試中,1MΩ探頭的過度分流會(huì)讓測出的峰值電壓比實(shí)際值低,放電曲線的衰減斜率也會(huì)更陡,根本沒法反映元件真實(shí)的放電情況。要是遇到高內(nèi)阻的被測電路,探頭阻抗和電路內(nèi)阻差不多,分流效應(yīng)會(huì)更明顯,測量誤差甚至能超過30%。

從適用場景來說,1MΩ探頭勝在成本低、抗干擾能力強(qiáng),更適合低內(nèi)阻、大電流的粗放型放電測試,比如電源模塊、功率器件的放電測試。這類場景下,電路自身電流大、內(nèi)阻低,探頭分流對整體放電過程影響不大,而且快速放電的特點(diǎn)也剛好符合測試需求。但如果是高內(nèi)阻、小電流的精密放電測試,比如絕緣材料泄漏放電、微小電容放電,1MΩ探頭的強(qiáng)負(fù)載效應(yīng)會(huì)直接破壞放電過程,導(dǎo)致測試白費(fèi)功夫。

2.100MΩ探頭:高阻抗加持下的精準(zhǔn)放電還原

100MΩ探頭憑著高輸入阻抗的優(yōu)勢,分流效應(yīng)特別弱,接入電路后更像是“默默觀察”的狀態(tài),不會(huì)過多干預(yù),核心優(yōu)勢就是能精準(zhǔn)還原放電過程、減少失真,而且適用場景也更廣泛。

在還原真實(shí)放電特性這一點(diǎn)上,100MΩ探頭的表現(xiàn)很出色。多數(shù)被測電路的內(nèi)阻都在1kΩ~10MΩ之間,100MΩ探頭并聯(lián)上去后,對回路總電阻的影響幾乎可以忽略不計(jì)。還是以10MΩ內(nèi)阻的1μF/100V電容為例,接入后等效并聯(lián)電阻約9.09MΩ,和原內(nèi)阻的差異還不到10%,放電至10%初始電壓的時(shí)間大概是22.8秒,和沒有接探頭時(shí)的23秒幾乎沒差別,測量誤差能控制在1%以內(nèi)。

低失真的特性讓它能精準(zhǔn)捕捉到微弱的放電信號。在高壓精密測試中,它能準(zhǔn)確還原放電初始峰值、平臺期電壓以及緩慢衰減的過程,哪怕是毫米級的電壓波動(dòng)細(xì)節(jié)也能抓得到,特別適合絕緣介質(zhì)局部放電、半導(dǎo)體器件雪崩擊穿放電這類微弱信號的測量。同時(shí),高阻抗探頭的寄生電容更小,通常只有幾個(gè)皮法,在高頻放電測試中,能減少容性負(fù)載對波形的干擾,既保證了寬頻響應(yīng),又能兼顧測量精度。

不過要注意,100MΩ探頭對靜電、電磁輻射這類環(huán)境干擾更敏感,使用時(shí)得搭配屏蔽線,而且價(jià)格也比1MΩ探頭高一些。它的核心適用場景集中在高內(nèi)阻、小電流的精密測試,比如電子元器件的絕緣放電檢測、新能源電池漏電流放電測試、精密儀器電源放電特性分析等。

3.兩種探頭核心差異對比與選型技巧

對比維度1MΩ電壓探頭100MΩ電壓探頭
回路總電阻影響顯著降低,放電加速影響極小,接近原值
放電時(shí)間常數(shù)偏差大于20%小于5%
測量誤差高(10%~30%)低(<5%)
負(fù)載效應(yīng)強(qiáng)
適用場景低內(nèi)阻、大電流放電(如電源模塊、功率器件)高內(nèi)阻、小電流精密放電(如絕緣測試、微小電容、微弱信號)
抗干擾能力強(qiáng)弱(需屏蔽)
成本

選型的核心就是“阻抗匹配”,沒必要盲目追求高阻抗。如果被測電路內(nèi)阻R? ≤ 1MΩ,選1MΩ探頭就夠了,性價(jià)比高,抗干擾能力也更有優(yōu)勢;要是R? > 1MΩ,那必須選100MΩ探頭,不然負(fù)載效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致測量結(jié)果失真。

另外,在高壓放電測試(電壓>1kV)時(shí),除了要做好阻抗匹配,還得關(guān)注探頭的耐壓等級,確保它的絕緣性能能適配被測電壓,避免探頭被擊穿損壞。

實(shí)際測試時(shí),結(jié)合被測電路的內(nèi)阻、放電電流大小和測量精度要求,選對探頭阻抗,再做好屏蔽、耐壓匹配這些細(xì)節(jié),就能精準(zhǔn)觀測和分析放電過程,讓測試結(jié)果更可靠。

審核編輯 黃宇

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