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TAS5828M:高性能數(shù)字音頻放大器的深度解析與應(yīng)用指南

lhl545545 ? 2026-01-29 09:30 ? 次閱讀
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TAS5828M:高性能數(shù)字音頻放大器的深度解析與應(yīng)用指南

在當(dāng)今數(shù)字化音頻的時(shí)代,音頻放大器的性能和功能至關(guān)重要。TAS5828M作為一款50W立體聲、數(shù)字輸入、高效閉環(huán)D類(lèi)放大器,憑借其先進(jìn)的技術(shù)和豐富的特性,在音頻市場(chǎng)中占據(jù)了重要的地位。本文將深入剖析TAS5828M的特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景、詳細(xì)功能以及設(shè)計(jì)要點(diǎn),為電子工程師們提供全面的參考。

文件下載:tas5828m.pdf

一、TAS5828M的卓越特性

1. 靈活的音頻輸入輸出

TAS5828M支持多種采樣率,包括32kHz、44.1kHz、48kHz、88.2kHz、96kHz和192kHz,能夠適應(yīng)不同的音頻源。其音頻接口豐富,涵蓋I2S、LJ、RJ、TDM和SDOUT,可用于音頻監(jiān)控、子通道或回聲消除。此外,它還支持3線數(shù)字音頻接口,無(wú)需MCLK,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

2. 高效的D類(lèi)調(diào)制

該放大器采用高效D類(lèi)調(diào)制技術(shù),功率效率超過(guò)90%,(R_{DS} on)僅為90mΩ,能夠有效降低功耗,提高能源利用率。

3. 多樣的輸出配置

TAS5828M提供多種輸出配置選項(xiàng),如2 x 50W的2.0模式(4Ω,23V,(THD+N=1 %))、2 x 40W的2.0模式(6Ω,24V,(THD+N=1 %))、1 x 100W的1.0模式(2Ω,23V,(THD+N=1 %))和1 x 80W的1.0模式(3Ω,24V,(THD+N=1 %)),滿足不同的功率需求。

4. 出色的音頻性能

在1W、1kHz、(PVDD = 12V)的條件下,(THD+N ≤0.03 %),SNR ≥ 110dB(A - 加權(quán)),(ICN ≤40 mu VRMS),確保了高質(zhì)量的音頻輸出。

5. 豐富的處理特性

每個(gè)通道配備12個(gè)BQs和電平表,支持3 - 波段高級(jí)DRC、2個(gè)BQs、AGL和2個(gè)BQs(在48kHz處理器采樣模式下),還具備48kHz、96kHz、192kHz處理器采樣,以及混音器、音量控制、動(dòng)態(tài)EQ和輸出交叉開(kāi)關(guān)等功能。同時(shí),它還支持PVDD感應(yīng)和Hybrid - Pro算法音頻信號(hào)跟蹤。

6. 靈活的電源配置

PVDD電源范圍為4.5V至26.4V,DVDD和I/O電源為1.8V或3.3V,適應(yīng)不同的電源環(huán)境。

7. 完善的自我保護(hù)機(jī)制

具備過(guò)流錯(cuò)誤(OCE)、逐周期電流限制、過(guò)溫警告(OTW)、過(guò)溫錯(cuò)誤(OTE)、欠壓和過(guò)壓鎖定(UVLO/OVLO)以及PVDD電壓降檢測(cè)等保護(hù)功能,提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

8. 易于系統(tǒng)集成

支持I2C軟件或硬件控制模式,與開(kāi)環(huán)設(shè)備相比,所需的無(wú)源元件更少,降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

二、廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景

TAS5828M適用于多種音頻設(shè)備,如電池供電的揚(yáng)聲器、無(wú)線藍(lán)牙揚(yáng)聲器、條形音箱和低音炮,以及對(duì)熱量或效率敏感的音頻系統(tǒng)。其高性能和靈活性使其能夠滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

三、詳細(xì)功能解析

1. 整體架構(gòu)

TAS5828M集成了立體聲數(shù)字到PWM調(diào)制器、音頻DSP子系統(tǒng)、靈活的閉環(huán)放大器和I2C控制端口四個(gè)主要模塊,僅需兩個(gè)電源(DVDD和PVDD)即可正常工作。內(nèi)部的LDO將PVDD轉(zhuǎn)換為5V的GVDD和AVDD以及1.5V的DVDD。

2. 電源供應(yīng)

系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,TAS5828M除了需要典型的12V或24V功率級(jí)電源外,還需要3.3V或1.8V的電源。內(nèi)部的兩個(gè)電壓調(diào)節(jié)器為柵極驅(qū)動(dòng)電路和內(nèi)部電路提供電壓,外部引腳僅用于連接片外旁路電容以過(guò)濾電源。同時(shí),內(nèi)置的自舉電路為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)提供浮動(dòng)電壓,每個(gè)半橋都有獨(dú)立的自舉引腳。

3. 設(shè)備時(shí)鐘

TAS5828M的時(shí)鐘系統(tǒng)靈活,內(nèi)部時(shí)鐘大多與串行音頻接口相關(guān)。通過(guò)內(nèi)部PLL,它可以從SCLK生成DSP和DAC所需的更高頻率時(shí)鐘。此外,它還具備音頻采樣率檢測(cè)電路,能自動(dòng)檢測(cè)采樣頻率,并在時(shí)鐘停止和恢復(fù)時(shí)自動(dòng)切換狀態(tài)。

4. 串行音頻端口

端口為3線串行端口,包括LRCLK/FS、SCLK和SDIN。支持多種音頻數(shù)據(jù)格式和位深度,如I2S、左對(duì)齊、右對(duì)齊和TDM/DSP數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)格式和字長(zhǎng)可通過(guò)寄存器選擇,默認(rèn)設(shè)置為I2S和24位字長(zhǎng)。

5. 數(shù)字音頻處理

TAS5828M的數(shù)字音頻處理包括基本音頻調(diào)整模塊、Hybrid - Pro算法和高級(jí)功能。在<192kHz處理器采樣率下,基本模塊包括SRC、立體聲通道輸入混音器、每個(gè)通道12至16個(gè)BQs、無(wú)爆音音量控制、多波段DRC和AGL;在192kHz采樣率下,主要支持Hybrid - Pro算法和SRC。Hybrid - Pro算法可與Hybrid調(diào)制結(jié)合,通過(guò)跟蹤音頻信號(hào)包絡(luò)控制外部PVDD電源電壓,提高效率的同時(shí)避免削波失真。高級(jí)功能包括PVDD感應(yīng)、熱折返和Hybrid PWM調(diào)制。

6. D類(lèi)音頻放大器

插值后的音頻數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)數(shù)字限幅器后,進(jìn)入閉環(huán)D類(lèi)放大器的數(shù)字到PWM轉(zhuǎn)換(DPC)模塊。DPC將立體聲音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為兩對(duì)互補(bǔ)的PWM信號(hào),驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器放大器的輸出。反饋環(huán)路可保持增益恒定,降低失真,提高對(duì)電源注入噪聲和失真的免疫力。放大器的增益由數(shù)字增益、DAC增益和模擬增益組成,開(kāi)關(guān)速率可通過(guò)寄存器配置。

7. 設(shè)備功能模式

  • 軟件控制:通過(guò)I2C通信端口進(jìn)行配置,遵循I2C通信協(xié)議,滿足I2C時(shí)序要求。
  • 揚(yáng)聲器放大器操作模式:可配置為BTL模式和PBTL模式。BTL模式下,放大器放大兩個(gè)獨(dú)立的立體聲信號(hào);PBTL模式下,兩個(gè)輸出端并聯(lián),可提高功率輸出能力。
  • 低EMI模式:采用擴(kuò)頻、通道到通道180度PWM相移和多設(shè)備PWM相移同步等技術(shù),降低EMI噪聲。
  • 熱折返:當(dāng)設(shè)備溫度超過(guò)過(guò)溫警告閾值時(shí),內(nèi)部自動(dòng)增益限制器(AGL)會(huì)逐漸降低數(shù)字增益,以防止意外熱關(guān)機(jī)。當(dāng)溫度下降時(shí),數(shù)字增益會(huì)逐漸恢復(fù)。
  • 設(shè)備狀態(tài)控制:除關(guān)機(jī)模式外,TAS5828M還有深度睡眠、睡眠、HiZ和播放四種狀態(tài),可通過(guò)寄存器進(jìn)行控制。
  • 設(shè)備調(diào)制:支持BD調(diào)制、1SPW調(diào)制和Hybrid調(diào)制三種調(diào)制方案,可通過(guò)寄存器選擇。

8. 編程與控制

  • I2C串行通信總線:支持100和400kHz的數(shù)據(jù)傳輸速率,作為目標(biāo)設(shè)備進(jìn)行隨機(jī)和順序讀寫(xiě)操作。由于寄存器映射和DSP內(nèi)存跨越多個(gè)頁(yè)面和書(shū)籍,需要先切換書(shū)籍,再切換頁(yè)面,最后進(jìn)行寄存器或DSP內(nèi)存的讀寫(xiě)操作。
  • 硬件控制模式:適用于不需要I2C寄存器高級(jí)控制靈活性或沒(méi)有可用I2C主控制器的系統(tǒng)。通過(guò)硬件控制引腳進(jìn)行配置,與軟件控制模式在相同配置下音頻性能相同,但軟件控制模式可通過(guò)寄存器訪問(wèn)更多功能。
  • I2C目標(biāo)地址:TAS5828M的目標(biāo)地址為7位,可通過(guò)ADR引腳進(jìn)行用戶定義。
  • 讀寫(xiě)操作:支持隨機(jī)寫(xiě)、順序?qū)?、隨機(jī)讀和順序讀四種I2C操作,每種操作都有特定的流程和響應(yīng)。
  • DSP內(nèi)存更新:通過(guò)特定寄存器可更改書(shū)籍和頁(yè)面,Biquad濾波器系數(shù)按順序?qū)懭胫付ǖ刂贰?/li>
  • 校驗(yàn)和:支持循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)和異或(XOR)兩種校驗(yàn)和方案,可同時(shí)使用并通過(guò)特定寄存器進(jìn)行重置。
  • 啟動(dòng)和關(guān)機(jī)程序:?jiǎn)?dòng)時(shí)需要正確配置ADR引腳或硬件控制引腳,上電后等待至少100μs再使能內(nèi)部LDO,通過(guò)I2C配置寄存器和DSP系數(shù),最后在I2S時(shí)鐘穩(wěn)定后進(jìn)入正常操作。關(guān)機(jī)時(shí),先將設(shè)備設(shè)置為HiZ狀態(tài)或拉低PDN,等待至少6ms后再關(guān)閉電源。

四、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與建議

1. 電感選擇

電感的峰值電流應(yīng)小于OCP值(7.5A),需要考慮上電、音樂(lè)播放時(shí)的音頻突發(fā)信號(hào)和最大輸出功率三種情況下的峰值電流。TI建議電感飽和電流(I_{sat })大于上電和播放音頻時(shí)的放大器峰值電流,并根據(jù)PVDD和開(kāi)關(guān)頻率選擇合適的最小電感值。

2. 自舉電容

輸出級(jí)使用高側(cè)NMOS驅(qū)動(dòng)器,需要為每個(gè)輸出端子配備自舉電容作為浮動(dòng)電源。建議使用0.47 - μF的電容連接輸出引腳和自舉引腳。

3. 電源去耦

為了保持高效率、低THD和高PSRR,需要對(duì)電源進(jìn)行適當(dāng)?shù)娜ヱ?。電源輸入?yīng)使用大于22μF的優(yōu)質(zhì)、低ESL、低ESR電容旁路低頻噪聲,同時(shí)在PVDD引腳附近放置1μF或0.1μF的電容進(jìn)行高頻去耦。

4. 輸出EMI濾波

通常使用低通濾波器(L - C濾波器)過(guò)濾PWM調(diào)制輸出的載波頻率,減少電磁輻射,平滑電源電流波形。濾波器的選擇取決于系統(tǒng)的具體要求,可參考相關(guān)應(yīng)用報(bào)告進(jìn)行設(shè)計(jì)。

5. 布局設(shè)計(jì)

  • 一般指導(dǎo)原則:音頻放大器的布局和支持組件的布局對(duì)系統(tǒng)性能至關(guān)重要,包括熱性能、電磁兼容性(EMC)、設(shè)備可靠性和音頻性能。應(yīng)遵循應(yīng)用部分的布局指導(dǎo),并根據(jù)具體需求進(jìn)行適當(dāng)修改。
  • PVDD旁路電容放置:PVDD線上的小旁路電容應(yīng)盡可能靠近PVDD引腳,否則會(huì)增加系統(tǒng)電磁干擾,影響設(shè)備可靠性。
  • 優(yōu)化熱性能:使用TSSOP - DAD、焊盤(pán)朝上的封裝,并配備散熱器,如ATSTI10P - 519 - C1 - R3。在空間受限的環(huán)境中,可適當(dāng)調(diào)整散熱器尺寸,但可能會(huì)影響熱性能。

五、總結(jié)

TAS5828M以其卓越的特性、廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和豐富的功能,成為電子工程師在音頻放大器設(shè)計(jì)中的理想選擇。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師們需要充分考慮其各項(xiàng)特性和設(shè)計(jì)要點(diǎn),合理選擇組件、優(yōu)化布局,以確保系統(tǒng)的高性能和穩(wěn)定性。同時(shí),對(duì)于TAS5828M的使用,德州儀器提供了詳細(xì)的文檔和技術(shù)支持,工程師們可以充分利用這些資源,解決設(shè)計(jì)過(guò)程中遇到的問(wèn)題。希望本文能為電子工程師們?cè)赥AS5828M的設(shè)計(jì)應(yīng)用中提供有價(jià)值的參考。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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