深入剖析TAS5755M:高性能數(shù)字音頻放大器的理想之選
在音頻設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域,一款優(yōu)質(zhì)的音頻放大器至關(guān)重要。TI推出的TAS5755M數(shù)字輸入音頻放大器,憑借其卓越的性能、靈活的功能以及出色的保護(hù)機制,在眾多音頻應(yīng)用中脫穎而出。作為電子工程師,我們有必要深入了解這款產(chǎn)品的特性、功能及應(yīng)用場景,以便在設(shè)計中充分發(fā)揮其優(yōu)勢。
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產(chǎn)品核心特性
TAS5755M具有諸多顯著特性,為音頻系統(tǒng)設(shè)計帶來了極大的便利和高性能表現(xiàn)。
高集成與多模式支持
采用單芯片設(shè)計,支持2.1、2.0和單聲道三種模式。單聲道模式下的單濾波器配置,有效減少了系統(tǒng)成本和體積。其采用的80mΩ DSON封裝和Pad-up封裝,不僅提升了散熱性能,還為PCB布局提供了更多靈活性。
強勁輸出功率
在不同模式下都能提供出色的輸出功率。2.1模式下可實現(xiàn)2×19W + 1×50W(2×4Ω + 1×6Ω,24V);2.0模式為2×50W(2×6Ω,24V);單聲道模式則高達(dá)1×100W(1×2Ω,24V)。而且,其寬電壓范圍(8V - 26.4V)使得它能夠適應(yīng)多種電源環(huán)境,滿足不同應(yīng)用的需求。
卓越音頻性能
在音頻性能方面表現(xiàn)卓越,總諧波失真加噪聲(THD+N)在1kHz、(R{SPK}=8Omega)、(P{OUT}=1W)、(PVDD = 18V)條件下≤0.05%。同時,低積分噪聲(ICN≤50μVRMS)、低串?dāng)_(Crosstalk≤ - 67dB)和高信噪比(SNR≥104dB),為用戶帶來了清晰、純凈的音頻體驗。此外,BD調(diào)制技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)一步提升了音頻性能和效率。
集成音頻處理與保護(hù)功能
集成了2×8 + 1×2雙二階濾波器(Biquads)、雙波段和單波段可配置動態(tài)范圍控制(DRC)以及免授權(quán)3D音效等音頻處理功能。同時,還具備信號混合、直流阻斷濾波器和自動速率檢測功能,能夠有效優(yōu)化音頻信號。內(nèi)置的熱保護(hù)、過流限制保護(hù)和欠壓保護(hù)等功能,為設(shè)備的穩(wěn)定運行提供了可靠保障。
參數(shù)及性能分析
電氣參數(shù)
從絕對最大額定值來看,各引腳的電壓和電流都有明確的限制。例如,DVDD和AVDD的電壓范圍為 - 0.3V至4.2V,PVDD_x為 - 0.3V至30V,輸入和輸出鉗位電流均為 - 20mA至20mA等。這些參數(shù)為電路設(shè)計提供了嚴(yán)格的邊界條件,確保了設(shè)備在安全的范圍內(nèi)工作。
在推薦工作條件下,數(shù)字/模擬電源電壓DVDD和AVDD為3V - 3.6V,半橋電源電壓PVDD_x為8V - 26.4V等。合理設(shè)置這些參數(shù),有助于充分發(fā)揮設(shè)備的性能。
典型特性曲線
文檔中給出了豐富的典型特性曲線,如不同模式下的輸出功率與電源電壓關(guān)系、總諧波失真加噪聲與輸出功率關(guān)系、效率與總輸出功率關(guān)系以及串?dāng)_與頻率關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了設(shè)備在不同工作條件下的性能表現(xiàn),為工程師在設(shè)計時選擇合適的工作點和參數(shù)提供了重要依據(jù)。例如,在設(shè)計功率放大器時,根據(jù)輸出功率與電源電壓曲線,可以確定合適的電源電壓以滿足所需的輸出功率要求。
功能詳解
電源供應(yīng)
TAS5755M只需一個3.3V電源和一個PVDD功率級電源,內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)器為柵極驅(qū)動電路提供合適的電壓。同時,內(nèi)置的自舉電路為高側(cè)柵極驅(qū)動等需要浮動電壓的電路提供支持,只需外接少量電容即可。在設(shè)計時,要注意將去耦電容盡可能靠近相關(guān)引腳放置,避免電源引腳與去耦電容之間存在電感,以確保良好的電氣和聲學(xué)特性。
I2C地址選擇與故障輸出
ADR/FAULT引腳在開機時可用于設(shè)置I2C地址,通過上拉或下拉電阻可將I2C 7位地址設(shè)置為0011011(0x36)或0011010(0x34)。開機后,該引腳還可作為故障通知輸出,當(dāng)內(nèi)部出現(xiàn)故障時,引腳會拉低,便于及時發(fā)現(xiàn)和解決問題。
單濾波器PBTL模式
支持并行BTL(PBTL)模式,連接OUT_A/OUT_B和OUT_C/OUT_D以及BST_A/BST_B和BST_C/BST_D后,將PBTL引腳置高即可進(jìn)入該模式。在該模式下,若檢測到半橋出現(xiàn)過流情況,可同步關(guān)閉半橋A和B(或C和D)。同時,還需更新PWM輸出多路復(fù)用器寄存器(0x25)和PWM關(guān)閉組寄存器(0x19)來配置設(shè)備。
設(shè)備保護(hù)系統(tǒng)
- 過流保護(hù):在所有高側(cè)和低側(cè)功率級FET上都設(shè)有獨立的快速反應(yīng)電流檢測器,一旦檢測到過流情況,保護(hù)系統(tǒng)會觸發(fā)鎖存式關(guān)機,將功率級置于高阻抗?fàn)顟B(tài),直至故障排除后恢復(fù)正常運行。
- 過熱保護(hù):當(dāng)設(shè)備結(jié)溫超過150°C(標(biāo)稱)時,會進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài),所有半橋輸出均設(shè)置為高阻抗?fàn)顟B(tài)。當(dāng)溫度下降約30°C后,設(shè)備會自動恢復(fù)正常工作。
- 欠壓保護(hù)和上電復(fù)位:UVP和POR電路能在任何上電/掉電和電壓驟降情況下對設(shè)備進(jìn)行全面保護(hù)。上電時,POR電路會復(fù)位過載電路,確保所有電路在PVDD和AVDD電源電壓分別達(dá)到7.6V和2.7V時完全正常工作。當(dāng)AVDD或任一PVDD引腳的電源電壓降至UVP閾值以下時,所有半橋輸出會立即設(shè)置為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
SSTIMER功能
SSTIMER引腳通過連接到地的電容來控制退出全通道關(guān)機時的輸出占空比。電容通過內(nèi)部電流源緩慢充電,充電時間決定了輸出從接近零占空比過渡到期望占空比的速率,從而實現(xiàn)平穩(wěn)過渡,減少可聽的咔嗒聲和爆裂聲。當(dāng)設(shè)備關(guān)機時,驅(qū)動器會進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài),并通過一個3kΩ電阻緩慢過渡,同樣能減少咔嗒聲和爆裂聲。
時鐘、自動檢測和PLL
作為I2S從設(shè)備,TAS5755M接受MCLK、SCLK和LRCLK。數(shù)字音頻處理器(DAP)支持時鐘控制寄存器(0x00)中定義的所有采樣率和MCLK速率。它能自動檢測并設(shè)置內(nèi)部時鐘控制邏輯,以適應(yīng)所有支持的時鐘速率。同時,具備強大的時鐘錯誤處理能力,當(dāng)檢測到時鐘變化或錯誤時,會靜音音頻并強制PLL使用內(nèi)部振蕩器作為參考時鐘,待時鐘穩(wěn)定后再恢復(fù)正常工作。
PWM部分
DAP使用噪聲整形和定制的非線性校正算法,實現(xiàn)了高功率效率和高性能的數(shù)字音頻再現(xiàn)。采用四階噪聲整形器來增加音頻頻段的動態(tài)范圍和信噪比。PWM部分接受來自DAP的24位PCM數(shù)據(jù),并輸出兩個BTL PWM音頻輸出通道。還具備獨立通道的直流阻斷濾波器和去加重濾波器,可根據(jù)需要啟用或禁用。此外,PWM部分的最大調(diào)制限制可在93.8% - 99.2%之間調(diào)節(jié)。
2.1模式支持
通過設(shè)置寄存器0x05的相關(guān)位來啟用2.1模式和中阻抗(mid-Z)斜坡序列,以減少單端模式(SE)和2.1模式操作中的咔嗒聲和爆裂聲。在該模式下,SSTIMER引腳需保持浮空。
I2C兼容串行控制接口和音頻串行接口
I2C串行控制從接口支持正常速度(100kHz)和高速(400kHz)操作,且無需等待狀態(tài)。即使MCLK缺失,該接口仍能正常工作,支持單字節(jié)和多字節(jié)的讀寫操作,用于編程設(shè)備寄存器和讀取設(shè)備狀態(tài)。音頻串行接口通過SDIN輸入串行數(shù)據(jù),DAP接受16位、20位或24位左對齊、右對齊和I2S串行數(shù)據(jù)格式。不同的數(shù)據(jù)格式在時序上有明確的定義,確保了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸和處理。
應(yīng)用及設(shè)計要點
典型應(yīng)用場景
TAS5755M適用于多種音頻應(yīng)用,包括DTV、UHD和多功能顯示器、音棒、PC音頻以及通用音頻設(shè)備等。不同的應(yīng)用場景對音頻放大器的性能和功能有不同的要求,TAS5755M的多模式支持和豐富的功能使其能夠很好地滿足這些需求。
設(shè)計要點
- 電源設(shè)計:要確保3.3V的DVDD和AVDD電源以及8V - 24V的PVDD電源的穩(wěn)定性和濾波效果。對于AVDD和DVDD,需要使用良好調(diào)節(jié)和濾波的3.3V電源;對于PVDD,應(yīng)使用低等效串聯(lián)電阻(ESR)的陶瓷電容進(jìn)行去耦,以降低輸出的總諧波失真和噪聲。
- 布局設(shè)計:由于Class - D開關(guān)邊沿速度快、開關(guān)電流大,在PCB布局時需格外注意。將高頻去耦電容盡可能靠近電源引腳,在PVDD電源上靠近TAS5755M放置大的(10μF或更大)大容量電源去耦電容。保持輸出電流環(huán)路盡可能小,以減少電磁干擾。同時,建議使用大的公共接地平面,將PVDD去耦電容和PowerPAD連接到地。選擇能夠承受設(shè)備高短路電流的電感,并將LC濾波器靠近輸出放置。
- 啟動和關(guān)機順序:正確的啟動和關(guān)機順序?qū)τ谠O(shè)備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。在啟動時,要按照規(guī)定的順序給AVDD/DVDD、PVDD上電,并進(jìn)行振蕩器校準(zhǔn)、DAP配置等操作。在關(guān)機時,要按照特定的順序進(jìn)行,以避免出現(xiàn)異常情況。
TAS5755M是一款功能強大、性能卓越的數(shù)字音頻放大器。通過深入了解其特性、功能和應(yīng)用設(shè)計要點,電子工程師能夠更好地將其應(yīng)用于各種音頻系統(tǒng)中,為用戶帶來高品質(zhì)的音頻體驗。在實際設(shè)計過程中,還需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和場景,合理選擇參數(shù)和配置,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。你在使用類似音頻放大器時,遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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音頻應(yīng)用
+關(guān)注
關(guān)注
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