Infineon 8Mb EXCELON? LP F-RAM：高性能非易失性存儲解決方案

在電子設(shè)計領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲可靠性和性能。今天，我們來深入了解英飛凌（Infineon）的兩款 8Mb EXCELON? LP 鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）——CY15B108QI 和 CY15V108QI，探討它們的特性、功能以及在實際應(yīng)用中的優(yōu)勢。

文件下載：CY15V108QI-20LPXC.pdf

產(chǎn)品特性亮點

1. 卓越的存儲性能

• 大容量與高耐久性：這兩款 F-RAM 邏輯上組織為 1024K × 8，提供 8-Mbit 的存儲容量。其具有幾乎無限的讀寫耐久性，可達(dá) (10^{15}) 次讀寫操作，這意味著在長期使用中，數(shù)據(jù)的寫入和讀取不會受到次數(shù)的限制，大大提高了存儲器的使用壽命。
• 長久的數(shù)據(jù)保留：數(shù)據(jù)保留時間長達(dá) 151 年，即使在長時間斷電的情況下，數(shù)據(jù)也能可靠保存，為數(shù)據(jù)的長期存儲提供了堅實的保障。
• 即時非易失性寫入技術(shù)：英飛凌的即時非易失性寫入技術(shù)使得數(shù)據(jù)寫入操作無需等待，與傳統(tǒng)的串行閃存和 EEPROM 相比，消除了寫入延遲，提高了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

2. 快速的串行接口

• 高速 SPI 通信：支持高達(dá) 20 MHz 的 SPI 時鐘頻率，能夠?qū)崿F(xiàn)高速的數(shù)據(jù)傳輸。同時，它支持 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)，與大多數(shù)微控制器的 SPI 接口兼容，方便系統(tǒng)集成。

3. 完善的寫保護(hù)機(jī)制

• 硬件與軟件雙重保護(hù)：提供了硬件保護(hù)（通過 Write Protect (WP) 引腳）和軟件保護(hù)（通過 Write Disable (WRDI) 指令）兩種方式，還支持軟件塊保護(hù)，可對 1/4、1/2 或整個存儲陣列進(jìn)行保護(hù)，有效防止數(shù)據(jù)被意外修改。

4. 獨特的標(biāo)識與存儲功能

• 設(shè)備 ID 和序列號：每個設(shè)備都有唯一的制造商 ID、產(chǎn)品 ID 和序列號，方便設(shè)備的識別和管理。
• 專用特殊扇區(qū)：設(shè)有 256 字節(jié)的專用特殊扇區(qū) F-RAM，可進(jìn)行獨立的讀寫操作，并且存儲的內(nèi)容能夠承受多達(dá)三次標(biāo)準(zhǔn)回流焊接周期，保證了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。

5. 低功耗與寬電壓運行

• 低功耗設(shè)計：在不同的工作模式下，功耗都非常低。例如，在 20 MHz 時鐘頻率下，典型工作電流僅為 1.3 mA，待機(jī)電流為 3.5 μA，深度掉電模式電流為 0.90 μA，休眠模式電流為 0.1 μA，有效降低了系統(tǒng)的功耗。
• 寬電壓范圍：CY15V108QI 的工作電壓范圍為 (V{DD}=1.71 ~V) 至 1.89 V，CY15B108QI 的工作電壓范圍為 (V{DD}=1.8 ~V) 至 3.6V，能夠適應(yīng)不同的電源環(huán)境。

6. 廣泛的溫度適應(yīng)性

• 商業(yè)與工業(yè)級溫度范圍：支持商業(yè)級（0°C 至 +70°C）和工業(yè)級（–40°C 至 +85°C）的工作溫度范圍，適用于各種不同的應(yīng)用場景。

7. 環(huán)保封裝

• RoHS 合規(guī)：產(chǎn)品符合有害物質(zhì)限制（RoHS）標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
• 多種封裝選擇：提供 8 引腳網(wǎng)格陣列四方扁平無引腳（GQFN）封裝（NRND）和 8 引腳超薄細(xì)間距焊盤網(wǎng)格陣列（UFLGA）封裝，方便不同的 PCB 布局需求。

功能詳細(xì)解析

1. 引腳定義與功能

2. SPI 總線與通信

• SPI 從設(shè)備：CY15X108QI 作為 SPI 從設(shè)備，可與 SPI 主設(shè)備進(jìn)行高速通信。許多常見的微控制器都具有硬件 SPI 端口，可直接與該設(shè)備接口；對于沒有 SPI 端口的微控制器，也可以使用普通端口引腳來模擬 SPI 接口。
• SPI 協(xié)議與模式：SPI 協(xié)議通過操作碼（opcode）來控制，支持 SPI 模式 0 和模式 3。在這兩種模式下，數(shù)據(jù)在 SCK 上升沿開始時鐘輸入到 F-RAM。

3. 命令結(jié)構(gòu)與操作

• 寫使能控制：通過 WREN 命令設(shè)置寫使能鎖存器，允許進(jìn)行后續(xù)的寫操作；通過 WRDI 命令重置寫使能鎖存器，禁止寫操作。
• 寄存器訪問：可通過 RDSR 命令讀取狀態(tài)寄存器的內(nèi)容，了解寫保護(hù)功能的當(dāng)前狀態(tài)；通過 WRSR 命令寫入狀態(tài)寄存器，更改寫保護(hù)配置。
• 內(nèi)存讀寫操作：WRITE 命令用于向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)，READ 和 FAST_READ 命令用于從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。其中，F(xiàn)AST_READ 命令提供了與串行閃存設(shè)備的操作碼兼容性。
• 特殊扇區(qū)訪問：SSWR 命令用于向 256 字節(jié)的特殊扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)，SSRD 命令用于從特殊扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)。
• 標(biāo)識與序列號操作：RDID 命令用于讀取設(shè)備的制造商 ID 和產(chǎn)品 ID，RUID 命令用于讀取設(shè)備的唯一 ID，WRSN 命令用于寫入序列號，RDSN 命令用于讀取序列號。
• 低功耗模式：DPD 命令用于進(jìn)入深度掉電模式，HBN 命令用于進(jìn)入休眠模式，可有效降低設(shè)備的功耗。

電氣特性與性能參數(shù)

1. 最大額定值

為了確保設(shè)備的正常工作和使用壽命，需要注意其最大額定值。例如，存儲溫度范圍為 –65°C 至 +125°C，電源電壓范圍根據(jù)不同型號有所不同，CY15V108QI 為 –0.5 V 至 +2.4 V，CY15B108QI 為 –0.5 V 至 +4.1 V 等。

2. 工作范圍

兩款產(chǎn)品分別支持商業(yè)級和工業(yè)級的工作溫度范圍，并且具有不同的電源電壓范圍，用戶可根據(jù)實際應(yīng)用需求進(jìn)行選擇。

3. DC 電氣特性

在不同的工作條件下，設(shè)備的電源電流、待機(jī)電流、深度掉電電流等參數(shù)都有明確的規(guī)定。例如，在 20 MHz 時鐘頻率下，典型工作電流在 1.3 mA 至 1.75 mA 之間，待機(jī)電流在 3.5 μA 至 110 μA 之間。

4. 數(shù)據(jù)保留與耐久性

數(shù)據(jù)保留時間根據(jù)環(huán)境溫度的不同而有所變化，在 60°C 環(huán)境下可達(dá) 151 年；讀寫耐久性可達(dá) (10^{15}) 次，幾乎可以滿足任何應(yīng)用的需求。

5. 電容與熱阻

輸出引腳電容和輸入引腳電容都有相應(yīng)的規(guī)定，同時不同封裝的熱阻也有所不同，這些參數(shù)對于 PCB 設(shè)計和散熱設(shè)計具有重要的參考價值。

6. AC 測試條件與開關(guān)特性

規(guī)定了輸入脈沖電平、上升和下降時間、輸入和輸出時序參考電平以及輸出負(fù)載電容等測試條件，同時給出了 SCK 時鐘頻率、時鐘高電平和低電平時間、芯片選擇設(shè)置和保持時間等開關(guān)特性參數(shù)。

7. 電源周期時序

包括電源上電到首次訪問的時間、電源上升和下降速率、進(jìn)入和退出深度掉電模式及休眠模式的時間等參數(shù)，確保設(shè)備在電源變化時能夠穩(wěn)定工作。

應(yīng)用場景與優(yōu)勢

1. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，需要頻繁地寫入數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)的串行閃存和 EEPROM 由于寫入速度慢，可能會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。而 CY15X108QI 具有幾乎無限的讀寫耐久性和即時非易失性寫入技術(shù)，能夠快速、可靠地記錄數(shù)據(jù)，確保數(shù)據(jù)的完整性。

2. 工業(yè)控制領(lǐng)域

在工業(yè)控制中，對數(shù)據(jù)的實時性和可靠性要求很高。CY15X108QI 的高速寫入性能和寬溫度范圍適應(yīng)性，使其能夠在惡劣的工業(yè)環(huán)境下穩(wěn)定工作，有效避免因?qū)懭胙舆t而導(dǎo)致的控制失誤。

3. 其他應(yīng)用

還可應(yīng)用于智能電表、醫(yī)療設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域，為這些領(lǐng)域的數(shù)據(jù)存儲提供了高性能、可靠的解決方案。

總結(jié)

英飛凌的 CY15B108QI 和 CY15V108QI 8Mb EXCELON? LP F-RAM 以其卓越的性能、完善的功能和低功耗設(shè)計，為電子工程師提供了一種理想的非易失性存儲解決方案。在實際應(yīng)用中，它能夠顯著提高系統(tǒng)的性能和可靠性，降低開發(fā)成本和維護(hù)難度。如果你正在尋找一款高性能的非易失性存儲器，不妨考慮一下這兩款產(chǎn)品。

各位工程師朋友們，在你們的項目中，是否也遇到過對非易失性存儲器性能要求較高的情況呢？你們是如何選擇和應(yīng)用存儲器的呢？歡迎在評論區(qū)分享你們的經(jīng)驗和見解。