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被指存散熱硬傷,英特爾代工iPhone芯片幾無可能?

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2026-02-03 09:00 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)近日,一則關(guān)于蘋果芯片代工格局變動的消息引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)廣泛關(guān)注:有證券機(jī)構(gòu)披露,蘋果計(jì)劃讓英特爾代工部分M系列處理器及非Pro版iPhone芯片,其中2027年發(fā)貨的低端M系列芯片、2028年推出的iPhone標(biāo)準(zhǔn)版芯片,有望率先采用英特爾18A-P先進(jìn)工藝。

然而,這一看似“臺積電+英特爾”雙保險的戰(zhàn)略布局,卻遭到了行業(yè)專家的強(qiáng)烈質(zhì)疑。核心爭議點(diǎn)在于英特爾全面押注的“背面供電(BSPD)”技術(shù),其在提升性能的同時帶來的散熱硬傷,可能成為英特爾拿下iPhone訂單的“阿喀琉斯之踵”。

傳聞引爆:蘋果的“第二供應(yīng)商”算盤

此次傳聞的核心,是英特爾先進(jìn)工藝與蘋果芯片需求的對接。據(jù)悉,蘋果計(jì)劃分階段推進(jìn)與英特爾的代工合作,優(yōu)先覆蓋低端M系列處理器和非Pro版iPhone芯片,這兩類產(chǎn)品對性能的極致要求低于高端機(jī)型,被視為雙方合作的“試金石”。

根據(jù)相關(guān)計(jì)劃,蘋果預(yù)計(jì)在2027年發(fā)貨的“低端M系列處理器”中試水英特爾代工,隨后在2028年的“iPhone標(biāo)準(zhǔn)版(非Pro)芯片”中進(jìn)一步擴(kuò)大合作。英特爾18A-P工藝作為其IDM 2.0戰(zhàn)略的核心,采用了RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術(shù),旨在提升芯片的每瓦性能與能效;在芯片互連方面,英特爾采用了EMIB-T 2.5D嵌入式橋接技術(shù)。通過在橋接器內(nèi)部添加硅通孔(TSV),電力和信號不僅可以橫向傳輸,還能實(shí)現(xiàn)垂直傳輸,從而最大化互連密度。理論上,這為蘋果在芯片設(shè)計(jì)上提供了更高的靈活性。

蘋果考慮引入英特爾作為第二芯片供應(yīng)商的核心目的,是分散供應(yīng)鏈風(fēng)險。目前,英偉達(dá)AI服務(wù)器芯片需求激增,已超越蘋果成為臺積電最大客戶,高端制程產(chǎn)能競爭日益加劇。隨著產(chǎn)能向AI芯片傾斜,市場傳言臺積電可能正對蘋果提價。據(jù)媒體報道,由于AI需求擠壓了其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)空間,蘋果不僅面臨成本上升的壓力,其在臺積電的生產(chǎn)優(yōu)先級也可能受到挑戰(zhàn)——這表明供應(yīng)鏈的話語權(quán)正隨著終端需求的變化而轉(zhuǎn)移。此外,有知情人士透露,蘋果的這一地位早在2024年底就已受到挑戰(zhàn):2024年四季度,臺積電為優(yōu)先保障英偉達(dá)H100 AI芯片的生產(chǎn),曾削減蘋果M3 Max的代工產(chǎn)能,導(dǎo)致相關(guān)MacBook Pro機(jī)型上市延遲,進(jìn)而影響了蘋果假日銷售季的表現(xiàn)。

值得注意的是,此次合作并非蘋果與英特爾的首次牽手。雙方在芯片領(lǐng)域有著深厚的合作淵源:2016年至2020年,英特爾為iPhone 7至iPhone 11系列提供蜂窩基帶芯片;2006年至2023年,英特爾更是為Mac系列產(chǎn)品供應(yīng)x86架構(gòu)處理器,直至蘋果Mac轉(zhuǎn)向自研Apple Silicon后,雙方在電腦芯片領(lǐng)域的合作才逐漸淡化。與過往不同的是,此次合作中,英特爾僅承擔(dān)芯片制造環(huán)節(jié),蘋果將繼續(xù)主導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)工作,且初期僅承接小部分代工份額,臺積電仍將是蘋果芯片的主力代工廠。這種“主次分明”的模式,也充分體現(xiàn)了蘋果的謹(jǐn)慎態(tài)度。

潑來的冷水:BSPD技術(shù)的雙刃劍

然而,就在市場為這一潛在的“聯(lián)姻”大肆炒作之際,資深行業(yè)人士卻潑了一盆冷水。他們的觀點(diǎn)非常明確:英特爾絕無可能在短期內(nèi)代工iPhone芯片。

在先進(jìn)芯片制程競爭中,供電技術(shù)的選擇直接決定芯片的性能、功耗與散熱表現(xiàn),而臺積電與英特爾的技術(shù)策略差異,也造就了雙方在移動芯片代工領(lǐng)域的競爭力分野。因此,資深人士的這一論斷,并非基于對英特爾制造能力或良率的質(zhì)疑,而是源于兩者在技術(shù)路線上的根本性分歧——背面供電(BSPD,Backside Power Delivery)技術(shù)的應(yīng)用。

據(jù)悉,BSPD技術(shù)的核心優(yōu)勢在于提升芯片性能。傳統(tǒng)芯片的供電線路與信號線路均布局在芯片正面,線路擁擠易導(dǎo)致電阻增加、信號干擾;而BSPD技術(shù)將電源網(wǎng)絡(luò)移至芯片背面,通過背面更短、更粗的金屬路徑供電,既能降低電壓降,又能釋放正面金屬層用于信號互連,從而支持芯片實(shí)現(xiàn)更高、更穩(wěn)定的工作頻率。英特爾在其最先進(jìn)的18A和14A工藝上全面押注BSPD技術(shù),試圖通過這一差異化布局,追趕臺積電、三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域的優(yōu)勢。

但這一技術(shù)優(yōu)勢,在移動芯片領(lǐng)域卻難以轉(zhuǎn)化為實(shí)際競爭力,反而成為制約其代工iPhone芯片的“致命短板”。行業(yè)人士指出,對于iPhone所采用的移動芯片而言,BSPD技術(shù)帶來的性能增益微乎其微——移動芯片的性能表現(xiàn)更多受限于功耗控制,而非單純的頻率提升,而BSPD技術(shù)的性能優(yōu)勢,在低功耗場景下幾乎無法體現(xiàn)。

更關(guān)鍵的是,BSPD技術(shù)會引發(fā)嚴(yán)重的自發(fā)熱效應(yīng),且散熱難度極大。由于電源線路布局在芯片背面,垂直散熱效果較差,橫向散熱效率也大幅下降,這就要求終端設(shè)備配備額外的散熱措施。但iPhone作為輕薄化移動設(shè)備,內(nèi)部空間極度緊張,無法為芯片配備復(fù)雜的散熱模塊;且蘋果對iPhone的溫度控制有著嚴(yán)苛要求,BSPD技術(shù)帶來的散熱難題,在現(xiàn)有iPhone產(chǎn)品形態(tài)下幾乎無法解決。因此,行業(yè)專家明確表示,采用背面供電技術(shù)后,芯片的散熱需求將大幅增加,而手機(jī)有限的內(nèi)部空間根本無法滿足這些需求。

與英特爾不同,臺積電采取了更為靈活的技術(shù)策略:在部分工藝節(jié)點(diǎn)采用BSPD技術(shù),面向?qū)π阅芤髽O高的桌面芯片、服務(wù)器芯片;在另一部分工藝節(jié)點(diǎn)則放棄BSPD技術(shù),優(yōu)先保障功耗與散熱控制,以適配移動芯片的需求。通過這種差異化布局完善產(chǎn)品組合,臺積電才能長期穩(wěn)固占據(jù)蘋果iPhone芯片的獨(dú)家代工地位。

盡管英特爾代工iPhone芯片的前景黯淡,但行業(yè)人士并未完全否定蘋果與英特爾在M系列處理器上的合作可能性——這與產(chǎn)品的物理形態(tài)密切相關(guān)。MacBook等電腦設(shè)備內(nèi)部空間相對充裕,且往往配備主動散熱系統(tǒng)(如風(fēng)扇)或大面積均熱板(如iPad Pro、MacBook Air),這意味著M系列芯片擁有更好的散熱環(huán)境,能夠容忍BSPD技術(shù)帶來的散熱挑戰(zhàn)。因此,2027年推出的低端M系列芯片,或許真的會成為英特爾代工業(yè)務(wù)突破的重要契機(jī)。

對英特爾而言,與蘋果的代工合作,是其拓展半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)、擺脫經(jīng)營困境的重要突破口。近年來,英特爾在消費(fèi)級芯片市場面臨AMD的激烈競爭,市場份額持續(xù)萎縮,而代工業(yè)務(wù)(Intel Foundry)已成為其戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的核心方向。此時,若能成功獲得蘋果的代工訂單,不僅能帶來穩(wěn)定的營收支撐,更能顯著提升其先進(jìn)工藝的行業(yè)認(rèn)可度,吸引更多客戶合作,進(jìn)而加速良率與產(chǎn)能的優(yōu)化,推動代工業(yè)務(wù)走出虧損困境。

不過,除了BSPD技術(shù)帶來的散熱問題,英特爾18A工藝的產(chǎn)能與良率問題也值得重點(diǎn)關(guān)注。英特爾管理層在財(cái)報說明會上表示,18A工藝雖持續(xù)改善良率,但目前仍未達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平;同時,該工藝的緩沖庫存已消耗殆盡,當(dāng)前庫存水平已降至峰值的約40%,導(dǎo)致公司處于“現(xiàn)做現(xiàn)賣”的供應(yīng)緊張狀態(tài)。因此,2026年將成為英特爾先進(jìn)制程產(chǎn)能爬坡的關(guān)鍵一年。

結(jié)語

蘋果與英特爾的芯片代工傳聞,是半導(dǎo)體行業(yè)高端化、多元化競爭的一個縮影。英特爾18A-P工藝的技術(shù)亮點(diǎn),為雙方的合作提供了基礎(chǔ);而BSPD技術(shù)的散熱難題、英特爾自身的產(chǎn)能與良率短板,則為這場潛在合作蒙上了一層陰影。2027年低端M系列芯片的代工落地情況,將成為雙方合作的首個“試金石”,而iPhone芯片的代工之路,仍充滿不確定性。這場半導(dǎo)體行業(yè)的“雙向試探”最終能否實(shí)現(xiàn)雙贏、重塑全球高端芯片代工格局,仍需時間與市場的進(jìn)一步檢驗(yàn)。
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