在剛剛結(jié)束的ISPSD 2026征稿評比中，云鎵半導體（CloudSemi）在 GaN 和 ICD Session的六篇投稿獲得組委會錄用接收，成為連續(xù)三年登陸 ISPSD 國際大舞臺的 GaN 中國公司（其中兩篇口頭報告），再次印證云鎵團隊的技術(shù)水平與創(chuàng)新能力，證明了中國的 GaN 初創(chuàng)企業(yè)的創(chuàng)新能力，具備超車國際知名半導體企業(yè)的潛力。六篇接受文章分別與香港科技大學，北京大學，電子科技大學與安徽大學等合著，研究內(nèi)容覆蓋：

GaN Bi-directional Switch (BDS)，三篇

All-GaN IC，兩篇

GaN新結(jié)構(gòu)與集成平臺，一篇

本次云鎵半導體受邀出席會議，將發(fā)布公司最新的技術(shù)研究成果，并與國際上該領(lǐng)域的頂級權(quán)威學者和產(chǎn)業(yè)專家深入交流，同時向同行、客戶以及上下游合作伙伴展示最新產(chǎn)品與技術(shù)進展。

云鎵半導體自成立以來，高度重視氮化鎵產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，在 GaN 雙向器件、功率集成、先進封裝等領(lǐng)域取得諸多進展。

GaN BDS 依托獨有的器件結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，有望在微型逆變器，單極變換OBC，交流變換等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)性突破；

功率集成致力于提升 GaN 高頻高速應(yīng)用的系統(tǒng)可靠性及易用性，推動 GaN 在 HVDC 領(lǐng)域快速滲透，云鎵半導體將在2026Q2推出一系列功率集成產(chǎn)品；

先進封裝將深層次挖掘GaN器件性能，在散熱、寄生等應(yīng)用瓶頸點上發(fā)力，綜合系統(tǒng)解決方案，徹底解鎖 GaN 器件的使用潛力。

關(guān)于ISPSD

ISPSD會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)是功率半導體器件和功率集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、最具影響力的學術(shù)會議，被認為是功率半導體器件和功率集成電路領(lǐng)域的奧林匹克，歷史上電力電子器件領(lǐng)域的重大發(fā)明和技術(shù)進展大多在這個會議上首次發(fā)表，歷年大會都會匯聚眾多功率器件領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。第38屆ISPSD將于2026年5月24日至28日在美國拉斯維加斯召開。

關(guān)于云鎵

云鎵半導體科技有限公司成立于2021年11月，是一家專業(yè)從事GaN功率器件及解決方案的公司，現(xiàn)有上海、常州、深圳等三個研發(fā)及辦事機構(gòu)。公司核心團隊具有多年功率器件量產(chǎn)經(jīng)驗，具備工藝開發(fā)、器件定制、IC設(shè)計和系統(tǒng)應(yīng)用等全建制能力，可提供定制化設(shè)計和全套解決方案服務(wù)，幫助客戶實現(xiàn)系統(tǒng)競爭力。公司已推出多款GaN器件及IC類產(chǎn)品，應(yīng)用場景可覆蓋消費電子、數(shù)據(jù)中心、再生能源以及汽車電子等領(lǐng)域。

公司現(xiàn)有三個研發(fā)及辦事機構(gòu)

★ 研發(fā)中心：上海市浦東新區(qū)錦繡東路2777弄3號樓602室

★ RE實驗室：常州市武進區(qū)常武中路常州科教城智能數(shù)字產(chǎn)業(yè)園10廠房5樓503

★ 應(yīng)用中心：深圳市南山區(qū)沙河西路3185號南山智谷產(chǎn)業(yè)園F棟404室