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行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)IN/IN數(shù)字控制接口的雙通道H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動器-SS8844T

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2026-03-12 10:10 ? 次閱讀
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雙通道H橋驅(qū)動器(用于電機(jī)控制)結(jié)構(gòu)組成:其核心是兩個獨立的H橋電路。每個H橋由四個開關(guān)元件(通常是MOSFET)構(gòu)成,分為上、下橋臂。電機(jī)連接在兩個橋臂的中點之間。雙通道設(shè)計意味著可以獨立控制兩個直流電機(jī)。

工作原理

正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn):通過控制對角線上的一對開關(guān)管導(dǎo)通(如左上+右下),另一對關(guān)閉,來改變流過電機(jī)的電流方向,從而實現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。

調(diào)速:采用PWM(脈沖寬度調(diào)制)技術(shù),通過快速開關(guān)MOSFET來改變電機(jī)兩端的平均電壓,從而無級調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速。

制動:將電機(jī)的兩端短接(如同側(cè)的上橋臂和下橋臂同時導(dǎo)通),利用電機(jī)的反電動勢產(chǎn)生制動力矩,使其快速停止。

自由停止:關(guān)閉所有開關(guān)管,電機(jī)依靠慣性滑行至停止。

wKgZPGmyIGeAZ1N6AAIY9jf_eXo774.png雙通道H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動器-SS8844T

由工采網(wǎng)代理的SS8844T是一款四通道1/2H橋驅(qū)動芯片,提供四個可獨立控制的1/2H橋啟動器;可被用于驅(qū)動兩個DC電機(jī)、一個步進(jìn)電機(jī)、四個螺線管或者其它負(fù)載;針對每個通道的輸出驅(qū)動器通道由在一個1/2H橋配置中進(jìn)行配置的N通道功率MOSFET組成。

該電機(jī)驅(qū)動芯片采用PWM控制方式,工作電壓范圍:8V~40V;內(nèi)置3.3V基準(zhǔn)電壓;連續(xù)輸出電流2.5A;峰值電可達(dá)4.0A;導(dǎo)通阻抗0.35Ω;具備四個獨立控制的1/2H橋啟動器,可驅(qū)動多種負(fù)載,如兩個DC電機(jī)、一個步進(jìn)電機(jī)或四個螺線管等。每個通道的輸出驅(qū)動器通道采用N通道功率MOSFET組成,確保高效穩(wěn)定的驅(qū)動性能。

輸入可以用PWM控制,例如,控制DC電機(jī)的轉(zhuǎn)速。當(dāng)使用PWM控制電感繞組時,輸出斬波電流,電機(jī)的感性決定了其需要持續(xù)的電流,稱之為循環(huán)電流。H橋可以工作于2種不同的模式來處理這循環(huán)電流,fast-decay或slow-decay。在fast-decay模式中,H橋是關(guān)斷的,通過寄生二極管來續(xù)流。在slow-decay模式中,電機(jī)電感通過兩個下NMOS管短接起來。

nRESET引腳,低電平有效,重置內(nèi)部邏輯,同時也禁用H橋。當(dāng) nRESET為低電平時,除了nSLEEP外的所有的輸入均被忽略。nSLEEP設(shè)置為低電平時,將芯片進(jìn)入低功耗的睡眠狀態(tài)。在這種狀態(tài)下,H橋是禁用的,柵極驅(qū)動電荷泵停止工作,V3P3OUT穩(wěn)壓器繼續(xù)工作,所有的內(nèi)部時鐘停止。當(dāng)從睡眠模式返回時,在馬達(dá)驅(qū)動完全運(yùn)行之前,需要一段時間(大約1ms)。注意,nRESET和nSLEEP有約100kΩ內(nèi)部下拉電阻。這些信號必須被設(shè)置到邏輯高電平來保證芯片工作。

SS8844T是一款步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動IC,不僅擁有雙通道H橋電流控制功能,更廣泛適用于紡織機(jī)器、工業(yè)自動化、游戲機(jī)和機(jī)器人等多種場景;可可pin-to-pin兼容替代市面上的TI-DRV8844和瑞盟MS8844等型號應(yīng)用于舞臺燈、工業(yè)設(shè)備、機(jī)器人、辦公自動化設(shè)備。提供更穩(wěn)定和可靠的性能。

馬達(dá)控制電路:

wKgZPGmyIHWAS7PiAAC4ctqs0Lo483.png馬達(dá)控制電路


馬達(dá)驅(qū)動芯片 - SS8844T的特性:

雙通道 H 橋電流控制電機(jī)驅(qū)動器

–單個或兩個有刷直流電機(jī)

–一個步進(jìn)電機(jī)

–完全獨立的半橋控制

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) IN/IN 數(shù)字控制接口

低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

–24V,Ta=25°C時可實現(xiàn)2.5A較大驅(qū)動電流

–24V,Ta=25°C時RDS(on)為350mΩ(典型值HS + LS)

工作電壓范圍:8.2V~40V

內(nèi)置3.3V基準(zhǔn)電壓

帶散熱片的表面貼裝封裝

保護(hù)特性:

– 過流保護(hù) (OCP)

– 熱關(guān)斷 (TSD)

– 欠壓閉鎖 (UVLO)

審核編輯 黃宇

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