臨近植樹節(jié)，萬物萌新。在科技的疆域里，羅姆同樣耕耘著更深層的綠意——以創(chuàng)新之力探索能效邊界，為地球的可持續(xù)未來注入持久的動力。多年技術深耕，構建起覆蓋多功率等級、貫通多元應用場景的節(jié)能產(chǎn)品矩陣，讓綠色能量驅(qū)動未來。

本文聚焦羅姆發(fā)布的多款節(jié)能產(chǎn)品解決方案，看它們?nèi)绾螐牟煌S度，為構建綠色低碳社會提供支持。

功率密度革新：SiC模塊與器件

SiC技術正引領能源轉(zhuǎn)換進入高密度時代，羅姆通過創(chuàng)新的模塊化封裝，讓大功率系統(tǒng)在更小的空間內(nèi)釋放更高效率。

1二合一SiC模塊DOT-247

DOT-247采用將兩個TO-247封裝相連的造型，通過配備在TO-247結構上難以容納的大型芯片，并采用羅姆自有的內(nèi)部結構，實現(xiàn)了更低導通電阻。另外，通過優(yōu)化封裝結構，其熱阻比TO-247降低了約15%，電感降低了約50%。

2TOLL封裝的SiC MOSFET

SCT40xxDLL系列與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。

數(shù)據(jù)中心能耗克星：高可靠功率MOSFET

在AI算力爆發(fā)的背后，是數(shù)據(jù)中心驚人的能耗。羅姆的MOSFET為服務器電源提供了可靠且高效的“心臟”，助力實現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換。

1寬SOA范圍

5×6mm小尺寸MOSFET

RS7P200BM在VDS=48V工作條件下，可確保脈沖寬度10ms時7.5A、1ms時25A的寬SOA范圍，同時，還實現(xiàn)了與之存在權衡關系的低導通電阻（RDS(on)）4.0mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃）。通過抑制通電時的發(fā)熱，有助于提高服務器電源的效率并減輕冷卻負荷，進而進一步降低電力成本。

2100V功率MOSFET

為了兼顧服務器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

電機驅(qū)動新境界：高效電機驅(qū)動器

從智能家居到工業(yè)自動化，從電動汽車到精密醫(yī)療設備，電機驅(qū)動著現(xiàn)代社會的各個角落。面對無處不在的能耗挑戰(zhàn)，羅姆的電機驅(qū)動器助力降低電機待機與運行能耗，為綠色未來注入動能。

1三相無刷電機驅(qū)動器IC

BD67871MWV-Z采用羅姆自有的智能柵極驅(qū)動技術“TriC3”，能夠高速感測來自FET的電壓信息，并實時進行柵極控制。采用這種控制方式，不僅通過降低開關時的FET功耗減少了發(fā)熱量，同時還抑制了振鈴的產(chǎn)生，實現(xiàn)了低EMI特性。

2通用電機驅(qū)動器IC

BD60210FV/BD64950EFJ均采用通用性好的封裝形式，不僅易于引入新設計中，還可顯著提升電路變更、衍生型號開發(fā)以及設計標準化的效率。另外，還能實現(xiàn)低待機電流（Typ：0.0μA，Max：1.0μA），可大幅提升應用產(chǎn)品待機時的節(jié)能性能。

每一顆節(jié)能芯片的落地應用，都是一次對未來的綠色投資。羅姆的產(chǎn)品如同精心培育的“節(jié)能森林”，在不同層級為全球能源效率提升貢獻著堅實力量。在這個植樹節(jié)，讓我們共同關注科技領域的“節(jié)能造林”，共筑一個高效、清潔、可持續(xù)的數(shù)字未來。