隨著新能源汽車與儲能系統(tǒng)對電池性能要求的不斷提高，電池系統(tǒng)正朝著更高電壓、更大容量和更高能量密度的方向演進。這要求其核心部件——電池管理系統(tǒng)（BMS）必須具備更高精度、更強監(jiān)控能力和更高安全等級，以持續(xù)滿足市場對電池續(xù)航、壽命與安全性的嚴苛需求。據(jù)相關機構預測，到2027年全球BMS市場規(guī)模有望突破千億元，成為能源變革中的關鍵增長領域。瞄準這一高速增長的市場領域，華潤微電子功率集成事業(yè)群（PIBG）重磅推出第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5Z，為全球BMS市場帶來突破性的技術升級和產(chǎn)品體驗。

△產(chǎn)品封裝外形：TOLL

1產(chǎn)品簡介

PIBG推出的CRSZ014N08N5Z，是公司第5代SGT技術平臺的最新成果，其綜合性能大幅提升。相較于上一代產(chǎn)品，CRSZ014N08N5Z在SOA以及UIS等關鍵指標上提升顯著，能夠為BMS應用提供更安全、更可靠的解決方案。

2產(chǎn)品優(yōu)勢

1.性能提升顯著

實測參數(shù)對標：與業(yè)界主流產(chǎn)品（最大導通電阻約為1.4mΩ規(guī)格）相比，CRSZ014N08N5Z的實測R DS （on）最低。其VTH典型值3.1V，既兼顧了穩(wěn)態(tài)開通時，溝道全打開低RDS（on）的要求，又可以在關斷時獲得更快的關斷閾值。

△直流參數(shù)測試

SOA特性：在BMS主回路保護與功率控制場景下，MOSFET的SOA特性是其安全可靠工作的關鍵性因素。為滿足系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行需求，PIBG基于第5代SGT技術平臺，對MOSFET的SOA特性進行嚴格界定與優(yōu)化。

實測對比波形顯示，在相同的Roff條件下模擬BMS應用慢關斷能力，CRSZ014N08N5Z的短路電流沖擊能力較上一代產(chǎn)品顯著提升，使BMS應對極端情況時優(yōu)勢突出。

△第5代CRSZ014N08N5Z實測SOA特性

△上一代 CRSZ014N08N4Z實測SOA特性

△CRSZ014N08N5Z與上一代CRSZ014N08N4Z實測SOA特性數(shù)據(jù)

UIS能力：CRSZ014N08N5Z與上一代CRSZ014N08N4Z 的UIS能力實測數(shù)據(jù)如下：

△第5代CRSZ014N08N5Z實測UIS波形

△上一代CRSZ014N08N4Z實測UIS波形

在大幅優(yōu)化Rsp的基礎上，PIBG通過創(chuàng)新的產(chǎn)品設計與結構優(yōu)化，顯著提升了第五代SGT MOSFET的SOA、UIS等關鍵性能。這使其在BMS應用中不僅具備更高的可靠性，還實現(xiàn)了更優(yōu)的成本控制，從而為客戶提供了極具競爭力的高性價比解決方案。

應用測試：在17串三元鋰電池組的120A BMS保護板實測中，產(chǎn)品能夠滿足極端工況下的應用需求。

2.技術亮點

先進12吋fab低壓極小線寬工藝；

Super SOA Ruggedness；

Rsp值已達到行業(yè)領先水平。

3產(chǎn)品應用

PIBG的第5代SGT MOS產(chǎn)品CRSZ014N08N5Z可廣泛應用于各類BMS應用領域，如家儲及戶儲等多種儲能系統(tǒng)，兩輪及三輪車電池系統(tǒng)等，已實現(xiàn)向多家BMS領域頭部企業(yè)批量供貨。

4新品列表

5展望未來

PIBG持續(xù)進行技術創(chuàng)新和產(chǎn)品迭代升級，致力于為BMS領域提供更高效、更可靠的解決方案，將于近期推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品，敬請期待！

第五代250V SGT MOSFET ：面向高串數(shù)、高電壓市場需求，PIBG開發(fā)了第五代250V產(chǎn)品CRST187N25N5Z，已通過1000H三批量可靠性認證。現(xiàn)已衍生出TO-247&TO-263&TOLL等封裝形式的新產(chǎn)品。

STOLL封裝系列產(chǎn)品：面向汽車OBC應用需求，PIBG開發(fā)了第五代100V車規(guī)級產(chǎn)品CRSZS025N10N5Q。該產(chǎn)品優(yōu)化了閂鎖能力，滿足AEC-Q101標準，賦能OBC實現(xiàn)高效可靠運行。