onsemi NVHL095N65S3HF MOSFET：高性能解決方案

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各類電源系統(tǒng)中。今天我們要介紹的是安森美（onsemi）的 NVHL095N65S3HF，一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET，屬于 SUPERFET III 系列。

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產(chǎn)品概述

SUPERFET III MOSFET 是安森美的全新高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 系列，采用了電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)旨在最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常適合各種追求小型化和更高效率的電源系統(tǒng)。而 NVHL095N65S3HF 作為該系列的一員，更是在高速開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 耐壓與電流能力：該 MOSFET 的漏源擊穿電壓（BVDSS）在 TJ = 25°C 時(shí)為 650V，在 TJ = 150°C 時(shí)可達(dá) 700V。連續(xù)漏極電流（ID）在 TC = 25°C 時(shí)為 36A，在 TC = 100°C 時(shí)為 22.8A，脈沖漏極電流（IDM）可達(dá) 90A。這些參數(shù)表明它能夠在高電壓和大電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為 78mΩ，最大為 95mΩ（VGS = 10V，ID = 18A）。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗更小，從而提高了電源系統(tǒng)的效率。
• 低柵極電荷：總柵極電荷（Qg(tot)）在 VDS = 400V，ID = 18A，VGS = 10V 時(shí)典型值為 66nC，這有助于降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
• 低輸出電容：有效輸出電容（Coss(eff.)）典型值為 556pF，較低的輸出電容可以減少開關(guān)過程中的能量損耗。

其他特性

• 雪崩測試：該器件經(jīng)過 100% 雪崩測試，具有良好的抗雪崩能力，能夠在極端情況下保證器件的可靠性。
• 汽車級應(yīng)用：NVHL 前綴適用于汽車和其他需要獨(dú)特產(chǎn)地和控制變更要求的應(yīng)用，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。
• 環(huán)保特性：這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR），符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車車載充電器（HEV - EV）：在電動(dòng)汽車的充電系統(tǒng)中，需要高效、可靠的功率器件來實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和傳輸。NVHL095N65S3HF 的高性能特性使其能夠滿足汽車車載充電器對高電壓、大電流和高效率的要求。
• 汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器（HEV - EV）：在混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車的電源系統(tǒng)中，DC/DC 轉(zhuǎn)換器用于將電池電壓轉(zhuǎn)換為適合不同負(fù)載的電壓。NVHL095N65S3HF 的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗可以提高 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率，延長電池續(xù)航時(shí)間。

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱特性

• 結(jié)到外殼熱阻（RJC）：最大值為 0.46°C/W，較低的熱阻有助于將芯片產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)到外殼，從而降低芯片溫度。
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（RJA）：最大值為 40°C/W，這反映了器件在自然散熱條件下的散熱能力。

封裝與訂購信息

該器件采用 TO - 247 封裝，包裝方式為管裝，每管 30 個(gè)。具體的訂購和發(fā)貨信息可參考數(shù)據(jù)手冊第 2 頁。

典型特性曲線

數(shù)據(jù)手冊中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、轉(zhuǎn)移特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化、Eoss 隨漏源電壓的變化等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件的性能，從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)。

測試電路與波形

數(shù)據(jù)手冊還給出了柵極電荷測試電路及波形、電阻性開關(guān)測試電路及波形、非鉗位電感開關(guān)測試電路及波形和峰值二極管恢復(fù) dv/dt 測試電路及波形，為工程師進(jìn)行器件測試和驗(yàn)證提供了參考。

總之，安森美的 NVHL095N65S3HF MOSFET 以其出色的性能和可靠性，為電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的需求和設(shè)計(jì)要求，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源系統(tǒng)。你在使用類似 MOSFET 器件時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。