華潤微代理商 - 華潤微授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤微代理商,佰祥電子本期為大家?guī)砣A潤微專為中高壓功率控制場景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTM900P10LQ,以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝等核心優(yōu)勢,破解中高壓功率場景中器件導(dǎo)通損耗高、耐壓余量不足、車載級可靠性難滿足、功率模塊小型化設(shè)計(jì)的行業(yè)痛點(diǎn)。
CRTM900P10LQ PDFN5x6 封裝外形尺寸圖
一、原生適配:專為中高壓功率控制場景匠心定制
CRTM900P10LQ 并非普通 P-MOSFET 器件的簡單設(shè)計(jì),而是立足中高壓功率控制全場景使用需求的定制化 Trench 工藝研發(fā),完美適配各類工業(yè)電機(jī)控制、高端電池管理系統(tǒng)、UPS 不間斷電源等設(shè)備,在低導(dǎo)通損耗、高耐壓穩(wěn)定性、車載級可靠性、高功率密度、極簡外圍設(shè)計(jì)之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡,一站式提供 - 100V 額定耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 持續(xù)電流、AEC-Q101 車載認(rèn)證、100% 全項(xiàng)嚴(yán)苛測試的完整功率開關(guān)一體化解決方案。
CRTM900P10LQ 輸出特性曲線
二、七大核心亮點(diǎn),重新定義中高壓功率場景 P-MOSFET 應(yīng)用標(biāo)桿
CRTM900P10LQ 導(dǎo)通電阻 - 溫度特性曲線
先進(jìn) CRM Trench 工藝,74mΩ 低導(dǎo)阻優(yōu) FOM 值
采用華潤微 CRM (CQ) 先進(jìn) Trench 溝槽工藝,原生實(shí)現(xiàn) 74mΩ 典型導(dǎo)通電阻,大幅降低器件導(dǎo)通損耗,直接提升功率轉(zhuǎn)換效率;擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)(FOM),實(shí)現(xiàn)開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的最優(yōu)平衡,完美適配中高壓功率場景的高頻開關(guān)需求;工藝層面優(yōu)化器件內(nèi)部溝道結(jié)構(gòu),提升功率密度,無需多器件并聯(lián)即可滿足中高壓常規(guī)功率需求。
-100V 高耐壓特性,車載級耐壓余量充足
額定漏源擊穿電壓 - 100V,耐壓余量充足,完美適配 30-100V 全系列中高壓功率控制的電壓需求;在額定電壓范圍內(nèi)漏源擊穿電壓(BV DSS)特性高度穩(wěn)定,無明顯參數(shù)漂移,有效抵御供電電壓波動帶來的器件故障風(fēng)險(xiǎn);器件耐壓性能經(jīng)過車載級標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證,在復(fù)雜中高壓供電環(huán)境下運(yùn)行更可靠,適配多場景電壓動態(tài)變化需求。
-17A 大電流承載,66A 脈沖高裕量
25℃硅片極限下支持 - 17A 持續(xù)漏極電流,100℃工況下仍保持 - 12A 持續(xù)電流輸出,充分滿足中高壓功率場景的大電流開關(guān)需求;25℃下脈沖漏極電流可達(dá) - 66A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時(shí)大電流功率控制場景;器件內(nèi)部優(yōu)化電流分布設(shè)計(jì),避免局部電流集中,大電流工況下溫升低,運(yùn)行狀態(tài)更穩(wěn)定,無需額外增加擴(kuò)流器件。
PDFN5x6 小型化封裝,高功率密度易量產(chǎn)
采用 PDFN5x6 高功率密度封裝,封裝尺寸小巧,大幅節(jié)省 PCB 板布局空間,優(yōu)化中高壓功率模塊的整體體積,適配小型化功率設(shè)備設(shè)計(jì)需求;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標(biāo)準(zhǔn)化,量產(chǎn)貼裝效率高、良率優(yōu);封裝散熱性能優(yōu)異,結(jié)殼熱阻僅 2.9℃/W,有效提升器件大電流工況下的散熱能力,保障長期穩(wěn)定運(yùn)行。
優(yōu)異開關(guān)特性,低柵極電荷低驅(qū)動損耗
優(yōu)化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 50nC,柵漏電荷(Qgd)低至 8nC,柵極驅(qū)動損耗大幅降低;開通延遲時(shí)間僅 9ns,開關(guān)響應(yīng)速度快,精準(zhǔn)適配中高壓場景的高頻開關(guān)應(yīng)用需求;開關(guān)過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設(shè)計(jì)難度,減少阻容濾波器件的使用,簡化驅(qū)動電路設(shè)計(jì)。
CRTM900P10LQ 電阻負(fù)載開關(guān)測試電路與波形
-55~+175℃寬溫域,全環(huán)境穩(wěn)定工作
支持 - 55~+175℃寬結(jié)溫與存儲溫度范圍,覆蓋工業(yè)級、車載級全溫域應(yīng)用需求;寬溫域內(nèi)導(dǎo)通電阻溫漂特性優(yōu)異,高低溫極端環(huán)境下器件電氣參數(shù)無明顯衰減,電流承載與耐壓能力保持穩(wěn)定;適配戶外、工業(yè)設(shè)備、車載輔助系統(tǒng)等復(fù)雜使用環(huán)境,高低溫工況下無明顯性能損耗,有效提升整機(jī)的環(huán)境適應(yīng)能力與使用壽命。
車載級全項(xiàng)認(rèn)證,100% 嚴(yán)苛測試高可靠
通過 AEC-Q101 車載級可靠性認(rèn)證,完全滿足車載電子設(shè)備的高可靠性要求,可直接應(yīng)用于車載輔助功率控制場景;器件經(jīng)過 100% DVDS 測試與 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 225mJ,抗浪涌、抗沖擊能力優(yōu)異;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強(qiáng),在異常供電工況下可有效保護(hù)器件不被損壞,全場景運(yùn)行更安全。
三、主流應(yīng)用場景
CRTM900P10LQ 安全工作區(qū)曲線
工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)動
高端電池管理系統(tǒng)
UPS 不間斷電源
車載輔助功率控制模塊
中高壓鋰電便攜設(shè)備
工業(yè)級功率開關(guān)電路
四、總結(jié)
CRTM900P10LQ 是一款采用 CRM 先進(jìn) Trench 工藝、-100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流承載、PDFN5x6 高功率密度封裝的車載級高性能 P-MOSFET,在耐壓等級、導(dǎo)通損耗、電流承載、功率密度、開關(guān)特性、溫域適配、可靠性認(rèn)證上實(shí)現(xiàn)全維度突破,相比同類型產(chǎn)品更能滿足中高壓功率場景的低損耗、高可靠、小型化應(yīng)用需求,依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的標(biāo)桿之選。
佰祥電子作為華潤微官方授權(quán)代理商,常備 CRTM900P10LQ 原廠現(xiàn)貨,可提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持,正品保障、價(jià)格優(yōu)勢顯著、交貨周期短,助力客戶中高壓功率相關(guān)產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場。
面向功率半導(dǎo)體市場車載化、高可靠、低損耗、小型化的發(fā)展趨勢,CRTM900P10LQ 以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝、AEC-Q101 車載認(rèn)證、寬溫域穩(wěn)定工作、全項(xiàng)嚴(yán)苛測試保障的核心優(yōu)勢,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的全新標(biāo)桿方案。
審核編輯 黃宇
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235092 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31284瀏覽量
266826 -
IC
+關(guān)注
關(guān)注
36文章
6484瀏覽量
186457 -
華潤微
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
110瀏覽量
5314
發(fā)布評論請先 登錄
FDC602P:P溝道2.5V PowerTrench MOSFET的技術(shù)解析
探索 onsemi NTMS10P02R2 P 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用分析
FQB22P10 P-Channel QFET? MOSFET:性能與應(yīng)用解析
FQD8P10 / FQU8P10 P-Channel QFET? MOSFET:特性與應(yīng)用解析
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET
深入解析 onsemi FQD8P10TM-F085 P-Channel MOSFET
FQP17P10 P-Channel MOSFET:特性與應(yīng)用解析
安森美100V N溝道MOSFET:NVMFS016N10MCL的特性與應(yīng)用解析
華潤微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規(guī)格書 佰祥電子
華潤微 CS18N20A8RZ-G 200V18A0.12Ω Planar TO-220 N-MOSFET 規(guī)格書 (Datasheet)
華潤微 CRTE280P06L2-G -60V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析
華潤微 CRTE280P06L2-G -60V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析
華潤微 CRTE280P06L2-G -60V P-MOSFET 規(guī)格書簡介
華潤微 CRTD050P03L2-G|-30V Trench P-MOSFET 功率器件,中低壓大電流場景高效開關(guān)新標(biāo)桿
華潤微 CRTM900P10LQ -100V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析
評論