近日,廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院科研團(tuán)隊在合成反鐵磁斯格明子體系的拓?fù)浠魻栃?yīng)研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該研究以題為“Observation of topological Hall effect in synthetic antiferromagnetic skyrmion system”的論文發(fā)表于應(yīng)用物理領(lǐng)域權(quán)威期刊《Applied Physics Letters》。致真精密儀器自主研發(fā)的AtomEdge Pro原子力顯微鏡(磁力顯微鏡 MFM模式)為該研究提供了零場磁力顯微鏡(MFM)測試支持,成功完成 [Pt/Co/Ru]?基合成反鐵磁體系的零場斯格明子形貌觀測,為該研究的關(guān)鍵結(jié)論提供了直接且可靠的形貌實驗證據(jù)。

▲《Applied Physics Letters》期刊論文截圖。

▲圖(a)、(b) 中綠色星號標(biāo)記的圖像為使用致真精密儀器 AtomEdge Pro設(shè)備采集的零場磁力顯微鏡(MFM)圖像,展示了在μ?H=0 條件下,[Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁體系中穩(wěn)定存在的單個SAF斯格明子形貌。
在該研究中,科研團(tuán)隊聚焦于[Pt/Co/Ru]2基補償型與非補償型合成反鐵磁斯格明子體系的拓?fù)浠魻栃?yīng)研究,而零場條件下斯格明子的存在性與穩(wěn)定性觀測,是表征該體系磁結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。致真精密儀器AtomEdge Pro原子力顯微鏡,承擔(dān)了本次研究的零場MFM測試工作,針對兩種核心樣品開展精準(zhǔn)觀測:一是非補償型 SAF樣品(Co 層厚度x1=1.6 nm、x2=1.8 nm),二是全補償型SAF樣品(Co 層厚度 x1=x2=1.7 nm),完成了對兩種樣品零場下斯格明子形貌的采集。
測試結(jié)果顯示,研究團(tuán)隊在μ?H=0的零外磁場條件下,清晰觀測到 [Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁體系中穩(wěn)定存在的單個SAF斯格明子:非補償型樣品中的斯格明子直徑約 250 nm,全補償型樣品中的斯格明子直徑約 150 nm,兩種斯格明子在零場下均穩(wěn)定存在,為該體系斯格明子的零場穩(wěn)定存在提供了直觀的形貌學(xué)證據(jù)。同時,該觀測結(jié)果與后續(xù)外磁場下的 MFM 測試形成對照,證實了該體系斯格明子在零場至20 mT 磁場范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
AtomEdge Pro原子力顯微鏡的零場MFM測試直接提供了實空間的微觀磁結(jié)構(gòu)證據(jù),證實了[Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁斯格明子在補償態(tài)與非補償態(tài)下均具備零場穩(wěn)定性。這一結(jié)果完善了對該體系磁結(jié)構(gòu)特性的認(rèn)知,為拓?fù)浠魻栃?yīng)的觀測提供了必要的磁結(jié)構(gòu)形貌依據(jù)。
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