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高速串行SPI SRAM存儲器解決方案

samsun2016 ? 來源:samsun2016 ? 作者:samsun2016 ? 2026-04-15 16:28 ? 次閱讀
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很多單片機MCU)在進行數(shù)據(jù)采集、圖像處理或協(xié)議轉換時,經常會遇到內置RAM容量不夠用的尷尬。雖然可以外擴內存,但傳統(tǒng)并口SRAM往往需要占用大量I/O引腳,對于本就管腳緊張的小型MCU來說,布線成本和PCB空間都有點吃不消。所以通過串行接口來擴展片外RAM,就可以很好地兼顧容量與引腳開銷。而SPI SRAM(串行靜態(tài)隨機存取存儲器)正是這種場景下的理想選擇。


相比并行SRAM,SPI SRAM僅需4根信號線(時鐘、數(shù)據(jù)輸入、數(shù)據(jù)輸出、片選)即可完成通信,大大節(jié)省了MCU的寶貴引腳資源。同時,SPI SRAM保留了傳統(tǒng)SRAM的隨機存取、無需刷新、讀寫速度快等優(yōu)點,非常適合作為數(shù)據(jù)緩存、幀緩沖或網(wǎng)絡協(xié)議棧的內存池。目前市面上已有不少國產SPI SRAM方案,性價比和供貨穩(wěn)定性都表現(xiàn)出色。


通過MCU的標準SPI外設即可訪問該存儲器。所需總線信號非常簡單:時鐘線(SCK)、數(shù)據(jù)輸入(SI)、數(shù)據(jù)輸出(SO)以及片選(CS)。MCU只需發(fā)送標準的讀/寫指令和目標地址,SPI SRAM芯片便會自動完成內部存儲陣列的操作,使用起來和操作普通SPI Flash一樣簡單,但速度更快、且無需擦除。


以英尚微電子代理的EMI公司型號EMI7008WSMI為例,這是一顆采用低功耗CMOS工藝的串行SPI SRAM,容量為8Mbit(即1M字節(jié))。它支持2.7V~3.6V寬電壓工作,時鐘頻率最高可達50MHz,并兼容標準SPI與QPI(四線SPI)兩種接口模式——既可以用傳統(tǒng)的SI/SO分離雙線傳輸,也可配置為4位I/O雙向傳輸,提升吞吐量。


該SPI SRAM芯片內置了完整的刷新管理邏輯,外部主控無需額外操作即可直接讀寫任意地址。封裝方面SPI SRAM EMI7008WSMI采用常見的8引腳SOP-8,占板面積很小,焊接方便。EMI7008WSMI的工作溫度范圍覆蓋-40℃至85℃,滿足工業(yè)級應用需求。


英尚微電子作為EMI公司的一級代理商,能夠提供從選型指導到應用支持的完整SPI SRAM存儲器解決方案。該系列SPI SRAM芯片具有低功耗、小尺寸、高可靠性的特點,在物聯(lián)網(wǎng)終端、工業(yè)控制器、便攜設備等領域獲得了大量實際應用驗證。如果您正在為MCU尋找經濟靈活的大容量RAM擴展方案,可以關注英尚微電子網(wǎng)站的產品中心頁面,獲取更多技術資料和樣品支持。

審核編輯 黃宇

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