以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球

- 關(guān)于2026國(guó)內(nèi)嵌入式PCB功率封裝技術(shù)路線全景解析

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- 本篇為基于公開資料的系統(tǒng)整理，不包含任何未授權(quán)獲取的內(nèi)部材料

|SysPro備注：把 2025H2–2026H1 國(guó)內(nèi)公開披露的主機(jī)廠、Tier1、模塊廠、芯片廠和板廠動(dòng)作放到同一框架里，講清楚各家公司到底在做什么、做到哪一步、各自路線的優(yōu)劣勢(shì)是什么、哪些結(jié)論已經(jīng)足夠確定、哪些還必須謹(jǐn)慎觀察。

導(dǎo)語：過去一年，國(guó)內(nèi)內(nèi)嵌式 PCB / 嵌入式功率模塊可謂百家爭(zhēng)鳴。25年上半年之前，大家更多是在講"這條路線很先進(jìn)""未來可能替代傳統(tǒng)模塊"，但到 2025年底、直至今日，公開信號(hào)已經(jīng)開始落到樣品試制、實(shí)測(cè)指標(biāo)、絕緣 / 熱阻瓶頸、板廠工藝導(dǎo)入以及整機(jī)收益這些更硬的層面。

圖片來源：SysPro

我們把這件事拆成三層來理解：

第一層是路線層：到底是純 PCB 嵌板、AMB 陶瓷內(nèi)嵌、S-cell/p2Pack，還是更偏 advanced packaging 的panel-level 路線；

第二層是公司層：主機(jī)廠、Tier1、模塊廠、芯片廠和板廠各自在卡什么位；

第三層才是結(jié)論層：哪些公司已經(jīng)把路線推進(jìn)到樣件和驗(yàn)證，哪些還停留在口徑與故事？

目錄

01 為什么這條路線在 2026 年突然變得值得認(rèn)真看

02 四條主流技術(shù)路線：純PCB嵌板、AMB陶瓷內(nèi)嵌、S-cell、面板級(jí)功率封裝

03–10 完整版章節(jié)（知識(shí)星球發(fā)布）

• 03 先看需求側(cè)：OEM與Tier1
• 04 重點(diǎn)公司逐家拆解
• 05 第二梯隊(duì)公司與路線補(bǔ)充觀察
• 06 PCB 板廠怎么參與進(jìn)來
• 07 四條主流路線與一張圖
• 08 最后的判斷
• 09 總結(jié)：誰在把路線做成工程路徑？

公開正文 01

01 為什么這條路線在 2026 年突然變得值得認(rèn)真看

如果只看近一兩年的公開信號(hào)，真正的變化不是“又多了幾家企業(yè)說自己在做嵌入式模塊”，而是大家真正開始從概念和口號(hào)，轉(zhuǎn)向樣品試制、性能驗(yàn)證、熱-絕緣矛盾、PCB 工藝導(dǎo)入、產(chǎn)能與資本開支這些更硬的工程節(jié)點(diǎn)。

圖片來源：SysPro

最典型的兩個(gè)新增事件，一個(gè)來自辰致集團(tuán)：它在 2026 年 1 月公開表示，PCB 嵌入式功率模塊已經(jīng)完成樣品試制，并完成相關(guān)性能測(cè)試驗(yàn)證。另一個(gè)來自聯(lián)合動(dòng)力：在 2026 年 4 月公開討論他們重點(diǎn)在AMB 陶瓷內(nèi)嵌方案如何解決嵌埋式 SiC 模塊的散熱絕緣瓶頸上。前者說明這條路線已經(jīng)走到樣件和驗(yàn)證階段，后者說明行業(yè)開始承認(rèn)：?jiǎn)渭儼研酒襁M(jìn) PCB，并不能自動(dòng)解決熱和絕緣問題。

圖片來源：SysPro

再往前補(bǔ)一條底層背景，廣汽在 2025 年 8 月官方發(fā)布“星源增程”時(shí)，已經(jīng)把“夸克電驅(qū) 2.0 應(yīng)用嵌入式功率模塊”寫成了對(duì)外賣點(diǎn)，并同時(shí)給出了體積減小 80%、電控最高效率 99.9%、1000V 平臺(tái)下驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率密度 17.29kW/kg 等指標(biāo)。這里可以看到：嵌入式功率模塊已經(jīng)開始從封裝工程師內(nèi)部討論的話題，進(jìn)入主機(jī)廠對(duì)外發(fā)布語言。

圖片來源：SysPro

同樣值得注意的是，聯(lián)合電子在 2025 年底公開的嵌入式SiC逆變磚，把方向直接拉到“逆變器系統(tǒng)邊界重構(gòu)”。它不是只說封裝，而是在說：把功率芯片、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)、采樣、輔助電源甚至控制電路一起往板上做深集成。這說明國(guó)內(nèi)頭部 Tier1已經(jīng)不滿足于把嵌入式PCB當(dāng)成“下一代模塊殼體”，而是在把它當(dāng)成重構(gòu)逆變器架構(gòu)的機(jī)會(huì)。

所以，我們今天看 2026 年國(guó)內(nèi)這條技術(shù)線，最合理的判斷不是“誰已經(jīng)絕對(duì)量產(chǎn)”，而是：誰已經(jīng)把路線、樣件、制造平臺(tái)和目標(biāo)場(chǎng)景同時(shí)公開出來？能把這四個(gè)條件同時(shí)滿足的公司，現(xiàn)在并不多。

公開正文 02

02 四條主流技術(shù)路線：純PCB嵌板、AMB陶瓷內(nèi)嵌、S-cell 、面板級(jí)功率封裝

我們先聊聊主流的技術(shù)路線。

第一條路線，是純 PCB 嵌板式路線。

這條路線的核心邏輯很直接：通過多層精密疊層、厚銅嵌埋和更短的主功率回路，把寄生電感壓到極低水平，從而允許 SiC 器件用更激進(jìn)的開關(guān)速度工作。

例如，聯(lián)合電子的逆變磚，核心賣點(diǎn)就是這條邏輯：寄生雜感低至 1nH，CLTC 工況效率約 99.5%，而且它不只在做功率部分，還把輔助電源、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)、傳感、采樣都往里塞。

第二條路線，是 AMB 陶瓷內(nèi)嵌 PCB 路線。

這條路線的出發(fā)點(diǎn)不是“雜感不夠低”，而是“熱和絕緣扛不扛得住”。

聯(lián)合動(dòng)力公開提到：現(xiàn)有嵌埋式 SiC 方案里，PCB 板內(nèi)層可以用銅塊和激光孔導(dǎo)熱，但外層高導(dǎo)熱膠膜的導(dǎo)熱系數(shù)普遍低于 15W/m·K；而 SiC 芯片峰值工況下可能超過 200℃，這會(huì)逼著行業(yè)轉(zhuǎn)向更高導(dǎo)熱、更穩(wěn)絕緣的陶瓷路徑。

圖片來源：NE時(shí)代/芯片板級(jí)埋入與集成散熱器一體化思路

第三條路線，是以 S-cell /p2Pack 為代表的 cell 型嵌板式 PCB 路線。

它更像是在純 PCB 嵌板與 AMB 陶瓷內(nèi)嵌之間尋找一個(gè)更適合工程落地的折中點(diǎn)：不是把所有收益都?jí)涸跇O限低雜感上，而是把熱路徑、絕緣邊界、互連結(jié)構(gòu)、尺寸、成本和量產(chǎn)制造窗口放在同一張表里一起平衡。

圖片來源：英飛凌 / S-cell 與 6 層 PCB 剖面示意

第四條路線，是面板級(jí) Chip Embedded Power Package 路線。

它同樣屬于芯片嵌入式功率封裝的大方向，但工藝語言已經(jīng)明顯轉(zhuǎn)向 panel-level advanced packaging。它的核心特征不再只是把功率芯片嵌進(jìn)基板，而是圍繞 coreless、Cu RDL、via filling、EMC，以及 glass / panel substrate 等工藝模塊展開，目標(biāo)是提升板級(jí)集成密度、制造效率和先進(jìn)封裝兼容性。所以這條路線更適合被理解為功率封裝與面板級(jí)先進(jìn)制造的交叉路線，而不是簡(jiǎn)單等同于車用主驅(qū)逆變磚的延長(zhǎng)線。

圖片來源：AOI

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