開關(guān)電源場效應(yīng)管的驅(qū)動電路,MOSFET DRIVER
開關(guān)電源場效應(yīng)管的驅(qū)動電路,MOSFET DRIVER
關(guān)鍵字：場效應(yīng)管驅(qū)動電路
驅(qū)動電路原理圖：
開關(guān)電源的驅(qū)動電路:
驅(qū)動電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時，常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)的?？紤]到驅(qū)動變壓器的漏感和引線電感，給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難，因此，通常的方式是利用驅(qū)動變壓器驅(qū)動一個具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動電路，再由這個電路驅(qū)動主MOSFET。如圖，驅(qū)動變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動信號，經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用，光耦既有隔離也有抗干擾功能，整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動電路驅(qū)動主MOSFET管。
開關(guān)電源的驅(qū)動電路:
驅(qū)動電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時，常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)的?？紤]到驅(qū)動變壓器的漏感和引線電感，給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難，因此，通常的方式是利用驅(qū)動變壓器驅(qū)動一個具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動電路，再由這個電路驅(qū)動主MOSFET。如圖，驅(qū)動變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動信號，經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用，光耦既有隔離也有抗干擾功能，整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動電路驅(qū)動主MOSFET管。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
探索BSS123L：高性能N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)管
增強型場效應(yīng)管——BSS123L，深入分析它的特點及其在實際應(yīng)用中的優(yōu)勢。 文件下載： BSS123L-D.PDF BSS123L入門基礎(chǔ) BSS123L是采用高密度溝槽MOSFET技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型場效應(yīng)管。這種先進的技術(shù)
飛虹MOS管FHP100N08V在不間斷電源電路中的應(yīng)用
不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開關(guān)速度、低導通電阻和易于驅(qū)動的特性，被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS
中科微電：場效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者
在半導體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以
PD快充MOS管高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案
標準更為嚴苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場需求增長，這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
發(fā)表于 11-03 09:28
深度解析場效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導體解決方案
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強型場效應(yīng)
MOSFET的原理、特性及參數(shù)
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管），簡稱MOS管，屬于場效應(yīng)管（
MOSFET深度指南：一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管）是電子學中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強等電性能優(yōu)勢，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長等工程特性。從
FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
在工業(yè)自動化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導體針對中小功率變頻驅(qū)動場景，推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導通損耗及快速開關(guān)特性，成為風機、水
微碩WINSOK高性能場效應(yīng)管，助力戶外儲能電源性能升級
戶外儲能電源是一種便攜式儲能設(shè)備，能為手機、筆記本、小型家電等提供電力解決方案，廣泛應(yīng)用于戶外活動、應(yīng)急救災(zāi)和移動辦公等場景。而微碩WINSOK高性能場效應(yīng)管WSD45P04DN56憑借其優(yōu)異的散熱
貼片MOS場效應(yīng)管型號如何識別？
貼片MOS場效應(yīng)管型號的識別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M行，以下是具體方法： 一、型號命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號通常由制造商標識、基本型號、功能標識、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見
微碩WINSOK場效應(yīng)管新品，助力無刷電機性能升級！
截至2025年，消費電子行業(yè)已成為中國無刷電機應(yīng)用的重要陣地之一。在無刷電機飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了場效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）設(shè)計的重要方向。DFN5*6封裝，以其優(yōu)異
反激式開關(guān)電源理論與原理解析
基礎(chǔ)知識開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電子電力技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率。維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM) 控
發(fā)表于 06-09 15:33
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN
評論