開關(guān)電源場效應管的驅(qū)動電路,MOSFET DRIVER
關(guān)鍵字:場效應管驅(qū)動電路
驅(qū)動電路原理圖:

開關(guān)電源的驅(qū)動電路:

驅(qū)動電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進行功率放大,以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用,常用變壓器耦合方式來實現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離,同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時,施加反向偏置,來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時,常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)的??紤]到驅(qū)動變壓器的漏感和引線電感,給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難,因此,通常的方式是利用驅(qū)動變壓器驅(qū)動一個具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動電路,再由這個電路驅(qū)動主MOSFET。如圖,驅(qū)動變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動信號,經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用,光耦既有隔離也有抗干擾功能,整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動電路驅(qū)動主MOSFET管。

開關(guān)電源的驅(qū)動電路:

驅(qū)動電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進行功率放大,以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用,常用變壓器耦合方式來實現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離,同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時,施加反向偏置,來加速器件的關(guān)斷。當驅(qū)動MOSFET器件時,常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實現(xiàn)的??紤]到驅(qū)動變壓器的漏感和引線電感,給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難,因此,通常的方式是利用驅(qū)動變壓器驅(qū)動一個具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動電路,再由這個電路驅(qū)動主MOSFET。如圖,驅(qū)動變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動信號,經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用,光耦既有隔離也有抗干擾功能,整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動電路驅(qū)動主MOSFET管。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOSFET深度指南:一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導體場效應管
前言MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應管)是電子學中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強等電性能優(yōu)勢,以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長等工程特性。從
昂洋科技談MOS管在開關(guān)電源中的應用
MOS管,即金屬氧化物半導體場效應晶體管,在開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計
結(jié)合 GTR 和功率 MOSFET 而產(chǎn)生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關(guān)器件中,功率 MOSFET 由于開關(guān)速度快,
發(fā)表于 03-27 14:48
MOS管在開關(guān)電源中的核心作用
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一,在開關(guān)電源
場效應管驅(qū)動電路設(shè)計 如何降低場效應管的噪聲
在設(shè)計場效應管驅(qū)動電路時,降低場效應管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應管的噪聲: 一、
場效應管在工業(yè)自動化中的應用
場效應管,特別是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),在工業(yè)自動化中扮演著重要角色。以下是場效應管在工業(yè)自動化中的幾個主要應用: 一、電機驅(qū)
場效應管的參數(shù)介紹 如何測試場效應管的功能
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應管廣泛應用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)
場效應管在 RF 電路中的應用
射頻(RF)電路是電子工程中的一個重要分支,它涉及到無線電波的發(fā)射、接收和處理。隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,RF電路的設(shè)計和性能要求越來越高。場效應管(FET)因其高頻率響應、低噪聲特性和良好的線性
場效應管的優(yōu)勢與劣勢 場效應管的負載能力分析
更低的噪聲水平,適合用于音頻放大器和射頻放大器。 快速開關(guān)特性 :MOSFET等場效應管具有非??斓?b class='flag-5'>開關(guān)速度,適合用于高速數(shù)字電路和
場效應管常見問題及解決方案
屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。JFET使用PN結(jié)作為控制門,而MOSFET使用金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu)。 2. 場效應管的常見問題 2.1 柵極電壓不穩(wěn)定 問題描述: 柵極電
場效應管與晶體管的區(qū)別是什么呢
場效應管與晶體管在多個方面存在顯著的區(qū)別,以下是對這兩者的比較: 一、工作原理 場效應管 : 導電過程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運動,因此被稱為單極型晶體管。 通過柵極電壓(uGS)來
常見場效應管類型 場效應管的工作原理
場效應管(MOSFET)和金屬半導體場效應管(MESFET)。 常見場效應管類型 結(jié)型場效應管(JFET) 結(jié)型
晶體管與場效應管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點
通過改變溝道中的電場來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對較低,因為基極需要電流來控制。 場效應管 :輸入阻抗非常高,因為柵極控制是通過電壓實現(xiàn)的,不需要電流。 功耗 : 晶體管 :在

開關(guān)電源場效應管的驅(qū)動電路,MOSFET DRIVER
評論