TDPS1000E0E10 半橋評估板的設(shè)計與應(yīng)用解析
在電子工程領(lǐng)域,對于開關(guān)特性和效率的研究至關(guān)重要。今天我們就來詳細探討一下 Transphorm 的 TDPS1000E0E10 半橋評估板,它為我們研究開關(guān)特性和效率提供了一個很好的平臺。
評估板簡介
TDPS1000E0E10 半橋評估板為簡單的降壓或升壓轉(zhuǎn)換器提供了基本元件,可用于研究 Transphorm 的 600V GaN 功率開關(guān)的開關(guān)特性和效率。無論是降壓還是升壓模式,電路都可以配置為同步整流。評估板通過跳線可以選擇使用單個邏輯輸入或單獨的高低輸入。其高壓輸入和輸出最高可在 400Vdc 下工作,功率輸出最高可達 1kW。板上提供的電感適用于 100kHz 的高效運行,但也可以輕松更換其他電感和頻率。
輸入/輸出規(guī)格
高壓輸入/輸出
最大為 400Vdc,這為高壓應(yīng)用提供了可能。
輔助電源(J1)
電壓范圍在 10V 到 18V 之間,為評估板的正常運行提供穩(wěn)定的輔助電源。
邏輯輸入
標稱值為 0 - 5V。對于脈沖生成電路,可直接連接到柵極驅(qū)動器,SMA 同軸連接器要求 (V{lo} < 1.5V) , (V{hi} > 3.0V) ,或 (V{lo} < 0.8V) , (V{hi} > 2.0V) 。
開關(guān)頻率
開關(guān)頻率取決于配置,下限由電感峰值電流決定,上限由所需的死區(qū)時間和功率耗散決定。HEMT 中的功率耗散受最大結(jié)溫限制,具體可參考 TPH3006PS 數(shù)據(jù)手冊。
電路描述
基本組成
電路由一個簡單的半橋組成,包含兩個 TPH3006PS GaN 功率晶體管。提供兩個高壓端口,根據(jù)配置(升壓或降壓)可作為輸入或輸出。在任何一種情況下,一個晶體管作為有源功率開關(guān),另一個承載續(xù)流電流。由于 GaN 功率晶體管的反向恢復(fù)電荷低,不需要額外的續(xù)流二極管。
輸入連接
提供兩個輸入連接器,可連接到高低柵極驅(qū)動器的邏輯電平命令信號源。兩個輸入可以由板外信號源驅(qū)動,也可以將單個信號源連接到板上的脈沖發(fā)生器電路,該電路會生成兩個非重疊脈沖。跳線決定輸入信號的使用方式。
電感
板上提供一個 320uH 的環(huán)形電感,旨在展示在 100kHz 開關(guān)頻率下,對于高達 1kW 的功率,在尺寸和效率之間的合理折衷。
評估板使用方法
功能評估
該評估板可用于評估各種電路配置中的基本開關(guān)功能,它不是一個完整的電路,而是一個構(gòu)建模塊??梢栽诜€(wěn)態(tài) DC/DC 轉(zhuǎn)換器模式下使用,輸出功率最高可達 1kW。根據(jù)電路配置和所需的工作溫度,在較高功率水平下可能需要強制空氣流動。
配置方式
降壓和升壓模式連接
降壓模式下,HVdc 輸入(端子 J2、J3)連接到高壓電源,輸出從端子 J5 和 J7 取出。升壓模式下,連接方式相反。需要注意的是,升壓模式下必須連接負載,負載電流會影響輸出電壓,直到從 DCM 過渡到 CCM。而降壓模式下,負載可以是開路。
柵極驅(qū)動信號配置
有多種配置方式??梢允褂脝蝹€外部信號源與板上脈沖生成電路配合,也可以使用兩個外部信號源作為柵極驅(qū)動器的輸入。無論哪種配置,都必須在連接器 J1 提供 10V - 18V 的輔助電源電壓。如果使用 50 歐姆信號源并需要 50 歐姆終端,則可以將下拉電阻 R5 和 R6 替換(或并聯(lián))為 1206 尺寸的 50 歐姆電阻。
死區(qū)時間控制
柵極驅(qū)動信號的形式要求存在死區(qū)時間,即兩個晶體管都不導(dǎo)通的時間,以避免直通電流。Si8230BB 柵極驅(qū)動芯片根據(jù)連接到 DT 輸入的電阻 R7 的值確保最小死區(qū)時間。死區(qū)時間(ns)等于電阻值(kohm)乘以 10,默認值 5.7k 對應(yīng) 57ns。這會加上輸入信號中已有的任何死區(qū)時間。板上脈沖發(fā)生器電路會產(chǎn)生約 60ns 的死區(qū)時間,最終 Q1 和 Q2 柵極引腳的死區(qū)時間約為 120ns。短路或移除 R7 可將死區(qū)時間減少到 60ns。
設(shè)計細節(jié)
電路原理圖和物料清單
| 詳細的電路原理圖以 pdf 格式包含在文件中,物料清單如下表所示: | Qty | Value | Package | ID | Manf | Manf P/N |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 529802B02 500G | HS1 | Aavid Thermalloy | 529802B02500G | ||
| 1 | 74LVC1G17 DBV | U3 | Texas Instruments | SN74LVC1G17DBVR | ||
| 1 | DIODE-DO- 214AC | D1 | Fairchild | ES1J | ||
| 2 | 2.2uF 450V | ECW- FD2W225J | C18 | Panasonic | ECW-FD2W225J | |
| 2 | 120ohm | FB0603 | FB1, FB2 | TDK | MMZ1608Q121B | |
| 1 | J1 | Molex | 22-23-2021 | |||
| 2 | JP2E | JP1, JP2 | FCI | 68001-403HLF | ||
| 4 | KEYSTONE_ 7691 | J2, J3, J5, J7 | Keystone | 7691 | ||
| 1 | LT3082 | U1 | Linear Technology | LT3082EST#PBF | ||
| 1 | 320uH | TVH49164A | L1 | CWS | Mag-Inc 77083 core; 63 turns AWG18 | |
| 1 | .1u | C-EUC1812 | C7 | Kemet | C1812V104KDRACTU | |
| 7 | .1u | C-USC0603 | C10, C11, C12, C14, C20, C21, C22 | AVX | 06033C104JAT2A | |
| 3 | .1u | C-USC2225K C8, C16, C17 | Vishay | VJ2225Y104KXGAT | ||
| 1 | 5.76k | R-US_R0603 R7 | Yageo | RC0603FR-075K76L | ||
| 1 | 0 | R-US_R1206 R9 | Panasonic | ERJ-8GEY0R00V | ||
| 1 | 10 | R-US_R0805 R4 | Panasonic | ERJ-6GEYJ100V | ||
| 2 | 100pF | C-USC0603 | C19, C23 | AVX | 06035A101FAT2A | |
| 1 | 10MEG | R-US_R1206 R3 | Stackpole | HVCB1206FKC10M0 | ||
| 2 | 10u | C-EUC0805 | C13, C15 | Kemet | C0805C106M4PACTU | |
| 2 | 1k | R-US_R0603 R8, R10 | Yageo | RC0603FR-071KL | ||
| 1 | 1u | C-EUC0805 | C2 | Yageo | CC0805ZRY5V8BB105 | |
| 1 | 2.2u | C-EUC0805 | C3 | TDK | C2012X5R1E225K125AC | |
| 1 | 0.68uF 630V | B32922C36 84M | C9 | EPCOS | B32922C3684M | |
| 1 | 22u | C-USC1206 | C1 | TDK | C3225X7R1C226K250AC | |
| 3 | 4.7n | C-EUC1206 | C4, C5, C6 | Kemet | C1206C472KDRACTU | |
| 3 | 4.99k | R-US_R1206 R1, R5, R6 | Stackpole | RMCF1206FT4K99 | ||
| 1 | 499k | R-US_R1206 R2 | Stackpole | RMCF1206FT499K | ||
| 2 | 74AHC1G86DBV | 74AHC1G86 DBV | U4, U5 | Texas Instruments | SN74AHC1G86DBVR | |
| 2 | BAT54W | BAT54W | D2, D3 | NXP | BAT54W | |
| 2 | BU-SMA-G | BU-SMA-G | J4, J6 | Molex | 731000114 | |
| 1 | SI8230 | SI8230 | U2 | Silicon Labs | SI8230BB-B-IS1 | |
| 2 | TPH3006PS | TPH_TO220 VERT_TRI | Q1, Q2 | Transphorm | TPH3006PS | |
| 2 | TPSPAD1-13 | TPSPAD1-13 | TP1, TP3 | (TP2, TP4, TP5 DNI) | ||
| 1 | Q1 insulator (high side) | Bergquist | SP2000-0.015-00-54 | |||
| 1 | Q2 insulator (low side) | Aavid Thermalloy | 53-77-9G |
探測與注意事項
探測方法
板上提供了標記為測試點 4 和 5(TP4、TP5)的鍍通孔,用于探測開關(guān)波形。為了在測量過程中最小化電感,探頭的尖端和接地應(yīng)直接連接到感應(yīng)點,以最小化感應(yīng)回路。為了安全、可靠和準確地測量,可以將示波器探頭尖端直接焊接到 TP4,并將短接地線焊接到 TP5。也有不需要焊接探頭尖端的替代方法。
注意事項
該評估板沒有針對過流或過壓的特定保護措施。如果在升壓模式下使用板上脈沖生成電路,零輸入對應(yīng)于有源低側(cè)開關(guān)的 100% 占空比。
效率測試
在升壓模式下,輸入 200Vdc,輸出 400Vdc,開關(guān)頻率為 100kHz 時,對該電路的效率進行了測量。
通過對 TDPS1000E0E10 半橋評估板的詳細分析,我們可以看到它在研究開關(guān)特性和效率方面的強大功能。電子工程師們可以根據(jù)實際需求,靈活配置和使用該評估板,以滿足不同的設(shè)計要求。大家在使用過程中有沒有遇到什么有趣的問題或者有更好的使用經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享。
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開關(guān)特性
+關(guān)注
關(guān)注
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