安森美SiC模塊NVVR26A120M1WSS：牽引逆變器的理想之選

在電子工程師的日常工作中，為牽引逆變器選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的NVVR26A120M1WSS碳化硅（SiC）模塊，看看它有哪些獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

NVVR26A120M1WSS是安森美EliteSiC功率模塊系列的一員，專(zhuān)為牽引逆變器設(shè)計(jì)。這是一款具有革命性的高移動(dòng)性化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品，在相似且高度兼容的封裝解決方案中，能提供更高的性能、更好的效率和更高的功率密度。該模塊采用半橋配置集成了1200V SiC MOSFET，并應(yīng)用燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片連接，以提高可靠性和熱性能，同時(shí)還滿(mǎn)足AQG324標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

低電阻與低電感

• 超低導(dǎo)通電阻：擁有超低的 $R_{DS(on)}$，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
• 超低雜散電感：雜散電感約為7.1nH，可減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

高可靠性設(shè)計(jì)

• 燒結(jié)芯片技術(shù)：采用燒結(jié)芯片技術(shù)，增強(qiáng)了模塊的可靠性，確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
• 符合汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)：滿(mǎn)足汽車(chē)模塊AQG324標(biāo)準(zhǔn)，并且具備PPAP能力，適用于汽車(chē)應(yīng)用。

寬溫度范圍

• 連續(xù)工作溫度：最大結(jié)溫 $T_{vj.Max}=175^{circ}C$，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用領(lǐng)域

NVVR26A120M1WSS主要應(yīng)用于汽車(chē)電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)（EV/HEV）的牽引逆變器，為汽車(chē)的電動(dòng)化提供了強(qiáng)大的支持。

引腳配置與訂購(gòu)信息

引腳配置

訂購(gòu)信息

電氣特性

模塊特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的條件下，模塊具有以下特性：

• 工作結(jié)溫：$-40$ 至 $175^{circ}C$。
• 隔離電壓：交流 $50Hz$，$5s$ 時(shí)為 $4200V$。
• 雜散電感：$7.1nH$。
• 模塊引線電阻：端子到芯片為 $0.3mΩ$。

絕對(duì)最大額定值

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的條件下，絕對(duì)最大額定值如下：

• 漏源電壓：$1200V$。
• 柵源電壓：$+25/-10V$。
• 連續(xù)直流電流：$V{GS}=20V$，$T{vj}=175^{circ}C$，$T_{F}=65^{circ}C$ @ $10LPM$，使用參考散熱器時(shí)為 $400A$。
• 脈沖漏源電流：$V{GS}=20V$，受 $T{vj.Max}$ 限制為 $800A$。

MOSFET特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的條件下，MOSFET具有以下特性：

• 導(dǎo)通電阻：$V{GS}=20V$，$I{D}=400A$ 時(shí)，$T{vj}=25^{circ}C$ 為 $2.6mΩ$，$T{vj}=175^{circ}C$ 為 $4.6mΩ$。
• 柵極閾值電壓：$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=150mA$ 時(shí)，典型值為 $2.1V$，最大值為 $3.2V$。

體二極管特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的條件下，體二極管具有以下特性：

• 二極管正向電壓：$V{GS}=-5V$，$I{SD}=400A$ 時(shí)，$T{vj}=25^{circ}C$ 為 $3.8V$，$T{vj}=175^{circ}C$ 為 $3.3V$。
• 反向恢復(fù)能量：$I{SD}=400A$，$V{R}=800V$，$V{GS}=-5V$，$L{s}=17nH$，$R{g.on}=3Ω$ 時(shí)，$T{vj}=25^{circ}C$ 為 $0.4mJ$，$T_{vj}=175^{circ}C$ 為 $2.1mJ$。

NTC傳感器特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的條件下，NTC傳感器具有以下特性：

• 25°C 電阻：$R_{25}$ 未給出具體值。
• 100°C 電阻偏差：$T{c}=100^{circ}C$，$R{100}=877Ω$ 時(shí)，偏差為 $pm3%$。
• 功率耗散：$T_{c}=25^{circ}C$ 時(shí)為 $125mW$。
• B 值：典型值為 $3610K$，偏差為 $pm1%$。

熱特性

• FET 結(jié)到外殼熱阻：典型值為 $0.025^{circ}C/W$，最大值為 $0.028^{circ}C/W$。
• FET 結(jié)到流體熱阻：$10L/min$，$65^{circ}C$，$50/50$ EGW，使用參考散熱器時(shí)為 $0.11^{circ}C/W$。

機(jī)械尺寸

總結(jié)

NVVR26A120M1WSS碳化硅模塊憑借其低電阻、低電感、高可靠性和寬溫度范圍等特性，成為汽車(chē)牽引逆變器的理想選擇。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí)，可以充分考慮該模塊的優(yōu)勢(shì)，以提高系統(tǒng)的性能和可靠性。同時(shí)，在使用過(guò)程中，要嚴(yán)格按照其電氣特性和絕對(duì)最大額定值進(jìn)行設(shè)計(jì)，確保模塊的正常運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似模塊的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。