onsemi NVVR26A120M1WSB碳化硅模塊:用于牽引逆變器的高性能解決方案
在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)域,牽引逆變器的性能對(duì)于車輛的整體效率和可靠性至關(guān)重要。onsemi推出的NVVR26A120M1WSB碳化硅(SiC)模塊為牽引逆變器提供了一種高性能的解決方案。下面將詳細(xì)介紹該模塊的特點(diǎn)、參數(shù)和應(yīng)用。
產(chǎn)品概述
NVVR26A120M1WSB是VE - Trac B2 SiC系列高度集成功率模塊的一部分,專為混合動(dòng)力(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該模塊采用半橋配置,集成了1200V SiC MOSFET。為了提高可靠性和熱性能,采用了燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片附著,并且該模塊設(shè)計(jì)符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
超低導(dǎo)通電阻與低雜散電感
該模塊具有超低的 (R_{DS(on)}) ,同時(shí)采用氮化鋁隔離器,雜散電感超低,約為7.1 nH。低雜散電感有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí),低雜散電感可以讓我們更輕松地實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),減少電磁干擾,你們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)雜散電感帶來(lái)的問(wèn)題呢?
高可靠性與高溫性能
連續(xù)工作時(shí) (T_{vj Max } = 175^{circ} C) ,采用燒結(jié)芯片技術(shù),提高了模塊的可靠性。汽車級(jí)SiC MOSFET芯片技術(shù)確保了模塊在惡劣的汽車環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)
模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn),并且具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力,這使得它能夠滿足汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于汽車EV/HEV的牽引逆變器,為電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。
引腳配置與標(biāo)識(shí)
引腳配置
| Pin No. | Pin Name | Pin Functional Description |
|---|---|---|
| 1 | N | Negative Power Terminal |
| 2 | P | Positive Power Terminal |
| 3 | D1 | High Side MOSFET (Q1) Drain Sense |
| 4 | N/C | No Connection |
| 5 | S1 | High Side MOSFET (Q1) Source |
| 6 | G1 | High Side MOSFET (Q1) Gate |
| 7 | N/C | No Connection |
| 8 | N/C | No Connection |
| 9 | AC | Phase Output |
| 10 | NTC1 | NTC 1 |
| 11 | S2 | Low Side MOSFET (Q2) Source |
| 12 | G2 | Low Side MOSFET (Q2) Gate |
| 13 | NTC2 | NTC 2 |
| 14 | NTC_COM | NTC common |
| 15 | D2 | Low Side MOSFET (Q2) Drain Sense |
標(biāo)識(shí)信息
模塊的標(biāo)識(shí)包含了裝配批次代碼、標(biāo)記值、裝配和測(cè)試位置、年份、工作周和序列號(hào)等信息,方便生產(chǎn)管理和追溯。
電氣與熱性能參數(shù)
模塊特性
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| (T_{vj}) | Operating Junction Temperature | -40 to 175 | °C |
| (T_{STG}) | Storage Temperature Range | -40 to 125 | °C |
| (V_{iso}) | Isolation Voltage (AC, 50 Hz, 5 s) | 4200 | V |
| (L_{sDS}) | Stray Inductance | 7.1 | nH |
| (R_{DD + SS}) | Module Lead Resistance, Terminal to Chip | 0.3 | mΩ |
| (G) | Module Weight | 48 | g |
| (CTI) | Comparative Tracking Index | >600 | |
| Minimum: Terminal to Terminal | 6.6 | mm | |
| Minimum (Note 1): Terminal to Isolated Case | 3.8 | mm | |
| (M) | M5 DIN 439B Screws for Module Terminals, Max. Torque | 2.2 | Nm |
絕對(duì)最大額定值
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | Drain - Source Voltage | 1200 | V |
| (V_{GS}) | Gate - Source Voltage | +25/?10 | V |
| (I_{DS}) | Continuous DC Current, (V{GS} = 20 V), (T{vj} = 175 ° C), (T_{F} = 65 ° C) @ 10LPM, using Ref. Heatsink (Note 2) | 400 | A |
| (I_{DS.pulsed}) | Pulsed Drain - Source Current, (V{GS} = 20 V), limited by (T{vj.Max}) | 800 | A |
| (I_{SD.BD}) | DC Current in Body Diode, (V{GS} = ?5 V), (T{vj} = 175 ° C), (T_{F} = 65 ° C) @ 10LPM, using Ref. Heatsink (Note 2) | 270 | A |
| (I_{SD.pulsed}) | Pulsed Body Diode Current, (V{GS}=-5 V), limited by (T{vj.Max}) | 800 | A |
| (P_{tot}) | Total Power Dissipation (T{vj.Max} = 175 ° C), (T{F} = 65 ° C), Ref. Heatsink (typ) | 1000 | W |
MOSFET特性
MOSFET的各項(xiàng)特性參數(shù),如導(dǎo)通電阻、閾值電壓、跨導(dǎo)、柵極電荷等,都在不同的溫度和工作條件下進(jìn)行了詳細(xì)的測(cè)試和記錄。例如,在 (T{vj}=25^{circ} C) , (V{GS} = 20V) , (I{D} = 400A) 時(shí), (R{DS(ON)}) 典型值為2.6 mΩ。這些參數(shù)對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常重要。
體二極管特性
體二極管的正向電壓、反向恢復(fù)能量、恢復(fù)電荷和峰值反向恢復(fù)電流等參數(shù)也有詳細(xì)說(shuō)明。這些參數(shù)影響著模塊在反向?qū)〞r(shí)的性能,在設(shè)計(jì)中需要充分考慮。
NTC傳感器特性
NTC傳感器用于監(jiān)測(cè)模塊的溫度,其額定電阻、阻值偏差、功率耗散和B值等參數(shù)都有明確規(guī)定。通過(guò)監(jiān)測(cè)NTC傳感器的阻值變化,可以實(shí)時(shí)了解模塊的溫度情況,確保模塊在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
熱特性
模塊的熱阻參數(shù),如 (R{th,J - C}) (FET結(jié)到外殼)和 (R{th,J - F}) (FET結(jié)到流體),對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。合理的散熱設(shè)計(jì)可以保證模塊在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和溫度的關(guān)系、轉(zhuǎn)移特性、第三象限特性、開關(guān)能量與溫度和外部柵極電阻的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),有助于工程師進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
機(jī)械尺寸
模塊采用AHPM15封裝,文檔詳細(xì)給出了其機(jī)械尺寸和公差要求。在進(jìn)行系統(tǒng)布局和安裝時(shí),需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì),確保模塊能夠正確安裝和使用。
總結(jié)
onsemi的NVVR26A120M1WSB碳化硅模塊憑借其超低導(dǎo)通電阻、低雜散電感、高可靠性和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)等特點(diǎn),為電動(dòng)汽車牽引逆變器提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可以根據(jù)模塊的各項(xiàng)參數(shù)和特性曲線,進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì),以充分發(fā)揮模塊的性能優(yōu)勢(shì)。大家在使用類似模塊時(shí),是否也會(huì)遇到一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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