chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

onsemi NVVR26A120M1WSB碳化硅模塊:用于牽引逆變器的高性能解決方案

lhl545545 ? 2026-04-29 10:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

onsemi NVVR26A120M1WSB碳化硅模塊:用于牽引逆變器的高性能解決方案

在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)域,牽引逆變器的性能對(duì)于車輛的整體效率和可靠性至關(guān)重要。onsemi推出的NVVR26A120M1WSB碳化硅(SiC)模塊為牽引逆變器提供了一種高性能的解決方案。下面將詳細(xì)介紹該模塊的特點(diǎn)、參數(shù)和應(yīng)用。

文件下載:NVVR26A120M1WSB-D.PDF

產(chǎn)品概述

NVVR26A120M1WSB是VE - Trac B2 SiC系列高度集成功率模塊的一部分,專為混合動(dòng)力(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該模塊采用半橋配置,集成了1200V SiC MOSFET。為了提高可靠性和熱性能,采用了燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片附著,并且該模塊設(shè)計(jì)符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

超低導(dǎo)通電阻與低雜散電感

該模塊具有超低的 (R_{DS(on)}) ,同時(shí)采用氮化鋁隔離器,雜散電感超低,約為7.1 nH。低雜散電感有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí),低雜散電感可以讓我們更輕松地實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),減少電磁干擾,你們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)雜散電感帶來(lái)的問(wèn)題呢?

高可靠性與高溫性能

連續(xù)工作時(shí) (T_{vj Max } = 175^{circ} C) ,采用燒結(jié)芯片技術(shù),提高了模塊的可靠性。汽車級(jí)SiC MOSFET芯片技術(shù)確保了模塊在惡劣的汽車環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。

符合汽車標(biāo)準(zhǔn)

模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn),并且具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力,這使得它能夠滿足汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于汽車EV/HEV的牽引逆變器,為電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。

引腳配置與標(biāo)識(shí)

引腳配置

Pin No. Pin Name Pin Functional Description
1 N Negative Power Terminal
2 P Positive Power Terminal
3 D1 High Side MOSFET (Q1) Drain Sense
4 N/C No Connection
5 S1 High Side MOSFET (Q1) Source
6 G1 High Side MOSFET (Q1) Gate
7 N/C No Connection
8 N/C No Connection
9 AC Phase Output
10 NTC1 NTC 1
11 S2 Low Side MOSFET (Q2) Source
12 G2 Low Side MOSFET (Q2) Gate
13 NTC2 NTC 2
14 NTC_COM NTC common
15 D2 Low Side MOSFET (Q2) Drain Sense

標(biāo)識(shí)信息

模塊的標(biāo)識(shí)包含了裝配批次代碼、標(biāo)記值、裝配和測(cè)試位置、年份、工作周和序列號(hào)等信息,方便生產(chǎn)管理和追溯。

電氣與熱性能參數(shù)

模塊特性

Symbol Parameter Rating Unit
(T_{vj}) Operating Junction Temperature -40 to 175 °C
(T_{STG}) Storage Temperature Range -40 to 125 °C
(V_{iso}) Isolation Voltage (AC, 50 Hz, 5 s) 4200 V
(L_{sDS}) Stray Inductance 7.1 nH
(R_{DD + SS}) Module Lead Resistance, Terminal to Chip 0.3
(G) Module Weight 48 g
(CTI) Comparative Tracking Index >600
Minimum: Terminal to Terminal 6.6 mm
Minimum (Note 1): Terminal to Isolated Case 3.8 mm
(M) M5 DIN 439B Screws for Module Terminals, Max. Torque 2.2 Nm

絕對(duì)最大額定值

Symbol Parameter Rating Unit
(V_{DS}) Drain - Source Voltage 1200 V
(V_{GS}) Gate - Source Voltage +25/?10 V
(I_{DS}) Continuous DC Current, (V{GS} = 20 V), (T{vj} = 175 ° C), (T_{F} = 65 ° C) @ 10LPM, using Ref. Heatsink (Note 2) 400 A
(I_{DS.pulsed}) Pulsed Drain - Source Current, (V{GS} = 20 V), limited by (T{vj.Max}) 800 A
(I_{SD.BD}) DC Current in Body Diode, (V{GS} = ?5 V), (T{vj} = 175 ° C), (T_{F} = 65 ° C) @ 10LPM, using Ref. Heatsink (Note 2) 270 A
(I_{SD.pulsed}) Pulsed Body Diode Current, (V{GS}=-5 V), limited by (T{vj.Max}) 800 A
(P_{tot}) Total Power Dissipation (T{vj.Max} = 175 ° C), (T{F} = 65 ° C), Ref. Heatsink (typ) 1000 W

MOSFET特性

MOSFET的各項(xiàng)特性參數(shù),如導(dǎo)通電阻、閾值電壓、跨導(dǎo)、柵極電荷等,都在不同的溫度和工作條件下進(jìn)行了詳細(xì)的測(cè)試和記錄。例如,在 (T{vj}=25^{circ} C) , (V{GS} = 20V) , (I{D} = 400A) 時(shí), (R{DS(ON)}) 典型值為2.6 mΩ。這些參數(shù)對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常重要。

二極管特性

體二極管的正向電壓、反向恢復(fù)能量、恢復(fù)電荷和峰值反向恢復(fù)電流等參數(shù)也有詳細(xì)說(shuō)明。這些參數(shù)影響著模塊在反向?qū)〞r(shí)的性能,在設(shè)計(jì)中需要充分考慮。

NTC傳感器特性

NTC傳感器用于監(jiān)測(cè)模塊的溫度,其額定電阻、阻值偏差、功率耗散和B值等參數(shù)都有明確規(guī)定。通過(guò)監(jiān)測(cè)NTC傳感器的阻值變化,可以實(shí)時(shí)了解模塊的溫度情況,確保模塊在安全的溫度范圍內(nèi)工作。

熱特性

模塊的熱阻參數(shù),如 (R{th,J - C}) (FET結(jié)到外殼)和 (R{th,J - F}) (FET結(jié)到流體),對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。合理的散熱設(shè)計(jì)可以保證模塊在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和溫度的關(guān)系、轉(zhuǎn)移特性、第三象限特性、開關(guān)能量與溫度和外部柵極電阻的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),有助于工程師進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和優(yōu)化。

機(jī)械尺寸

模塊采用AHPM15封裝,文檔詳細(xì)給出了其機(jī)械尺寸和公差要求。在進(jìn)行系統(tǒng)布局和安裝時(shí),需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì),確保模塊能夠正確安裝和使用。

總結(jié)

onsemi的NVVR26A120M1WSB碳化硅模塊憑借其超低導(dǎo)通電阻、低雜散電感、高可靠性和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)等特點(diǎn),為電動(dòng)汽車牽引逆變器提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可以根據(jù)模塊的各項(xiàng)參數(shù)和特性曲線,進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì),以充分發(fā)揮模塊的性能優(yōu)勢(shì)。大家在使用類似模塊時(shí),是否也會(huì)遇到一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12700

    瀏覽量

    237286
  • 牽引逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    68

    瀏覽量

    10666
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

    IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí),并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1:電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSF
    發(fā)表于 11-02 12:02

    解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊:電動(dòng)車牽引逆變器的理想之選

    在當(dāng)今電動(dòng)車和混合動(dòng)力車蓬勃發(fā)展的時(shí)代,牽引逆變器作為核心部件,對(duì)功率模塊性能和可靠性提出了極高要求。onsemi
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:51 ?1778次閱讀
    解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NVVR26A120M1WSB</b> SiC 功率<b class='flag-5'>模塊</b>:電動(dòng)車<b class='flag-5'>牽引</b><b class='flag-5'>逆變器</b>的理想之選

    解析 onsemi NVVR26A120M1WSS:碳化硅模塊的卓越之選

    在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,碳化硅(SiC)技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在功率電子領(lǐng)域嶄露頭角。onsemiNVVR26A120M1WSS 作為一款應(yīng)用于
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:57 ?468次閱讀
    解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NVVR26A120M1</b>WSS:<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>的卓越之選

    onsemi碳化硅模塊NXH040P120MNF1:高效能解決方案

    onsemi碳化硅模塊NXH040P120MNF1:高效能解決方案 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(Si
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:05 ?60次閱讀

    onsemi碳化硅模塊NXH030P120M3F1PTG技術(shù)解析

    onsemi碳化硅模塊NXH030P120M3F1PTG技術(shù)解析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:15 ?63次閱讀

    onsemi碳化硅模塊NXH030S120M3F1PTG:性能與應(yīng)用解析

    onsemi碳化硅模塊NXH030S120M3F1PTG:性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:20 ?66次閱讀

    onsemi NXH040F120MNF1碳化硅功率模塊的技術(shù)解析

    onsemi NXH040F120MNF1碳化硅功率模塊的技術(shù)解析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:25 ?46次閱讀

    安森美NXH020P120MNF1碳化硅模塊高性能電力電子解決方案

    安森美NXH020P120MNF1碳化硅模塊高性能電力電子解決方案 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(S
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:35 ?57次閱讀

    onsemi碳化硅模塊NXH010P120M3F1深度解析

    onsemi碳化硅模塊NXH010P120M3F1深度解析 在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:05 ?545次閱讀

    onsemi碳化硅模塊NXH008P120M3F1技術(shù)解析

    onsemi碳化硅模塊NXH008P120M3F1技術(shù)解析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:20 ?567次閱讀

    # onsemi碳化硅模塊NXH003P120M3F2PTNG的性能解析與應(yīng)用探討

    onsemi碳化硅模塊NXH003P120M3F2PTNG的性能解析與應(yīng)用探討 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:35 ?551次閱讀

    onsemi NVXR22S90M2SPB碳化硅模塊牽引逆變器的理想之選

    onsemi NVXR22S90M2SPB碳化硅模塊牽引逆變器的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:40 ?582次閱讀

    onsemi NVXR17S90M2SPB碳化硅模塊牽引逆變器的理想之選

    onsemi NVXR17S90M2SPB碳化硅模塊牽引逆變器的理想之選 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:40 ?638次閱讀

    解析NVVR26A120M1WST:高性能碳化硅功率模塊的卓越之選

    解析NVVR26A120M1WST:高性能碳化硅功率模塊的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,功率模塊性能
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:25 ?179次閱讀

    安森美SiC模塊NVVR26A120M1WSS:牽引逆變器的理想之選

    )的NVVR26A120M1WSS碳化硅(SiC)模塊,看看它有哪些獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)。 文件下載: NVVR26A120M1WSS-D.PD
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:25 ?186次閱讀