知情人士表示,韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)計劃明年限制內(nèi)存芯片產(chǎn)量,從而在預計內(nèi)存芯片需求放緩之際保持供需平衡。該知情人士說,此舉將有助于維持或推高半導體價格。他表示,三星目前預計動態(tài)隨機存取存儲器的位元成長率不到20%,而NAND閃存的位元成長率約為30%。三星今年早些時候表示,預計2018年DRAM內(nèi)存和NAND閃存的位元成長率分別為20%和40%。
位元成長率是衡量內(nèi)存芯片市場需求的一個關鍵晴雨表。較弱的預測可能導致芯片制造商削減諸如設備和材料訂單的投資,同時限制供應,推高價格。目前三星是全球最大的NAND和DRAM生產(chǎn)商,與海力士半導體和一起,主導著智能手機、電腦和其他存儲數(shù)字數(shù)據(jù)設備的關鍵原料供應。
如果三星真的削減DRAM內(nèi)存的位元成長率,這表明該公司對目前的寡頭壟斷市場結(jié)構(gòu)感到滿意?!八鼉A向于保持供應緊張和價格高企,而不是冒著價格下跌的風險搶占市場份額,因此DRAM內(nèi)存價格保持強勁的概率更高?!?/p>
三星就此拒絕置評。
半導體業(yè)務目前是三星規(guī)模最大、最賺錢的業(yè)務,因為它為自己的設備生產(chǎn)芯片,同時向其他智能手機制造商銷售內(nèi)存芯片。芯片業(yè)務在2017年創(chuàng)造了35.2萬億韓圓(合314億美元)的營業(yè)收入,較上年同期增長了一倍多,幫助推動該公司的盈利達到創(chuàng)紀錄水平。
在2017年創(chuàng)下歷史新高之后,三星的股價今年以來下跌了7.3%。
本月早些時候,摩根士丹利(Morgan Stanley)以肖恩?金(Shawn Kim)為首的分析師預測,服務器端DRAM內(nèi)存芯片的前景趨弱,并對庫存增加發(fā)出警告。
根據(jù)市場研究公司IC Insights的數(shù)據(jù),2017年內(nèi)存芯片行業(yè)DRAM位元成長率為20%,僅為2016年40%的一半。雖然服務器推動了對內(nèi)存的需求,但全球智能手機銷售的停滯卻引發(fā)了對半導體市場增長的擔憂。
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原文標題:消息稱三星將有意減緩明年內(nèi)存芯片產(chǎn)出
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