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onsemi FFSH20120ADN - F155碳化硅肖特基二極管技術解析

lhl545545 ? 2026-05-06 15:50 ? 次閱讀
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onsemi FFSH20120ADN - F155碳化硅肖特基二極管技術解析

電力電子領域,半導體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天我們要深入探討的是 onsemi 公司的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅(SiC)肖特基二極管,它憑借先進的技術和卓越的性能,成為眾多應用場景中的理想選擇。

文件下載:FFSH20120ADN-D.PDF

一、產品概述

FFSH20120ADN - F155 是一款 20A、1200V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 247 - 3L 封裝。與傳統(tǒng)的硅二極管相比,碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術,具有更優(yōu)越的開關性能和更高的可靠性。它沒有反向恢復電流,開關特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點使碳化硅成為下一代功率半導體的代表。該產品在系統(tǒng)應用中能帶來諸多好處,如實現(xiàn)最高效率、支持更快的工作頻率、提高功率密度、降低電磁干擾(EMI)以及減小系統(tǒng)尺寸和成本。

二、產品特性

溫度與雪崩特性

  • 高結溫能力:最大結溫可達 175°C,這使得該二極管能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于一些對散熱要求較高的應用場景。
  • 雪崩額定能量:雪崩額定能量為 100mJ,這一特性保證了二極管在承受瞬間高能量沖擊時的可靠性,增強了其在復雜電路中的穩(wěn)定性。

電流與系數(shù)特性

  • 高浪涌電流能力:具備高浪涌電流容量,能夠承受較大的瞬間電流沖擊,這對于一些可能出現(xiàn)電流突變的電路非常重要。
  • 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)的特性使得多個二極管并聯(lián)使用時更加容易,因為隨著溫度升高,二極管的電阻增大,從而自動平衡各二極管之間的電流,避免了因電流分配不均而導致的損壞。

環(huán)保特性

該器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),并且符合 RoHS 標準,體現(xiàn)了環(huán)保理念,滿足了現(xiàn)代電子設備對綠色環(huán)保的要求。

三、應用領域

  • 通用應用:適用于各種通用電路,為電路提供穩(wěn)定的整流功能。
  • 開關電源(SMPS:在開關電源中,該二極管的高性能能夠提高電源的效率和穩(wěn)定性,減少能量損耗。
  • 太陽能逆變器:在太陽能逆變器中,它可以有效轉換太陽能電池板產生的直流電,提高能源轉換效率。
  • 不間斷電源(UPS):在 UPS 系統(tǒng)中,能夠保證電源的穩(wěn)定輸出,為設備提供可靠的電力支持。
  • 功率開關電路:在功率開關電路中,其快速的開關特性和低損耗能夠提高電路的性能。

四、絕對最大額定值

參數(shù) 條件 數(shù)值 單位
峰值重復反向電壓(VRRM) - 1200 V
單脈沖雪崩能量(EAS) 起始 (T{J}=25^{circ} C),(L = 0.5 mH),(I{AS}=20 A),(V = 150 V) 100 mJ
連續(xù)整流正向電流(IF) (T_{C}<155^{circ} C) 10(每腿)/ 20(每器件) A
非重復峰值正向浪涌電流(IF,Max) (T_{C}=25^{circ}C),10μs 630 A
(T_{C}=150^{circ}C),10μs 560 A
非重復正向浪涌電流(IF,SM) 半正弦脈沖,(t_{p}=8.3 ms) 96 A
重復正向浪涌電流(IF,RM) 半正弦脈沖,(t_{p}=8.3 ms) 46 A
功率耗散(PTOT) (T_{C}=25^{circ}C) 150 W
(T_{C}=150^{circ} C) 25 W
工作和存儲溫度范圍(TJ, TSTG) - -55 至 +175 °C
TO - 247 安裝扭矩(M3 螺絲) - 60 Ncm

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會導致?lián)p壞并影響可靠性。

五、熱特性

熱阻(Ruc),即結到外殼的熱阻,最大值為 1(每腿)/ 0.44(每器件)°C/W。良好的熱特性有助于二極管在工作過程中及時散熱,保證其性能的穩(wěn)定性。

六、電氣特性

正向電壓(VF)

在不同的電流和溫度條件下,正向電壓有所不同。例如,當 (I{F}=10 A),(T{C}=25^{circ} C) 時,典型值為 1.45V,最大值為 1.75V;當 (T{C}=125^{circ} C) 時,典型值為 1.7V,最大值為 2.0V;當 (T{C}=175^{circ} C) 時,典型值為 2.0V,最大值為 2.4V。這表明隨著溫度的升高,正向電壓會相應增加。

反向電流(IR)

當 (V{R}=1200 V) 時,不同溫度下的反向電流也不同。在 (T{C}=25^{circ} C) 時,最大值為 200μA;在 (T{C}=125^{circ} C) 時,最大值為 300μA;在 (T{C}=175^{circ} C) 時,最大值為 400μA。反向電流隨著溫度的升高而增大。

總電容電荷(Qc)和總電容(C)

總電容電荷在 (V = 800 V) 時,典型值為 62nC??傠娙菰诓煌姆聪螂妷汉皖l率下有不同的值,例如在 (V{R}=1 V),(f = 100 kHz) 時,典型值為 612;在 (V{R}=400 V),(f = 100 kHz) 時,典型值為 58;在 (V_{R}=800 V),(f = 100 kHz) 時,典型值為 47。

七、訂購信息

產品編號 頂部標記 封裝 包裝方式 數(shù)量
FFSH20120ADN - F155 FFSH20120ADN TO - 247 - 3LD 管裝 30 個

八、總結

onsemi 的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅肖特基二極管以其卓越的性能和環(huán)保特性,在電力電子領域具有廣闊的應用前景。其先進的技術和出色的參數(shù)使其成為提高系統(tǒng)效率、可靠性和功率密度的理想選擇。電子工程師在設計電路時,可以根據(jù)具體的應用需求,合理選擇該二極管,以實現(xiàn)更好的電路性能。你在實際應用中是否使用過類似的碳化硅肖特基二極管呢?遇到過哪些問題又有哪些解決經(jīng)驗呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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