在嵌入式系統(tǒng)與工業(yè)控制領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片既要滿足快速讀寫(xiě)，又得在掉電時(shí)保住關(guān)鍵數(shù)據(jù)。并行接口MRAM芯片MR256DL08BMA45正是這樣一款兼顧速度與可靠性的產(chǎn)品。它基于磁性隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)，擁有近乎無(wú)限的讀寫(xiě)壽命，同時(shí)保留了傳統(tǒng)SRAM的便捷并行控制接口，特別適合那些對(duì)數(shù)據(jù)持久性和高頻寫(xiě)入有嚴(yán)格要求的場(chǎng)景。

MRAM芯片MR256DL08BMA45的存儲(chǔ)容量為256Kb，采用8位I/O并行接口，數(shù)據(jù)交換效率高。MRAM芯片引入了雙電源架構(gòu)：核心電壓VDD支持2.7V至3.6V，而I/O電壓VDDQ則寬至1.65V～3.6V。這種低量程雙電源設(shè)計(jì)，讓芯片能輕松適配不同邏輯電平的系統(tǒng)，無(wú)需額外電平轉(zhuǎn)換，既簡(jiǎn)化了硬件設(shè)計(jì)，又降低了功耗。

讀寫(xiě)性能方面，MRAM芯片典型訪問(wèn)時(shí)間為45ns，與異步SRAM相當(dāng)，可實(shí)現(xiàn)無(wú)等待狀態(tài)的直接讀寫(xiě)。更重要的是，它沒(méi)有擦寫(xiě)次數(shù)限制——無(wú)論你以多高頻次寫(xiě)入數(shù)據(jù)，都不會(huì)像EEPROM或Flash那樣出現(xiàn)磨損問(wèn)題。數(shù)據(jù)保存期限長(zhǎng)達(dá)20年，且具備真正的非易失性：斷電瞬間，所有信息自動(dòng)保持，無(wú)需后備電池或?qū)懖僮鞅Ｗo(hù)動(dòng)作。

MRAM芯片MR256DL08BMA45對(duì)電源序列有著周全的考慮。內(nèi)部寫(xiě)保護(hù)邏輯會(huì)監(jiān)測(cè)VDD與VDDQ：只要任一電源電壓低于對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入閾值電壓（VWIDD或VWIDDQ），MRAM芯片就會(huì)自動(dòng)禁止寫(xiě)入操作。這一特性對(duì)于電壓不穩(wěn)定或緩慢升降的系統(tǒng)尤為重要，有效防止了欠壓時(shí)發(fā)生數(shù)據(jù)損壞。

并行接口MRAM芯片MR256DL08BMA45非常適合數(shù)據(jù)采集器、PLC模塊、運(yùn)動(dòng)控制器、行車(chē)記錄儀黑匣子以及需要頻繁保存狀態(tài)參數(shù)的物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備。MRAM芯片既保留了傳統(tǒng)并行存儲(chǔ)器簡(jiǎn)單直接的控制方式，又帶來(lái)了MRAM特有的“永不磨損”特性，是取代電池供電SRAM或有限壽命Flash的理想升級(jí)路徑。everspin代理商英尚微可以提供技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品解決方案。

審核編輯 黃宇