根據(jù)韓國媒體報導，韓國存儲器大廠SK海力士于10月4日在韓國忠清北道清州舉行M15半導體工廠啟用典禮，并開始生產(chǎn)第5代96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，這也將鞏固SK海力士全球第二大存儲器制造商的地位。

報導指出，SK海力士在M15投資了15萬億韓元，一開始將生產(chǎn)第4代72層堆疊3D NAND Flash快閃存儲器，然后從2019年初開始生產(chǎn)96層3D NAND Flash快閃存儲器。相較第4代72層堆疊產(chǎn)品，第5代96層堆疊3D NAND Flash快閃存儲器，在傳輸速度、容量、功耗都提高30%~40%。

SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。SK海力士目前在NAND Flash市場排名第五，預計藉由擴大生產(chǎn)96層堆疊3D NAND Flash快閃存儲器，將縮小與競爭對手三星、東芝、美光等企業(yè)的差距。

M15工廠落成，也代表著SK海力士對DRAM的依賴可逐步減少。2017全年，DRAM占公司營業(yè)利益90%，2018年第2季SK海力士在全球DRAM市場排名第二，市占率為29.9%。NAND Flash快閃存儲器市場排名第五，市占率10.6%。

由于全球NAND Flash快閃存儲器需求成長，使存儲器制造商增加投資NAND Flash快閃存儲器。

如三星將投資70億美元在西安建立第2家NAND Flash快閃存儲器制造工廠，并自2019年底前開始生產(chǎn)48層堆疊NAND Flash快閃存儲器。

東芝方面，近期在日本建造了一座類似的工廠，最近也完成32層堆疊NAND Flash快閃存儲器開發(fā)，計劃從2018年底開始生產(chǎn)。

目前韓國、美國和日本等存儲器公司正在積極開發(fā)96層堆疊NAND Flash快閃存儲器。2017年6月，東芝與西數(shù)合作開發(fā)該技術，且于日前正式生產(chǎn)。美光科技方面，則計劃在2017年與英特爾完成開發(fā)，三星在2018年5月正式宣布供應90層堆疊產(chǎn)品。

根據(jù)相關業(yè)者表示，M15工廠未來成功營運后，可有效改善SK海力士目前業(yè)務結構。相較SK海力士，三星在DRAM和NAND Flash的比重為60%和40%。之前，SK海力士愿意參與貝恩資本發(fā)起的“美日韓聯(lián)盟”，投資不少于4萬億韓元，參與競標東芝半導體經(jīng)營權，就是想降低對DRAM產(chǎn)品的依賴。

根據(jù)SK海力士2018年第2季財報，營業(yè)利益較2017年同期的3.1萬億韓元上升83%，來到5.6萬億韓元，也優(yōu)于市場預期的5.4萬億韓元，營收年增55%，達到創(chuàng)紀錄的10.4萬億韓元。其中，DRAM占80%銷量，NAND Flash則占18%。