日前美國司法部宣布，對福建晉華、其合作伙伴聯(lián)華電子以及三名個人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲芯片公司美光科技的知識產權和商業(yè)機密，估計價值達87.5億美元。所有被告都被指控共謀經濟間諜罪。如果罪名成立，被告企業(yè)將面臨最高逾200億美元罰款。這是繼中興之后，美國政府再次對中國科技企業(yè)實施出口限制令。被處罰的福建晉華同樣屬于“中國制造2025計劃”，這不僅是福建晉華遭受的沉重打擊，也是中國存儲芯片制造本地化受到的重大挫折。

中美貿易戰(zhàn)為我國半導體行業(yè)敲響警鐘，半導體自主可控不僅僅是口號，更是涉及到國家安全、國計民生的要務，隨著自主可控呼聲越來越大，集成電路產業(yè)發(fā)展需求必將倒逼芯片國產化進程。未來設備國產化是必然選擇，隨著國家半導體行業(yè)的發(fā)展，國產設備市場空間超百億。

晶圓廠的投資建廠熱潮

芯片應用領域擴大，半導體行業(yè)進入高景氣周期確定。隨著AI芯片、5G芯片、汽車電子、物聯(lián)網等下游的興起，全球半導體行業(yè)重回景氣周期。存儲器行業(yè)3D NAND擴產導致應用領域擴大，全球晶圓廠擴建對芯片需求上升。全球晶圓廠興建，半導體設備投資大增。過去兩年全球共興建十七座12寸晶圓廠，有十座設在中國大陸。2016-2017年中國大陸興建晶圓廠潮將帶來2018-2019年的設備投資潮，整個全球半導體設備產業(yè)將會出現(xiàn)前所未見的欣欣向榮局面。中國大陸預計于2019年成為全球設備支出最高地區(qū)，為國產半導體設備的崛起提供了發(fā)展機會。

據報告顯示，2017年晶圓廠設備投資金額將達歷史最高值570億美元。對芯片的需求、內存漲價以及激烈的競爭推動晶圓廠投資額到達高位，許多公司的投資都超過歷史記錄，用于新的晶圓廠建設和設備。

晶圓廠設備采購的激增與全球集成電路產業(yè)向國內轉移脫不開關系——過去兩年間，全球新建17座12寸晶圓制造廠，其中10座位于中國大陸，從2017年到2020年，預計全球新增半導體產線62條，其中有26條位于中國大陸，占總數的42%。

有公開數據顯示，僅在2018年就有多條產線完工或投產。

半導體設備壟斷程度高，國產化困難重重

2016年全球半導體專用設備前十市占率達92%，銷售規(guī)模達379億美元，而中國半導體設備前十銷售額近7.3億美元，其主要原因是集成電路行業(yè)屬于典型技術和資本密集型行業(yè)，技術差距大，我國設備自制率僅14%，且集中于后道的封測環(huán)節(jié)，未來隨著我國政策和資金持續(xù)扶持加碼，關鍵設備有望實現(xiàn)技術突破。

1996年5月12日于荷蘭瓦圣納簽署《瓦圣納協(xié)議》，協(xié)定包括加入管制敏感性高科技輸往中國等國家，基于該協(xié)議的技術封鎖導致半導體設備國產化困難重重，只能依靠進口國外落后的設備和自主研發(fā)。

半導體產業(yè)鏈的上、中、下游

目前，半導體產業(yè)鏈的上游是支撐產業(yè)鏈，包括了半導體原材料生產、加工設備制造及廠房的修建等;中游是核心加工環(huán)節(jié)，分為芯片設計、晶圓加工、封裝測試;下游是半導體產品在各行各業(yè)的應用。

其中上游及中游的晶圓加工是技術密集型和資本密集型產業(yè)，集中度也最高。

以晶圓上游硅晶圓為例，全球92%產能在日本信越、勝高、德國Silitronic、***環(huán)球晶圓、南韓LG五大企業(yè)手中，且五大巨頭無大規(guī)模擴產計劃。

以設備供應商為例，美國Applie Materials、Lam Research、荷蘭ASML、日本Tokyo Electron 、DNS等前十大半導體廠商市占率在90%以上，在細分品種上都有著壟斷性優(yōu)勢。

我國半導體市場需求占據全球約3成比例，但2016年產業(yè)自給率僅有36%，嚴重依賴進口，集成電路貿易逆差達1657億美元。這些都不是輕易能夠逾越過去的鴻溝，正因如此***顯得尤為緊迫。

在這方面，國家集成電路產業(yè)投資基金(大基金)一期1387億元投資布局在上下游細分領域的龍頭企業(yè)，正是為了完成產業(yè)布局，尋求“超車”機會。多省市也陸續(xù)成立或籌建集成電路產業(yè)投資基金。

大陸半導體核心產業(yè)鏈逐步規(guī)?；?/p>

半導體產業(yè)鏈分為核心產業(yè)鏈、支撐產業(yè)鏈。核心產業(yè)鏈包括半導體產品的設計、制造及封裝測試。支撐產業(yè)鏈則包括為設計環(huán)節(jié)服務的EDA(電子設計自動化)工具及IP核供應商、為制造封測環(huán)節(jié)服務的原材料及設備供應商。

半導體支撐產業(yè)鏈由歐美日本壟斷，大陸廠商與國際龍頭技術及規(guī)模差距甚大。EDA工具環(huán)節(jié)由美國絕對主導，IP核由英美兩國主導，大陸企業(yè)在此領域涉足甚少。原材料由日本主導，大陸企業(yè)在靶材、拋光液個別領域已達國際水平，但在硅片、光罩、光刻膠等核心領域仍有較大差距。設備環(huán)節(jié)仍主要由歐美、日本壟斷，大陸企業(yè)在MOCVD等個別細分領域有所突破。大陸半導體核心產業(yè)鏈環(huán)節(jié)正逐步規(guī)?；?，陸續(xù)誕生躋身全球前十的龍頭廠商。

大陸芯片設計業(yè)：全球市占率已達22%，龍頭企業(yè)為華為海思、紫光。盡管全球IC設計業(yè)已漸趨放緩，但大陸IC設計市場成長迅速，未來三年復合增長預計提速至30%。然而大多數企業(yè)仍在盈利線上掙扎，成長質量亟待提升。絕大部分企業(yè)聚焦中低端市場，在CPU、存儲器等高端通用領域與國際先進水平差距較大。

大陸晶圓代工業(yè)：全球市占率為10%，相對薄弱，龍頭企業(yè)為中芯國際、華虹。下游IC設計業(yè)快速成長帶來晶圓代工剛需，疊加政策資金重點扶持，預計未來三年復合增速在15%以上。大陸代工廠仍未完全掌握28nm及以下先進工藝，較國際龍頭仍有兩代技術差距，產品利潤率不甚理想。

大陸芯片封測業(yè)：全球市占率已達17%，龍頭企業(yè)為長電、華天、通富微電。在上游晶圓代工業(yè)帶動下，未來三年復合增速預計維持在10-15%。大陸企業(yè)技術逐漸向一線靠齊，預計未來三年利潤率逐年改善。

總結

雖然我國設備市場呈現(xiàn)繁榮景象，半導體制造設備國產化進程不斷加速，但國產化完全替代不是一撮而就，只有不斷加強研發(fā)水平、提高技術能力，才能真真正正提高我國半導體制造設備的國際競爭力。