展示UltraScale +產(chǎn)品系列中最低的核心電壓產(chǎn)品,與7系列器件相比,每瓦特性能提升2.4倍。 Vlow選項使客戶能夠選擇性能提高50%,性能提升1.2倍,大型設(shè)備提高2倍或高1.6倍
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
賽靈思
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
1797瀏覽量
132895 -
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
45文章
5742瀏覽量
119928 -
性能
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
276瀏覽量
19550
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
fpga開發(fā)板 璞致 Kintex UltraScale Plus PZ-KU3P 與 PZ-KU5P核心板與開發(fā)板用戶手冊
的Kintex UltraScale+開發(fā)板采用核心板+底板結(jié)構(gòu),核心板提供KU3P/KU5P兩種型號,配備2GB DDR4、256Mb QSPI Flash等資源,通過240P高速連接器與底板連接。底板集成了千兆以太網(wǎng)、QSF

選擇性波峰焊焊接溫度全解析:工藝控制與優(yōu)化指南
過錫帶來的損傷。 其中, 焊接溫度 ?是影響焊點質(zhì)量和可靠性的核心參數(shù)之一。本文將系統(tǒng)解析選擇性波峰焊焊接溫度的定義、工藝要求、常見問題及優(yōu)化思路,并介紹行業(yè)領(lǐng)先的? AST 埃斯特選擇性波峰焊設(shè)備 ?如何幫助企業(yè)實現(xiàn)高良率生產(chǎn)
深度梳理:AST埃斯特SEL-32選擇性波峰焊的核心配置與性能優(yōu)勢
一、核心綜合優(yōu)勢 1.高性價比 在保障性能、可靠性與擴(kuò)展性的基礎(chǔ)上,有效控制成本,為用戶提供兼具品質(zhì)與經(jīng)濟(jì)性的選擇,該優(yōu)勢在需求中多次提及,是設(shè)備核
璞致電子 UltraScale+ RFSoC 架構(gòu)下的軟件無線電旗艦開發(fā)平臺
璞致電子 PZ-ZU49DR-KFB 開發(fā)板基于 Xilinx ZYNQ UltraScale+ RFSoC XCZU49DR 主控制器,以 "ARM+FPGA 異構(gòu)架構(gòu)" 為

Keithley 6517B靜電計在離子選擇性電極和pH測量中的優(yōu)勢
的測量儀器,特別適用于這些領(lǐng)域的低電流和高阻抗電壓、電阻和電荷測量。本文將詳細(xì)探討Keithley 6517B靜電計在離子選擇性電極和pH測量中的獨特優(yōu)勢。 高精度與靈敏度 ? Keithley 6517B靜電計提供了無與倫比的

AMD Spartan UltraScale+ FPGA 開始量產(chǎn)出貨
邊緣應(yīng)用而設(shè)計,為業(yè)經(jīng)驗證的 UltraScale+ FPGA 和自適應(yīng) SoC 產(chǎn)品組合帶來了現(xiàn)代化的連接、后量子密碼等功能。 三款最低

正點原子AU15開發(fā)板資料發(fā)布!板載40G QSFP、PCIe3.0x8和FMC LPC等接口,性能強(qiáng)悍!
正點原子AU15開發(fā)板資料發(fā)布!板載40G QSFP、PCIe3.0x8和FMC LPC等接口,性能強(qiáng)悍!
正點原子AU15開發(fā)板搭載Xilinx Artix UltraScale+ 系列FPGA
發(fā)表于 05-30 17:04
Xilinx Ultrascale系列FPGA的時鐘資源與架構(gòu)解析
。Ultrascale+采用16ns,有3個系列:Artix,Kintex,Virtex。不僅是工藝制程方面,在其他方面也存在較大改進(jìn),如時鐘資源與架構(gòu),本文將重點介紹Ultrascale的時鐘資源與架構(gòu),Ultrascale+

什么是高選擇性蝕刻
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
Zynq UltraScale+ MPSoC數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Zynq UltraScale+ MPSoC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 12-30 14:37
?3次下載
如何提高濕法刻蝕的選擇比
提高濕法刻蝕的選擇比,是半導(dǎo)體制造過程中優(yōu)化工藝、提升產(chǎn)品性能的關(guān)鍵步驟。選擇比指的是在刻蝕過程中
SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)
, GAAFET)作為一種有望替代FinFET的下一代晶體管架構(gòu),因其能夠在更小尺寸下提供更好的靜電控制和更高的性能而備受關(guān)注。在制造n型GAAFET的過程中,一個關(guān)鍵步驟是在內(nèi)隔層沉積之前對Si-SiGe堆疊納米片進(jìn)行高選擇性

AMD/Xilinx Zynq? UltraScale+ ? MPSoC ZCU102 評估套件
AMD/Xilinx Zynq? UltraScale+ ? MPSoC ZCU102 評估套件可快速啟動汽車、工業(yè)、視頻和通信應(yīng)用設(shè)計。AMD/Xilinx MPSoC ZCU102 評估套件采用

如何提高產(chǎn)品的EMC性能
提高產(chǎn)品的EMC(電磁兼容性)性能是一個綜合性的任務(wù),涉及產(chǎn)品設(shè)計、制造、測試和使用等多個方面。以下是一些關(guān)鍵措施和方法,可以幫助提升產(chǎn)品的EMC性
評論