chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機獲臺積電驗證

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2018-12-18 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在臺積電宣布明年將進行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計2020年量產(chǎn)的同時,國產(chǎn)設(shè)備亦傳來好消息。日前上觀新聞報道,中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。

據(jù)了解,在晶圓制造眾多環(huán)節(jié)中,薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個核心環(huán)節(jié),三種設(shè)備合計可占晶圓制造生產(chǎn)線設(shè)備投資總額的50%~70%,其中刻蝕技術(shù)高低直接決定了芯片制程的大小,并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑(約為0.1毫米)的二萬分之一,方寸間近乎極限的操作對刻蝕機的控制精度提出超高要求。

雖然我國集成電路產(chǎn)業(yè)在設(shè)備領(lǐng)域整體落后,但刻蝕機方面已在國際取得一席之地,中微半導(dǎo)體成績尤為突出。

中微半導(dǎo)體是中國大陸首屈一指的集成電路設(shè)備廠商,2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥?zhǔn)肆x博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專家創(chuàng)辦,主要深耕集成刻蝕機領(lǐng)域,研制出中國大陸第一臺電介質(zhì)刻蝕機。

目前,中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等均已成功進入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)體系。截至2017年底,已有620多個中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)臺運行在海內(nèi)外39條先進生產(chǎn)線上。

在目前全球可量產(chǎn)的最先進晶圓制造7納米生產(chǎn)線上,中微半導(dǎo)體是被驗證合格、實現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一,與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機。

作為臺積電長期穩(wěn)定的設(shè)備供應(yīng)商,據(jù)悉中微半導(dǎo)體在臺積電量產(chǎn)28納米制程時兩者就已開始合作并一直延續(xù)至如今,這次5納米生產(chǎn)線將再次采用中微半導(dǎo)體的刻蝕設(shè)備,足見臺積電對中微半導(dǎo)體技術(shù)的認(rèn)可,可謂突破了“卡脖子”技術(shù),讓國產(chǎn)刻蝕機躋身國際第一梯隊。

中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強博士向媒體表示,刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品,但近年來已在出口管制名單上消失,這說明如果中國突破了“卡脖子”技術(shù),出口限制就會不復(fù)存在。

目前看來,臺積電將于明年率先進入5納米制程,中微半導(dǎo)體5納米刻蝕機現(xiàn)已通過驗證,預(yù)計可獲得比7納米生產(chǎn)線更大的市場份額。數(shù)據(jù)顯示,第三季度中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額首次超越韓國,預(yù)計明年將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場,中微半導(dǎo)體也有望迎來更大的發(fā)展。

但整體而言,大陸刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率仍非常低,存在巨大的成長空間,對于設(shè)備廠商來說,“革命尚未成功,同志仍需努力”。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5452

    文章

    12572

    瀏覽量

    374586
  • 臺積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5803

    瀏覽量

    176360
  • 中微半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    141

    瀏覽量

    18558
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    射頻功率放大器在等離子體激勵及發(fā)射光譜診斷系統(tǒng)的應(yīng)用

    實驗名稱:射頻放電等離子體激勵及發(fā)射光譜診斷系統(tǒng) 研究方向:探索射頻放電等離子體激勵對超聲速流動激波/邊界層干擾(SWBLI)非定常性的主動控制效果及其作用機理。研究聚焦于等離子體
    的頭像 發(fā)表于 01-27 10:24 ?131次閱讀
    射頻功率放大器在<b class='flag-5'>等離子體</b>激勵及發(fā)射光譜診斷系統(tǒng)<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    達瑞和定制內(nèi)推式高光譜相機助力等離子體運動軌跡監(jiān)測

    等離子體作為物質(zhì)的第四態(tài),在核聚變、材料加工、半導(dǎo)體制造等前沿科技與工業(yè)領(lǐng)域中扮演著關(guān)鍵角色。如何精準(zhǔn)、實時地監(jiān)測其運動軌跡與物理狀態(tài),一直是科研與工程應(yīng)用的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)監(jiān)測方法往往在精度、實時
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:34 ?665次閱讀

    臺階儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化

    摩擦納米發(fā)電機作為一種環(huán)境機械能收集技術(shù),在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷,已成為提升摩擦輸出的重要手段。目前,激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物
    的頭像 發(fā)表于 01-05 18:05 ?353次閱讀
    臺階儀在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的應(yīng)用|精確測量<b class='flag-5'>刻蝕</b>深度和表面圖案化

    使用簡儀科技產(chǎn)品的等離子體診斷高速采集系統(tǒng)解決方案

    在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天,托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運行與技術(shù)突破,離不開對等離子體狀態(tài)的精準(zhǔn)把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段,通過探針法、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù),獲取電子密度
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:29 ?732次閱讀
    使用簡儀科技產(chǎn)品的<b class='flag-5'>等離子體</b>診斷高速采集系統(tǒng)解決方案

    公司重磅發(fā)布六大半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品 覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵

    )宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵工藝,不僅充分彰顯了公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實力,更進一步鞏固了其在
    的頭像 發(fā)表于 09-04 14:23 ?4.9w次閱讀
    <b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>微</b>公司重磅發(fā)布六大<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>設(shè)備新產(chǎn)品 覆蓋<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵

    高端芯片制造裝備的“中國方案”:等離子體相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    等離子體“尺度網(wǎng)絡(luò)”模型。該研究利用國產(chǎn)逐光IsCMOS相機(TRC411-H20-U)的超高時空分辨率,成功捕捉納米秒級等離子體動態(tài),為半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備(
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:58 ?743次閱讀
    高端芯片制造裝備的“中國方案”:<b class='flag-5'>等離子體</b>相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新,2納米制程備受關(guān)注

    在全球半導(dǎo)體行業(yè),先進制程技術(shù)的競爭愈演愈烈。目前,只有、三星和英特爾三家公司能夠進入3納米
    的頭像 發(fā)表于 07-21 10:02 ?1074次閱讀
    <b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>引領(lǐng)全球<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制程創(chuàng)新,2<b class='flag-5'>納米</b>制程備受關(guān)注

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:34 ?1358次閱讀
    遠程<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>技術(shù)介紹

    公司首臺金屬刻蝕設(shè)備付運

    集成電路研發(fā)設(shè)計及制造服務(wù)商。此項里程碑既標(biāo)志著公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新,也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實力。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:05 ?1070次閱讀

    安泰高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置研究的應(yīng)用

    :ATA-67100高壓放大器在介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵器的應(yīng)用 一、高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置的作用 (一)驅(qū)動和維持等離子體放電
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:59 ?605次閱讀
    安泰高壓放大器在<b class='flag-5'>等離子體</b>發(fā)生裝置研究<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    上海光機所在多等離子體通道實現(xiàn)可控Betatron輻射

    隊利用兩束相對論強度飛秒激光在近臨界密度等離子體的干涉效應(yīng),成功誘導(dǎo)出多等離子體通道,顯著提升了Betatron輻射的轉(zhuǎn)換效率。相關(guān)成果以“Controlled Betatron radiation
    的頭像 發(fā)表于 06-12 07:45 ?496次閱讀
    上海光機所在多<b class='flag-5'>等離子體</b>通道<b class='flag-5'>中</b>實現(xiàn)可控Betatron輻射

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?3828次閱讀
    一文詳解干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>工藝

    半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?4844次閱讀

    公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona

    Halona正式發(fā)布。公司此款刻蝕設(shè)備的問世,實現(xiàn)了在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破創(chuàng)新,標(biāo)志著公司向關(guān)鍵工藝全面覆蓋的目標(biāo)再進一步,也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:21 ?1362次閱讀

    通快霍廷格電子攜前沿等離子體電源解決方案亮相SEMICON China 2025

    通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗,通快霍廷格電子將持續(xù)通過創(chuàng)新等離子體電源解決方案,
    發(fā)表于 03-24 09:12 ?625次閱讀
    通快霍廷格電子攜前沿<b class='flag-5'>等離子體</b>電源解決方案亮相SEMICON China 2025