chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機獲臺積電驗證

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2018-12-18 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在臺積電宣布明年將進行5納米制程試產(chǎn)、預計2020年量產(chǎn)的同時,國產(chǎn)設備亦傳來好消息。日前上觀新聞報道,中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。

據(jù)了解,在晶圓制造眾多環(huán)節(jié)中,薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個核心環(huán)節(jié),三種設備合計可占晶圓制造生產(chǎn)線設備投資總額的50%~70%,其中刻蝕技術(shù)高低直接決定了芯片制程的大小,并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當于頭發(fā)絲直徑(約為0.1毫米)的二萬分之一,方寸間近乎極限的操作對刻蝕機的控制精度提出超高要求。

雖然我國集成電路產(chǎn)業(yè)在設備領域整體落后,但刻蝕機方面已在國際取得一席之地,中微半導體成績尤為突出。

中微半導體是中國大陸首屈一指的集成電路設備廠商,2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士等40多位半導體設備專家創(chuàng)辦,主要深耕集成刻蝕機領域,研制出中國大陸第一臺電介質(zhì)刻蝕機。

目前,中微半導體的介質(zhì)刻蝕設備、硅通孔刻蝕設備、MOCVD設備等均已成功進入海內(nèi)外重要客戶供應體系。截至2017年底,已有620多個中微半導體生產(chǎn)的刻蝕反應臺運行在海內(nèi)外39條先進生產(chǎn)線上。

在目前全球可量產(chǎn)的最先進晶圓制造7納米生產(chǎn)線上,中微半導體是被驗證合格、實現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設備供應商之一,與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)為7納米芯片生產(chǎn)線供應刻蝕機。

作為臺積電長期穩(wěn)定的設備供應商,據(jù)悉中微半導體在臺積電量產(chǎn)28納米制程時兩者就已開始合作并一直延續(xù)至如今,這次5納米生產(chǎn)線將再次采用中微半導體的刻蝕設備,足見臺積電對中微半導體技術(shù)的認可,可謂突破了“卡脖子”技術(shù),讓國產(chǎn)刻蝕機躋身國際第一梯隊。

中微半導體首席專家、副總裁倪圖強博士向媒體表示,刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品,但近年來已在出口管制名單上消失,這說明如果中國突破了“卡脖子”技術(shù),出口限制就會不復存在。

目前看來,臺積電將于明年率先進入5納米制程,中微半導體5納米刻蝕機現(xiàn)已通過驗證,預計可獲得比7納米生產(chǎn)線更大的市場份額。數(shù)據(jù)顯示,第三季度中國大陸半導體設備銷售額首次超越韓國,預計明年將成為全球最大半導體設備市場,中微半導體也有望迎來更大的發(fā)展。

但整體而言,大陸刻蝕設備國產(chǎn)化率仍非常低,存在巨大的成長空間,對于設備廠商來說,“革命尚未成功,同志仍需努力”。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5450

    文章

    12530

    瀏覽量

    373573
  • 臺積電
    +關注

    關注

    44

    文章

    5799

    瀏覽量

    175472
  • 中微半導體
    +關注

    關注

    1

    文章

    141

    瀏覽量

    18513
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    臺階儀在半導體的應用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化

    摩擦納米發(fā)電機作為一種環(huán)境機械能收集技術(shù),在材料選擇、結(jié)構(gòu)設計及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷,已成為提升摩擦輸出的重要手段。目前,激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物
    的頭像 發(fā)表于 01-05 18:05 ?281次閱讀
    臺階儀在<b class='flag-5'>半導體</b>的應用|精確測量<b class='flag-5'>刻蝕</b>深度和表面圖案化

    使用簡儀科技產(chǎn)品的等離子體診斷高速采集系統(tǒng)解決方案

    在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天,托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運行與技術(shù)突破,離不開對等離子體狀態(tài)的精準把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段,通過探針法、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù),獲取電子密度
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:29 ?602次閱讀
    使用簡儀科技產(chǎn)品的<b class='flag-5'>等離子體</b>診斷高速采集系統(tǒng)解決方案

    公司重磅發(fā)布六大半導體設備新產(chǎn)品 覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關鍵

    )宣布重磅推出六款半導體設備新產(chǎn)品。這些設備覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關鍵工藝,不僅充分彰顯了公司在技術(shù)領域的硬核實力,更進一步鞏固了其在
    的頭像 發(fā)表于 09-04 14:23 ?4.8w次閱讀
    <b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>微</b>公司重磅發(fā)布六大<b class='flag-5'>半導體</b>設備新產(chǎn)品 覆蓋<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關鍵

    高端芯片制造裝備的“中國方案”:等離子體相似定律與尺度網(wǎng)絡突破

    等離子體“尺度網(wǎng)絡”模型。該研究利用國產(chǎn)逐光IsCMOS相機(TRC411-H20-U)的超高時空分辨率,成功捕捉納米秒級等離子體動態(tài),為半導體核心工藝設備(
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:58 ?619次閱讀
    高端芯片制造裝備的“中國方案”:<b class='flag-5'>等離子體</b>相似定律與尺度網(wǎng)絡突破

    引領全球半導體制程創(chuàng)新,2納米制程備受關注

    在全球半導體行業(yè),先進制程技術(shù)的競爭愈演愈烈。目前,只有、三星和英特爾三家公司能夠進入3納米
    的頭像 發(fā)表于 07-21 10:02 ?820次閱讀
    <b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>引領全球<b class='flag-5'>半導體</b>制程創(chuàng)新,2<b class='flag-5'>納米</b>制程備受關注

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

    遠程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:34 ?1181次閱讀
    遠程<b class='flag-5'>等離子體刻蝕</b>技術(shù)介紹

    公司首臺金屬刻蝕設備付運

    集成電路研發(fā)設計及制造服務商。此項里程碑既標志著公司在等離子體刻蝕領域的又一自主創(chuàng)新,也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實力。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:05 ?917次閱讀

    安泰高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置研究的應用

    :ATA-67100高壓放大器在介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵器的應用 一、高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置的作用 (一)驅(qū)動和維持等離子體放電
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:59 ?528次閱讀
    安泰高壓放大器在<b class='flag-5'>等離子體</b>發(fā)生裝置研究<b class='flag-5'>中</b>的應用

    上海光機所在多等離子體通道實現(xiàn)可控Betatron輻射

    隊利用兩束相對論強度飛秒激光在近臨界密度等離子體的干涉效應,成功誘導出多等離子體通道,顯著提升了Betatron輻射的轉(zhuǎn)換效率。相關成果以“Controlled Betatron radiation
    的頭像 發(fā)表于 06-12 07:45 ?415次閱讀
    上海光機所在多<b class='flag-5'>等離子體</b>通道<b class='flag-5'>中</b>實現(xiàn)可控Betatron輻射

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術(shù)作為半導體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?3388次閱讀
    一文詳解干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>工藝

    半導體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)是半導體制造的一種關鍵干法刻蝕工藝,廣泛應用于先進
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?4188次閱讀

    公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設備Primo Halona

    Halona正式發(fā)布。公司此款刻蝕設備的問世,實現(xiàn)了在等離子體刻蝕技術(shù)領域的又一次突破創(chuàng)新,標志著公司向關鍵工藝全面覆蓋的目標再進一步,也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:21 ?1242次閱讀

    公司ICP雙反應刻蝕Primo Twin-Star取得新突破

    近日,半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布通過不斷提升反應
    的頭像 發(fā)表于 03-27 15:46 ?1230次閱讀
    <b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>微</b>公司ICP雙反應<b class='flag-5'>臺</b><b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>機</b>Primo Twin-Star取得新突破

    通快霍廷格電子攜前沿等離子體電源解決方案亮相SEMICON China 2025

    通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕離子注入等關鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗,通快霍廷格電子將持續(xù)通過創(chuàng)新等離子體電源解決方案,
    發(fā)表于 03-24 09:12 ?571次閱讀
    通快霍廷格電子攜前沿<b class='flag-5'>等離子體</b>電源解決方案亮相SEMICON China 2025

    等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

    隨著集成電路特征尺寸的縮小,工藝窗口變小,可靠性成為更難兼顧的因素,設計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應力遷移等問題的影響,從而影響集成
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:58 ?1626次閱讀
    <b class='flag-5'>等離子體</b>蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響