SK海力士在京畿道利川投資15萬億韓元（約916億人民幣），建設(shè)新的半導(dǎo)體生產(chǎn)線M16。

19日，SK海力士在利川工廠舉行了M16奠基儀式。

在本次活動中，SK集團會長崔泰源，SK集團首席副會長崔再源，SK Supex追求協(xié)議會議長Jo Daesik，全球成長委員長Park Jeungho, SK集團ICT委員長Park Seungwook, SK海力士代表理事Lee Seokhee等首腦部門領(lǐng)導(dǎo)都出席了活動。顯示出在最近半導(dǎo)體市場的高點爭議和市況悲觀論擴散的情況下，SK計劃通過進攻性投資取得正面突破的意圖。

SK集團崔泰源稱：“SK海力士已經(jīng)寫出了一部克服艱難時期，在挫折中也堅持希望并取得成功的成長故事”，并稱“M16不僅要依靠尖端的硬件技術(shù)，也傾注我們的汗水和努力，去創(chuàng)造新的成長神話?！痹俅伪砻髁藢Π雽?dǎo)體事業(yè)投資和培育的強烈的決心。

M16是引領(lǐng)SK海力士未來的最尖端的半導(dǎo)體工廠。具備為了新一代微細(xì)工程的極紫外光刻（EUV）設(shè)備等，并將生產(chǎn)10幾納米的DRAM等尖端產(chǎn)品。并計劃于2020年下半年稼動。

M16工廠的建設(shè)是崔會長在2015年M14產(chǎn)線竣工儀式上提出的共計46萬億韓元規(guī)模的“未來愿景投資計劃”中的一環(huán)?？偼顿Y規(guī)模包含設(shè)備采購金額，約15萬億韓元。

M16完工后，繼目前利川的M10（DRAM）·M14（DRAM·Nand Flash）和忠清北道清州的M11·M12·M15（Nand Flash），中國無錫C2（DRAM）等之后，記憶芯片產(chǎn)品產(chǎn)能將大幅擴大。

SK海力士在繼10月初完成忠清北道清州的Nand Flash專用產(chǎn)線M15竣工后，便積極進行對C2產(chǎn)線的擴張施工等設(shè)備投資。

與此同時，計劃通過中國無錫合資法人在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)芯片代工廠，正式構(gòu)建DRAM、Nand Flash和代工廠等“半導(dǎo)體三角成長軸”。

尤其是SK海力士正在與韓國政府共同促進大規(guī)?！鞍雽?dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)”構(gòu)建方案。計劃不僅有半導(dǎo)體生產(chǎn)線，零部件、材料、設(shè)備企業(yè)也將入住園區(qū)，發(fā)揮協(xié)同作用。韓國政府最近正從恢復(fù)經(jīng)濟活力層面向SK發(fā)出邀請，SK海力士也在進行詳細(xì)研究。

SK海力士社長Lee Seokhee稱“若說10幾年沒有建新工廠的SK海力士，在M14和M15建設(shè)上實現(xiàn)了許久以來的愿望，那么M16工廠則是SK海力士實現(xiàn)另一個跳躍的起跑線”，并稱“將通過與全球最先進尖端的基礎(chǔ)設(shè)施相匹配的創(chuàng)新與技術(shù)創(chuàng)造新的未來。”