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我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建立相對完整 積極追蹤新材料技術(shù)步伐

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:中國電子報 ? 2018-12-24 13:57 ? 次閱讀
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集成電路是培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、發(fā)展信息經(jīng)濟的重要支撐,在信息技術(shù)領(lǐng)域的核心地位十分突出。改革開放后,我國加快集成電路產(chǎn)業(yè)建設(shè),先后啟動908工程、909工程等重大項目,集成電路業(yè)實現(xiàn)高速發(fā)展。特別是黨的十八大以來,我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力得到快速提升。中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額從2013年的2508.5億元,增長到2017年的5411.3億元,5年間增長了一倍。2018年1—9月中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為4461.5億元,同比增長22.4%。

IC設(shè)計龍頭帶動作用日趨明顯

IC設(shè)計是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭,設(shè)計企業(yè)的發(fā)展直接影響著制造和封裝等產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多環(huán)節(jié)。近幾年來,我國IC設(shè)計業(yè)發(fā)展非常迅速。中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會的數(shù)據(jù)顯示,至2018年年底,全國共有1698家設(shè)計企業(yè),比去年的1380家多了318家,數(shù)量增長了23%。這是2016年設(shè)計企業(yè)數(shù)量大增600多家后,再次出現(xiàn)企業(yè)數(shù)量大增的情況。

從統(tǒng)計數(shù)量上看,除了北京、上海、深圳等傳統(tǒng)設(shè)計企業(yè)聚集地外,無錫、成都、蘇州、合肥等城市的設(shè)計企業(yè)數(shù)量都超過100家,西安、南京、廈門等城市的設(shè)計企業(yè)數(shù)量接近100家,天津、杭州、武漢、長沙等地的設(shè)計企業(yè)數(shù)量也有較大幅度的增加。

IC設(shè)計企業(yè)數(shù)量增長的同時,規(guī)模以上企業(yè)也在增加。據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會理事長魏少軍介紹,2018年預計有208家IC設(shè)計企業(yè)的銷售額超過1億元,比2017年的191家增加17家,增長8.9%。同時,這208家銷售過億元的企業(yè)銷售總和達到2057.64億元,比上年的1771.49億元增加了286.15億元,占全行業(yè)銷售總和的比例為79.85%。

銷售額是衡量一個行業(yè)發(fā)展狀況的重要指標,我國IC設(shè)計業(yè)增速近年來一直保持兩位數(shù)水平,且遠高于國際平均水平,2018年同樣保持這一態(tài)勢,銷售規(guī)模預計為2576.96億元,比2017年的1945.98億元增長32.42%,增速比上年的28.15%提高4.27個百分點。按照美元與人民幣1∶6.8的兌換率,全年銷售額達到378.96億美元,在全球集成電路設(shè)計業(yè)的占比將再次提高。

從產(chǎn)品類型上看,我國企業(yè)在通信芯片上的實力已逐步進入國際一線陣營。紫光展銳已開發(fā)出5G原型pilot-v2平臺,將在2019年推出5G芯片,實現(xiàn)5G芯片的商用。2018年從事通信芯片設(shè)計的企業(yè)從2017年的266家增加到307家,對應(yīng)的銷售總額提升了16.34%,達到1046.75億元。

此外,計算機芯片與消費類芯片也有較強增長。從事計算機芯片設(shè)計的企業(yè)數(shù)量從去年的85家增加到109家,銷售大幅提升了180.18%,達到359.41億元。消費類電子的企業(yè)數(shù)量從上年的610家增加到783家,銷售增長36.46%,達617.24億元,繼續(xù)保持了2017年的快速增長勢頭。

建立了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈

設(shè)計的發(fā)展離不開晶圓制造、封測、裝備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈支撐,以往我國晶圓制造業(yè)技術(shù)距離國際先進水平約有二代左右的差距,裝備、材料上的差距更大,但是經(jīng)過這些年的追趕,已經(jīng)有了較大幅度的提高。

目前中國集成電路已形成了適合自身的技術(shù)體系,建立了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)業(yè)生態(tài)和競爭力得到完善和提升,形成了長三角、珠三角、津京環(huán)渤海以及中西部地區(qū)多極發(fā)展的格局。目前,已建成12英寸生產(chǎn)線10條,并有多條12英寸生產(chǎn)線處于建設(shè)當中,其中既包括中芯國際、華虹集團、武漢新芯等本土資本為主導的企業(yè),也包括英特爾、三星、格芯、臺積電外資或臺資投資(獨資或參股)的企業(yè)。

在制造工藝方面,65納米、40納米、28納米工藝已經(jīng)量產(chǎn),14納米技術(shù)研發(fā)取得突破,特色工藝競爭力提高。存儲器是通用芯片之一,應(yīng)用十分廣泛。我國在3D NAND技術(shù)研發(fā)上取得重大進展和創(chuàng)新,以自主知識產(chǎn)權(quán)為基礎(chǔ)開展研發(fā),提出新架構(gòu)Xtacking。這也是中國企業(yè)首次在集成電路領(lǐng)域提出重要的新架構(gòu)和技術(shù)路徑。

封裝業(yè)一直是國內(nèi)實力較強的領(lǐng)域,近年來積極推進先進封裝的發(fā)展,從中低端進入高端領(lǐng)域,競爭力大幅提升。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會封裝分會統(tǒng)計數(shù)據(jù),2017年國內(nèi)集成電路封測業(yè)銷售收入由2016年的1523.2億元增加至1816.6億元,同比增長19.3%,國內(nèi)IC封測業(yè)規(guī)模企業(yè)為96家,從業(yè)人數(shù)達15.6萬。長電科技實現(xiàn)了高集成度和高精度SiP模組的大規(guī)模量產(chǎn),通富微電率先實現(xiàn)7nm FC產(chǎn)品量產(chǎn),華天科技開發(fā)了0.25mm超薄指紋封裝工藝,實現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4G PA的量產(chǎn)。

關(guān)鍵裝備和材料則實現(xiàn)了從無到有的轉(zhuǎn)變,整體水平達到28納米,部分產(chǎn)品進入14納米~7納米,被國內(nèi)外生產(chǎn)線采用。近日,中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機在通過臺積電驗證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。中微半導體打入臺積電供應(yīng)鏈,證明國產(chǎn)半導體設(shè)備力量正在逐漸壯大。

在此之前,臺積電7納米芯片生產(chǎn)線也用上中微的刻蝕機。目前,國內(nèi)關(guān)鍵裝備品種覆蓋率達到31.1%,先進封裝裝備品種覆蓋率80%。

在材料方面,200mm硅片產(chǎn)品品質(zhì)顯著提升,高品質(zhì)拋光片、外延片開始進入市場。300mm硅片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)取得突破,90納米~65納米產(chǎn)品通過用戶評估,開始批量銷售。測射耙材及超高純金屬材料取得整體性突破,形成相對完整的耙材產(chǎn)品體系。銅和阻擋層拋光液國內(nèi)市場占有率超過50%,并進入國際市場。NF3、WF6等氣體產(chǎn)業(yè)化技術(shù)達到世界領(lǐng)先,國內(nèi)市占率超過70%,并進入國際市場。磷烷、砷烷和安全離子源產(chǎn)品形成自主供應(yīng)能力。

積極追蹤新材料技術(shù)步伐

新材料產(chǎn)業(yè)成為未來高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先導和基石,其中,寬禁帶半導體材料是新材料的代表之一。黨的十八大以來,我國掀起了寬禁帶功率半導體材料和器件的產(chǎn)業(yè)化浪潮。2016年12月,國務(wù)院成立了國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導小組。近年來,在國內(nèi)企業(yè)、科研院所、高等院校等共同的努力下,建成或正在建設(shè)十余條4英寸~6英寸碳化硅芯片工藝線和6英寸~8英寸硅基氮化鎵芯片工藝線,形成了技術(shù)積累,縮小了與國外先進水平的差距。

我國碳化硅外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平緊緊跟隨國際水平,產(chǎn)品已打入國際市場。在產(chǎn)業(yè)化方面,我國20μm及以下的碳化硅外延材料產(chǎn)品水平接近國際先進水平;在碳化硅功率器件上,我國具備了1200V~3300V SiC MOSFET、1200V~4500V SiC JFET等芯片的研發(fā)能力,最大單芯片電流容量25A。目前國內(nèi)有多家企業(yè)建成或正在建設(shè)多條碳化硅芯片工藝線,這些工藝線的投產(chǎn),將會大大提升國內(nèi)碳化硅功率器件的產(chǎn)業(yè)化水平。

硅基氮化鎵材料成本優(yōu)勢顯著,易于獲得大尺寸、導熱性好,而且器件制備可以有效兼容傳統(tǒng)硅集成電路CMOS工藝,是目前工業(yè)界普遍采用的技術(shù)路線。我國在平面型氮化鎵功率器件領(lǐng)域的發(fā)展緊跟國際步伐,晶圓尺寸以6英寸為主,并開發(fā)出了900V及以下電壓等級的硅基氮化鎵器件樣品。

近年來,國內(nèi)也開始了垂直氮化鎵功率器件的研發(fā),開發(fā)了最高阻斷電壓1700V的氮化鎵二極管樣品。我國氮化鎵射頻器件近年來取得迅速發(fā)展,并已形成產(chǎn)業(yè)化公司,器件性能達到國際先進水平。

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