chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開(kāi)始分流

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:cc ? 2019-01-25 10:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。這意味著開(kāi)發(fā)一種存儲(chǔ)器技術(shù)可以一魚(yú)兩吃,適用于嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器。但是從歷史的發(fā)展來(lái)看,這樣的一廂情愿最后很難堅(jiān)持,像eDRAM幾乎很少用過(guò),eFlash最終停留在65nm,很難與邏輯制程一起微縮,而且此時(shí)的嵌入式存儲(chǔ)器工藝與獨(dú)立式存儲(chǔ)器工藝早已大相徑庭了!

MRAM在嵌入式存儲(chǔ)器先馳得點(diǎn),在28/22 nm中成為eFlash的替代,在7/5 nm世代也成為L(zhǎng)3 cache的替代。能當(dāng)成替代,自然在讀寫(xiě)速度、功耗、單元面積等有綜合優(yōu)勢(shì)。

但是早期發(fā)展MRAM技術(shù)的單元面積一般為50f2,雖然MRAM的優(yōu)點(diǎn)之一是可以持續(xù)微縮,但這與之DRAM的6f2、甚至cross point的4f2仍然相去甚遠(yuǎn),要當(dāng)成獨(dú)立存儲(chǔ)器,首先在價(jià)格上就吃了虧,僅可在特殊利基市場(chǎng)攻城掠地。

MRAM的單元面積在嵌入式工藝大概是50f2。單元面積微縮的瓶頸在于底層控制開(kāi)關(guān)的CMOS,而不在上頭的儲(chǔ)存元件MTJ(Magnetic Tunnel Junction)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,TMR(Tunnel Magnetoresistance Ratio;穿隧磁阻比例,MTJ在狀態(tài)1與0時(shí)的磁阻差額對(duì)于狀態(tài)0磁阻值的比例—簡(jiǎn)單的說(shuō),兩個(gè)狀態(tài)有多大的差別)值對(duì)于MTJ直徑微縮不敏感。TMR值不能太小,否則讀取儲(chǔ)存數(shù)據(jù)時(shí)就會(huì)產(chǎn)生失誤。所以MTJ是可以持續(xù)微縮的。

有困難的是底下控制電流的CMOS。CMOS要提供足夠的電流、而這電流在通過(guò)鐵磁層或被反射后形成極化的自旋流,進(jìn)而翻轉(zhuǎn)另一鐵磁層(自由層)的磁矩,這就是STT(Spin Torque Transfer)的機(jī)制。

但是所有的存儲(chǔ)器—甚至包括量子位元—都有穩(wěn)定性和可操控的兩難:穩(wěn)定的不好操控,容易操控的不穩(wěn)定,兩個(gè)極端譬如NAND Flash與DRAM。MRAM要當(dāng)永久存儲(chǔ)器,鐵磁層中的磁矩便要經(jīng)得起熱擾動(dòng),儲(chǔ)存要穩(wěn)固。穩(wěn)固的狀態(tài)就要用較大的力氣來(lái)切換狀態(tài),底下的CMOS就要提供足夠的電流來(lái)切換,因此CMOS的尺寸小不下來(lái)。

要降低CMOS的單元面積,釜底抽薪的方法是用SOT(Spin-Obit Torque)來(lái)翻轉(zhuǎn)磁矩,基本上它是用材料中晶格上原子軌域?qū)﹁F磁層磁矩產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩,因?yàn)榫Ц竦脑颖萐TT中的電子重多了,轉(zhuǎn)矩的力道也大。在相同的電流下,它產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩比STT大至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。這可以解決目前面臨的單元面積、寫(xiě)入速度、功耗等問(wèn)題。

但是也有快速的解決方法,師DRAM之故智。DRAM的CMOS與邏輯制程的CMOS有很大的差異;DRAM的要求是尺寸比較緊致、低漏電流,而邏輯CMOS則要求速度快,所以二者的結(jié)構(gòu)不太相同。在SDRAM、DDR DRAM時(shí)代DRAM就開(kāi)始用recessed gate來(lái)滿足上述要求,而附帶的特性為驅(qū)動(dòng)電流比相同面積平面型CMOS的驅(qū)動(dòng)電流大。用此一制程于MRAM,Hynix與Toshiba于2016 IEDM發(fā)表了4Gb MRAM,其單元面積只有9f2,已經(jīng)非常接近過(guò)去DRAM的6f2了,而且現(xiàn)在MRAM寫(xiě)入速度也開(kāi)始超車(chē)了。

看來(lái)MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開(kāi)始分流,代工廠搞代工廠的、存儲(chǔ)器搞存儲(chǔ)器的,至少在前段工藝是如此。一個(gè)接下來(lái)的問(wèn)題是未來(lái)MRAM有沒(méi)有機(jī)會(huì)替代DRAM?這個(gè)問(wèn)題于今年4月在***地區(qū)舉辦的VLSI-TSA就可見(jiàn)分曉,敬請(qǐng)拭目以待。請(qǐng)看今日之域中 竟是誰(shuí)家之天下?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 嵌入式
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5193

    文章

    20276

    瀏覽量

    331736
  • MRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    247

    瀏覽量

    32877

原文標(biāo)題:【椽經(jīng)閣】嵌入式MRAM和獨(dú)立式MRAM要分流了!

文章出處:【微信號(hào):DIGITIMES,微信公眾號(hào):DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?360次閱讀

    Everspin串口MRAM芯片常見(jiàn)問(wèn)題

    嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:51 ?181次閱讀

    Everspin256Kb串行SPI接口MRAM芯片分享

    電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲(chǔ)解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲(chǔ)器,正在重新定義嵌入式存儲(chǔ)的性能標(biāo)準(zhǔn)。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 11:23 ?290次閱讀

    串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用

    、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件,專為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠性及廣泛的適用性,為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:31 ?328次閱讀

    MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢(shì)介紹

    在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),成為眾多高性能
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:34 ?317次閱讀

    RISC-V嵌入式開(kāi)發(fā)書(shū)里面的存儲(chǔ)模型里面的釋放和獲取

    如下圖是胡振波先生的書(shū)《RISC-V架構(gòu)與嵌入式開(kāi)發(fā)快速入門(mén)》第344頁(yè)附錄D存儲(chǔ)器模型背景介紹中D.3節(jié)的內(nèi)容。請(qǐng)問(wèn)“無(wú)須屏障其之后的操作”和“無(wú)須屏障其之前的操作”是什么意思? “無(wú)須屏障其之后
    發(fā)表于 11-05 07:55

    Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?574次閱讀

    Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片有哪些型號(hào)

    MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:48 ?465次閱讀

    2025嵌入式行業(yè)現(xiàn)狀如何?

    科技)加速生態(tài)布局。優(yōu)勢(shì):開(kāi)源、靈活、可定制,降低開(kāi)發(fā)成本,打破ARM壟斷。 存儲(chǔ)技術(shù)突破:PCM相變存儲(chǔ)器:寫(xiě)入速度比傳統(tǒng)Flash快15倍以上,解決汽車(chē)OTA更新痛點(diǎn)。MRAM磁阻存儲(chǔ)器
    發(fā)表于 08-25 11:34

    MicroBlaze處理嵌入式設(shè)計(jì)用戶指南

    *本指南內(nèi)容涵蓋了在嵌入式設(shè)計(jì)中使用 MicroBlaze 處理、含存儲(chǔ)器 IP 核的設(shè)計(jì)、IP integrator 中的復(fù)位和時(shí)鐘拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。獲取完整版《 MicroBlaze 處理
    的頭像 發(fā)表于 07-28 10:43 ?967次閱讀

    嵌入式開(kāi)發(fā)入門(mén)指南:從零開(kāi)始學(xué)習(xí)嵌入式

    特定功能的計(jì)算機(jī)系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于智能家居、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、車(chē)載系統(tǒng)等領(lǐng)域。 2. 學(xué)習(xí)嵌入式開(kāi)發(fā)的前置知識(shí)熟悉C語(yǔ)言編程掌握基本的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與算法了解數(shù)字電路與微控制原理熟悉Linux操作系統(tǒng)
    發(fā)表于 05-15 09:29

    eUPS0505斷電續(xù)航模塊,為嵌入式系統(tǒng)保駕護(hù)航

    視頻推薦設(shè)備面對(duì)外部供電意外斷電時(shí),容易導(dǎo)致存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失甚至系統(tǒng)損壞,而eUPS0505嵌入式微型斷電續(xù)航模塊應(yīng)用簡(jiǎn)便體積小巧,能夠在斷電后為設(shè)備提供穩(wěn)定的續(xù)航和快速的斷電通知,為嵌入式系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 04-15 11:38 ?576次閱讀
    eUPS0505斷電續(xù)航模塊,為<b class='flag-5'>嵌入式</b>系統(tǒng)保駕護(hù)航

    從eMMC到NAND,嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略

    嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,存儲(chǔ)器作為信息交互的核心載體,其技術(shù)特性直接影響著系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。然而,有些人在面對(duì)Linux、安卓等復(fù)雜操作系統(tǒng)環(huán)境時(shí),理解其存儲(chǔ)機(jī)制尚存局限,為突破這些技術(shù)瓶頸,飛凌
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:06 ?1037次閱讀
    從eMMC到NAND,<b class='flag-5'>嵌入式</b>系統(tǒng)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>的軟件優(yōu)化策略

    嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略

    嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,存儲(chǔ)器作為信息交互的核心載體,其技術(shù)特性直接影響著系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。然而,有些人在面對(duì)Linux、安卓等復(fù)雜操作系統(tǒng)環(huán)境時(shí),理解其存儲(chǔ)機(jī)制尚存局限,為突破這些技術(shù)瓶頸,飛凌
    發(fā)表于 02-28 14:17

    【入門(mén)必看】從菜鳥(niǎo)到大牛,嵌入式系統(tǒng)完整學(xué)習(xí)路線!看這篇就夠了!

    ?嵌入式Linux”的順序幫助您從入門(mén)到進(jìn)階,掌握嵌入式開(kāi)發(fā)的精髓。第一階段單片機(jī)單片機(jī)是嵌入式學(xué)習(xí)的基石,因?yàn)樗闪颂幚?b class='flag-5'>器存儲(chǔ)器和輸入
    的頭像 發(fā)表于 02-20 10:53 ?3736次閱讀
    【入門(mén)必看】從菜鳥(niǎo)到大牛,<b class='flag-5'>嵌入式</b>系統(tǒng)完整學(xué)習(xí)路線!看這篇就夠了!