東芝周二晚些時候表示，它已開始采用其首個UFS 3.0存儲解決方案。該器件面向移動應用，有望提供與PC高端SSD相媲美的性能。

東芝的UFS 3.0存儲陣容將包括128 GB，256 GB和512 GB的內(nèi)存，這些內(nèi)存最初將首先針對今年晚些時候推出的高端智能手機。最初，東芝將對128 GB設備進行采樣，而更高容量的驅(qū)動器將在2019年3月之后提供。所有新產(chǎn)品都基于東芝的96層BiCS4 3D TLC NAND存儲器以及內(nèi)部開發(fā)的UFS 3.0控制器。

制造商沒有透露其UFS 3.0部件的性能，但僅表示其互連層在兩個全雙工通道上支持每通道高達11.6 Gbps（HS-Gear4）的數(shù)據(jù)速率以及QoS功能，以實現(xiàn)通過監(jiān)控和培訓通信渠道進行更可靠的連接，這是規(guī)范的具有強制性速度的特征。UFS 3.0驅(qū)動器的最高性能約為2.9 GB / s，但東芝目前唯一公開的有關(guān)其UFS 3.0產(chǎn)品的信息是其旗艦512 GB設備的順序讀寫速度分別與Toshiba的上一代UFS 2.1產(chǎn)品相比大約高出70％和80％。至于電壓，它們是UFS 3.0標準的典型值：VCC為1.2 V，VCCQ2為1.8 V，VCC為2.5 V / 3.3 V.

UFS 3.0除了提高理論傳輸速率，而且溫度從-25℃至85℃擴展為- 40℃至105℃，并針對高溫下電子流失，增加了數(shù)據(jù)刷新操作，通過重寫數(shù)據(jù)延長高溫下數(shù)據(jù)保存時間，還增加了溫度提醒、報警功能，以符合汽車、監(jiān)控、工業(yè)等領(lǐng)域?qū)挏氐囊蟆?/p>

新的UFS產(chǎn)品符合JEDEC UFS V3.0標準，單通道理論帶寬提升到11.6Gbps，傳輸速度是UFS 2.1的2倍，雙通道最高達23.2Gbps，用于滿足高端智能型手機，5G手機對更高傳輸速度的要求。

除了東芝是第一家開始對UFS 3.0存儲進行采樣的NAND制造商之外，該公司預計今年市場上將出現(xiàn)第一款將使用該驅(qū)動器的商用智能手機（因此可享受超快速存儲解決方案的優(yōu)勢）。最終，UFS 3.0產(chǎn)品將用于其他性能要求苛刻的應用，例如AR / VR耳機。