存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

這是HPE旗下3PAR存儲(chǔ)部門副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone的預(yù)測(cè)。不過(guò)他補(bǔ)充道，這需要借以一段時(shí)日。

他說(shuō)：“這不會(huì)在一夜之間發(fā)生。SCM變得經(jīng)濟(jì)上可行只是時(shí)間問(wèn)題，但最終會(huì)取而代之。大概10年后吧。”

就每字節(jié)成本而言，SCM比閃存貴四倍左右。目前只有兩家供應(yīng)商生產(chǎn)SCM：英特爾和三星。英特爾以O(shè)ptane品牌來(lái)銷售，面向企業(yè)客戶，英特爾的Optane HPE將其用于其存儲(chǔ)陣列。

三星的產(chǎn)品名為Z-SSD，現(xiàn)在專注于消費(fèi)者，計(jì)劃今年晚些時(shí)候向OEM廠商提供樣品。據(jù)說(shuō)東芝和西部數(shù)據(jù)也在開(kāi)發(fā)各自的SCM產(chǎn)品。

除了取代NAND閃存外，Iannaccone還認(rèn)為SCM使用的NVMe協(xié)議將取代目前存儲(chǔ)陣列中使用的SCSI/SAS接口。他說(shuō)：“實(shí)際上，NVMe是一種與內(nèi)存進(jìn)行聯(lián)系的極為精簡(jiǎn)的方式。存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存工作起來(lái)更像延遲更低的內(nèi)存。”

由于閃存的固有設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存的延遲要低得多。閃存存在性能問(wèn)題和延遲的最主要原因之一是，為了滿足新寫(xiě)入而使用的垃圾收集。數(shù)據(jù)寫(xiě)入到閃存驅(qū)動(dòng)器時(shí)，它無(wú)法覆蓋舊信息。它必須將一個(gè)新的數(shù)據(jù)塊寫(xiě)入到別處，以后等磁盤I/O處于呆滯時(shí)刪除舊文件。

這就是閃存這種存儲(chǔ)介質(zhì)的行為方式，由于你總是在之前的寫(xiě)入后進(jìn)行清理，這導(dǎo)致了不穩(wěn)定問(wèn)題。

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于能夠覆蓋文件，寫(xiě)入數(shù)據(jù)所花的時(shí)間要短得多，SCM是9ms，而NAND是90ms至100ms。此外，也不存在存儲(chǔ)介質(zhì)的不可預(yù)測(cè)性，因?yàn)闆](méi)有后臺(tái)進(jìn)程在運(yùn)行以優(yōu)化介質(zhì)。

英特爾出售的Optane有幾種格式參數(shù)。3PAR將其作為存儲(chǔ)陣列的PCI Express附加卡，而不是用在服務(wù)器中。它們充當(dāng)存儲(chǔ)陣列SSD和服務(wù)器內(nèi)存之間的高速緩存。增加大約3TB的SCM后，3PAR在Oracle基準(zhǔn)測(cè)試中實(shí)現(xiàn)性能提升了30%，對(duì)陣列來(lái)說(shuō)價(jià)格提升了5%。

最終，Iannaccone認(rèn)為SCM能夠從物理位置分解出來(lái)，充當(dāng)多個(gè)存儲(chǔ)陣列和與帶有SCM內(nèi)存的陣列通訊的所有其他陣列的緩存。

他說(shuō)：“SCM仍然相當(dāng)昂貴，這就是為什么我們將它用作一層高速緩存和建立緩存的智能算法?！?/p>

隨著SCM的成本下降，成為一種更切實(shí)可行的閃存替代品，使用場(chǎng)合會(huì)更多樣化。對(duì)于大容量存儲(chǔ)而言，每GB字節(jié)成本很劃算，但它又擁有高性能，可以針對(duì)I/O優(yōu)化成本。