chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MEMS典型的失效機(jī)理

MEMS技術(shù) ? 來(lái)源:lq ? 2019-02-14 14:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS:Micro-Electro-mechanical System)是基于微電子技術(shù)和超精密機(jī)械加工技術(shù)而發(fā)展起來(lái)的,將傳感器、執(zhí)行器、機(jī)械機(jī)構(gòu)、信息處理和控制電路等集成于一體的集成微型器件或系統(tǒng),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。與傳統(tǒng)的器件相比,其具有可大批量生產(chǎn)、成本低、功耗少和集成化程度高等顯著的特點(diǎn)。常用的MEMS器件包括加速度、壓力、化學(xué)、流體傳感器,以及微鏡、陀螺儀等,廣泛地應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信、航空、汽車(chē)、生物醫(yī)療、家電和環(huán)境等領(lǐng)域。然而,隨著應(yīng)用領(lǐng)域的日益廣泛,MEMS器件需在各種惡劣的環(huán)境下完成傳感、執(zhí)行等功能,因此其可靠性問(wèn)題變得越來(lái)越突出,已經(jīng)成為了制約MEMS產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的重要因素。

MEMS典型的失效機(jī)理

通用的MEMS器件中的部件主要有結(jié)構(gòu)梁、結(jié)構(gòu)薄膜、平層、鉸鏈、空腔和齒輪裝置等。雖然MEMS器件的應(yīng)用非常廣泛,但在特定的環(huán)境條件下,其部件經(jīng)常會(huì)經(jīng)歷相同的退化或失效模式。本文詳細(xì)地討論了MEMS器件中常見(jiàn)的失效模式及其失效機(jī)理,主要包括粘附、磨損、金屬蠕變、脆性斷裂、分層和碎屑污染。

1. 粘附

粘附失效是MEMS中最常見(jiàn)且無(wú)法避免的問(wèn)題之一。MEMS的尺寸微小,其可動(dòng)結(jié)構(gòu)部件由微米級(jí)的薄膜加工而成,比表面積大大地增加。根據(jù)比例定律,當(dāng)表面力占主導(dǎo)作用時(shí),會(huì)使得結(jié)構(gòu)部件表面在接觸時(shí)很容易發(fā)生粘附而導(dǎo)致器件失效(如圖1所示)。MEMS中主要的表面力是毛細(xì)力、分子范德華力和靜電力。

圖1 梳齒驅(qū)動(dòng)器的粘附失效SEM圖

在濕度環(huán)境中,封裝后的MEMS器件若因封裝密封性不好使其懸臂梁暴露在空氣中,水汽會(huì)因毛細(xì)凝聚作用自發(fā)地凝聚在表面微小的空隙或空洞中,形成水彎月面。由于分子范德華力的作用,梁上下表面出現(xiàn)應(yīng)力差,導(dǎo)致懸臂梁發(fā)生彎曲。當(dāng)梁面與其他表面接觸時(shí),水彎月面產(chǎn)生的毛細(xì)力使接觸面相互吸引(如圖2所示),而曲面又使得表面毛細(xì)力增強(qiáng),最終導(dǎo)致界面粘附失效。MEMS結(jié)構(gòu)表面的粗糙度越大,就意味著可凝聚的水汽越多,表面之間發(fā)生粘附的幾率也就越大。因毛細(xì)效應(yīng)引起的粘附問(wèn)題可以通過(guò)一些技術(shù)手段來(lái)避免,包括疏水涂層、超臨界CO2干燥或冷凍干燥技術(shù),也可以使用真空封裝或向封裝中填充惰性氣體的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

靜電力是另一種可能引起粘附的作用力。在靜電驅(qū)動(dòng)或摩擦的作用下,殘余電荷會(huì)集聚在MEMS器件中的絕緣部件或絕緣層上,例如:氧化硅或氮化硅絕緣層和疏水涂層等。相鄰表面的殘余電荷引起靜電力,在發(fā)生接觸時(shí),若電荷之間不能相互抵消,則可能會(huì)發(fā)生短暫的粘附失效。

圖2 水彎月面產(chǎn)生的毛細(xì)力使接觸面相互吸引

2. 磨損

磨損是由于相互接觸的表面相對(duì)運(yùn)動(dòng)而造成的,是機(jī)械裝置失效的主要原因之一。硅MEMS器件的主要磨損機(jī)理是粘著磨損。在粘著磨損中,相互接觸的粗糙表面會(huì)在凸起點(diǎn)粘著在一起,表面的相對(duì)滑行造成凸起點(diǎn)磨損或斷裂,產(chǎn)生碎屑或顆粒。傳統(tǒng)的潤(rùn)滑劑由于粘度過(guò)大,并不適用于微機(jī)械系統(tǒng),只能利用濕度環(huán)境中水汽的毛細(xì)凝聚作用來(lái)提供一定的潤(rùn)滑作用。

一項(xiàng)試驗(yàn)表明:微型電動(dòng)機(jī)在-50%RH的濕度環(huán)境下運(yùn)行,幾乎沒(méi)有磨損現(xiàn)象,而在0.1%RH的干燥環(huán)境下,機(jī)械構(gòu)件的磨損現(xiàn)象嚴(yán)重。此外,在器件的設(shè)計(jì)中盡量地減少部件相對(duì)滑行的接觸面積或提高運(yùn)動(dòng)部件的匹配度,也可以有效地降低磨損。

3. 金屬蠕變

對(duì)于金屬材料而言,其微米級(jí)薄膜結(jié)構(gòu)的力學(xué)特性往往與其宏觀結(jié)構(gòu)的大不相同。與其宏觀結(jié)構(gòu)相比,金屬薄膜極少顯示出疲勞特性,但卻更容易受到蠕變的影響。金屬構(gòu)件在高溫環(huán)境下受應(yīng)力長(zhǎng)期作用會(huì)產(chǎn)生連續(xù)應(yīng)變,并由此引起蠕變,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后,蠕變可能因斷裂而結(jié)束,造成器件斷裂失效。所以,在金屬M(fèi)EMS器件中,蠕變問(wèn)題不能被忽略。

通常情況下,當(dāng)應(yīng)力不大而溫度又低于材料熔點(diǎn)的1/3時(shí),材料不會(huì)發(fā)生明顯的蠕變現(xiàn)象。而當(dāng)溫度達(dá)到材料熔點(diǎn)的1/3~1/2時(shí),材料的蠕變速率會(huì)快速地上升。此時(shí),即使應(yīng)力在屈服極限以下,材料也很容易因蠕變而發(fā)生斷裂。所以,一些低熔點(diǎn)的金屬材料在室溫下也會(huì)發(fā)生蠕變。因此,采用高熔點(diǎn)的材料或采取對(duì)結(jié)構(gòu)部件冷卻或隔熱等方法,可以有效地降低材料的蠕變速率。

4. 脆性斷裂

在較大的循環(huán)應(yīng)力的作用下,雖然微米級(jí)的金屬薄膜不易產(chǎn)生疲勞失效,但脆性材料卻有可能在濕潤(rùn)環(huán)境中產(chǎn)生脆性斷裂,或被稱為應(yīng)力腐蝕斷裂。在MEMS器件中,硅(單晶硅和多晶硅)常被用來(lái)作為結(jié)構(gòu)部件材料,以承受工作環(huán)境中的較大應(yīng)力。硅本身并不會(huì)因?yàn)樗a(chǎn)生應(yīng)力腐蝕,但暴露在空氣中的硅表面易被氧化而形成SiO2薄層,氧化層容易吸附空氣中的水分子,在高電場(chǎng)環(huán)境下,氧化薄層會(huì)與表面的水分子膜發(fā)生水解作用。若此時(shí)薄層上出現(xiàn)了細(xì)小的裂紋,裂紋會(huì)在水解和外界高拉伸應(yīng)力的共同作用下生長(zhǎng)。裂紋的生長(zhǎng)會(huì)加快硅的氧化,促使過(guò)程不斷地進(jìn)行,并最終導(dǎo)致斷裂失效(如圖3所示)。對(duì)于硅材料薄膜,裂紋的起源、生長(zhǎng)和最終過(guò)載失效均發(fā)生在本身的氧化層中。

圖3 硅材料的應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂的失效機(jī)理

5. 分層

MEMS器件中的基底具有多層結(jié)構(gòu),是器件的重要組成部分。由于多層材料的物理性質(zhì)失配或工藝不同等,使得多層結(jié)構(gòu)中有較高的殘余應(yīng)力。同時(shí),外界溫度的變化引起熱應(yīng)力變化,材料的熱膨脹系數(shù)不匹配使得層間界面處產(chǎn)生拉、壓應(yīng)力。高溫和低溫應(yīng)力的循環(huán)反復(fù)作用,使得界面因疲勞而產(chǎn)生裂紋并不斷地?cái)U(kuò)展,最終造成分層失效,或引起封裝氣密失效。同時(shí),作為電連接和機(jī)械連接的焊點(diǎn)也可能會(huì)因熱疲勞而發(fā)生斷裂,導(dǎo)致整個(gè)封裝的失效。

研究表明,裂紋疲勞擴(kuò)展速率隨溫度變化幅值的增大而呈指數(shù)關(guān)系升高。除溫度應(yīng)力外,化學(xué)腐蝕也可能會(huì)使界面之間的裂紋擴(kuò)展并造成分層,原因在于化學(xué)物質(zhì)可以依靠毛細(xì)作用不斷地向裂紋深處滲透。所以,高純度、無(wú)污染的工藝過(guò)程是保持多層結(jié)構(gòu)可靠性的必要條件。

6. 碎屑污染

MEMS制造工藝復(fù)雜并且非標(biāo)準(zhǔn)化,不同類(lèi)型的MEMS器件使用的制造工藝流程完全不同,所以用于IC的標(biāo)準(zhǔn)封裝工藝并不適用于MEMS器件。MEMS器件封裝過(guò)程中一些環(huán)節(jié)如晶圓切片、芯片鍵合等,容易產(chǎn)生碎屑。此外,器件微結(jié)構(gòu)斷裂,層間界面分層也會(huì)產(chǎn)生碎屑或微粒。Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室在對(duì)MEMS進(jìn)行沖擊試驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn),當(dāng)沖擊大于4000 g時(shí),在芯片邊緣等處的碎屑會(huì)發(fā)生明顯的移動(dòng),導(dǎo)致執(zhí)行器短路,并有可能堵塞聯(lián)動(dòng)裝置,阻礙器件機(jī)械部件的運(yùn)動(dòng)。

結(jié)束語(yǔ)

本文介紹了MEMS的典型失效模式和失效機(jī)理,以期對(duì)相關(guān)技術(shù)人員在開(kāi)展失效分析和可靠性設(shè)計(jì)工作時(shí)有所幫助。技術(shù)人員可通過(guò)光學(xué)、掃描電子、聲學(xué)顯微鏡和紅外等分析技術(shù),對(duì)MEMS器件的失效現(xiàn)象進(jìn)行觀測(cè)分析和特性分析,并以此為依據(jù),在材料、結(jié)構(gòu)等方面優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),達(dá)到提高M(jìn)EMS器件的可靠性的目的。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2573

    文章

    53875

    瀏覽量

    780165
  • 驅(qū)動(dòng)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    8937

    瀏覽量

    152294
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4284

    瀏覽量

    196947

原文標(biāo)題:關(guān)于MEMS器件失效機(jī)理的討論

文章出處:【微信號(hào):wwzhifudianhua,微信公眾號(hào):MEMS技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理【上】

    `電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理【上】電容器的常見(jiàn)失效模式有――擊穿短路;致命失效――開(kāi)路;致命失效
    發(fā)表于 11-18 13:16

    電容的失效模式和失效機(jī)理

    、性能和使用環(huán)境各不相同,失效機(jī)理也各不一樣。各種常見(jiàn)失效模式的主要產(chǎn)生機(jī)理歸納如下。3.1失效模式的
    發(fā)表于 12-03 21:29

    SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理

    `請(qǐng)問(wèn)SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理有哪些?`
    發(fā)表于 12-24 14:51

    IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么?

    IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么IGBT失效防護(hù)電路
    發(fā)表于 03-29 07:17

    MOSFET的失效機(jī)理 —總結(jié)—

    MOSFET的失效機(jī)理至此,我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOS
    發(fā)表于 07-26 18:06

    MEMS加速計(jì)的三種高壓滅菌器失效機(jī)理

    本文共討論了MEMS加速計(jì)的三種高壓滅菌器失效機(jī)理。分別說(shuō)明了每一種失效機(jī)理的FA方法(通過(guò)建模和測(cè)量)和設(shè)計(jì)改進(jìn)。排除了封裝應(yīng)力作為高壓滅
    發(fā)表于 01-24 10:39 ?1754次閱讀
    <b class='flag-5'>MEMS</b>加速計(jì)的三種高壓滅菌器<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理

    元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
    發(fā)表于 10-17 13:37 ?20次下載
    元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的<b class='flag-5'>失效</b>模式和<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理

    元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
    發(fā)表于 10-19 08:37 ?32次下載
    元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的<b class='flag-5'>失效</b>模式和<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    MEMS慣性器件典型失效模式及失效機(jī)理研究

    本文通過(guò)大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法,針對(duì)不同環(huán)境應(yīng)力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效
    的頭像 發(fā)表于 05-21 16:23 ?9263次閱讀
    <b class='flag-5'>MEMS</b>慣性器件<b class='flag-5'>典型</b><b class='flag-5'>失效</b>模式及<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>研究

    MEMS慣性器件在典型應(yīng)用環(huán)境下的主要失效模式和失效機(jī)理進(jìn)行分析和總結(jié)

    Yang Chunhua和Liu Qin等人通過(guò)對(duì)MEMS加速度計(jì)的沖擊試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)懸臂梁、梳齒的受力集中點(diǎn)均在根部,即連接點(diǎn)處。當(dāng)沖擊應(yīng)力引起的懸臂梁變形大于材料的屈服強(qiáng)度時(shí),懸臂梁發(fā)生斷裂失效
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:33 ?4587次閱讀
    <b class='flag-5'>MEMS</b>慣性器件在<b class='flag-5'>典型</b>應(yīng)用環(huán)境下的主要<b class='flag-5'>失效</b>模式和<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>進(jìn)行分析和總結(jié)

    電阻器常見(jiàn)的失效模式與失效機(jī)理

    失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機(jī)理:是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。
    發(fā)表于 02-10 09:49 ?18次下載
    電阻器常見(jiàn)的<b class='flag-5'>失效</b>模式與<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    MOSFET的失效機(jī)理:什么是dV/dt失效

    MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
    發(fā)表于 02-13 09:30 ?1865次閱讀
    MOSFET的<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>:什么是dV/dt<b class='flag-5'>失效</b>

    保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理失效現(xiàn)象淺析

    保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理失效現(xiàn)象淺析
    的頭像 發(fā)表于 12-14 17:06 ?1631次閱讀
    保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>和<b class='flag-5'>失效</b>現(xiàn)象淺析

    晶閘管的失效模式與機(jī)理

    電路性能下降甚至系統(tǒng)癱瘓。因此,深入了解晶閘管的失效模式與機(jī)理,對(duì)于提高電路設(shè)計(jì)的可靠性具有重要意義。本文將從晶閘管的基本原理出發(fā),詳細(xì)探討其失效模式與機(jī)理,并結(jié)合相關(guān)數(shù)字和信息進(jìn)行說(shuō)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 15:00 ?2641次閱讀

    詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

    半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:41 ?1303次閱讀
    詳解半導(dǎo)體集成電路的<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>