chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

高通發(fā)布第二代5G基帶芯片

aPRi_mantianIC ? 來(lái)源:cc ? 2019-02-21 14:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

5G手機(jī)的設(shè)計(jì)與4G手機(jī)截然不同,尤其是在天線射頻方面,比起4G手機(jī)要復(fù)雜得多。而為了提供2G到5G的多模支持,必須配備多根天線,這些無(wú)疑會(huì)造成手機(jī)內(nèi)部空間的緊張。早期的5G手機(jī)如果想要保持現(xiàn)在的纖薄設(shè)計(jì),無(wú)疑將會(huì)壓縮電池的空間,造成續(xù)航方面的體驗(yàn)變差。

高通此前所推出的5G射頻前端解決方案,將眾多射頻組件集成在了一個(gè)模塊中,大幅度的降低了占用空間,減少了5G手機(jī)的設(shè)計(jì)難度,大大加速了5G手機(jī)的推出時(shí)間。而為了將5G手機(jī)的設(shè)計(jì)打造到極致,高通再次推出了全新的QTM525毫米波天線模組,其基于高通毫米波天線模組的創(chuàng)新成果而打造,進(jìn)一步的縮小了模組的體積,尤其是在高度方面的降低,對(duì)于5G手機(jī)的纖薄設(shè)計(jì)幫助巨大,據(jù)高通方面的信息顯示,使用QTM525毫米波天線模組的手機(jī),在厚度上可以不超過(guò)8毫米,這與目前手機(jī)的主流纖薄設(shè)計(jì)完全處于同一水準(zhǔn)上。

在頻段的支持上,QTM525毫米波天線模組也有了新支持,其新增了對(duì)于n258(26GHz)頻段的支持,加上原本的n257(28GHz)、n260(39GHz)與n261(美國(guó)28GHz)頻段,QTM525已經(jīng)提供了26GHz/28GBz/39GHz毫米波頻段的全方位支持。

高通方面同時(shí)還發(fā)布了全球首款=5G 100MHz包絡(luò)追蹤解決方案QET6100、集成式5G/4G功率放大器(PA)和分集模組系列,以及QAT3555 5G自適應(yīng)天線調(diào)諧解決方案。它們對(duì)于5G手機(jī)的實(shí)際體驗(yàn)有著非常大的影響。

信號(hào)放大器是手機(jī)的耗電大戶,它需要將手機(jī)的信號(hào)功率放大,以確保與基站之間的通訊連接。如何能夠確保PA的輸出效率,是手機(jī)續(xù)航與信號(hào)穩(wěn)定的關(guān)鍵因素。QET6100支持100MHz 5G包絡(luò)追蹤,能夠?qū)A的效率提升1倍,在相同的能量消耗下能夠放出更多的有效信號(hào),變相的提升了手機(jī)的續(xù)航能力。

QAT3555自適應(yīng)天線調(diào)諧器,將自適應(yīng)天線調(diào)諧技術(shù)擴(kuò)展到6GHz以下的5G頻段;與上一代產(chǎn)品相比,其封裝高度降低了25%,損耗顯著減少。它對(duì)于手機(jī)的信號(hào)表現(xiàn)幫助很大,能夠抵抗環(huán)境因素,尤其是在手持手機(jī)時(shí),能夠充分調(diào)節(jié)天線,確保最合適的接受信號(hào),顯著提升在室內(nèi)環(huán)境下的信號(hào)表現(xiàn)。在使用QAT3555后,由于手機(jī)內(nèi)部天線所占據(jù)的空間減少,電池能夠獲得的空間會(huì)顯著提高,變相的提升了手機(jī)的續(xù)航表現(xiàn)。

高通方面表示,上述產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2019年上半年向客戶出樣,采用它們的手機(jī)終端預(yù)計(jì)也會(huì)在2019年年底推出。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    53866

    瀏覽量

    463157
  • 高通
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    7710

    瀏覽量

    199292
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1367

    文章

    49126

    瀏覽量

    607923

原文標(biāo)題:手機(jī)還沒(méi)來(lái),高通又發(fā)布了第二代5G基帶芯片

文章出處:【微信號(hào):mantianIC,微信公眾號(hào):滿天芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號(hào)

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造,通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:03 ?133次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品,新增75m?型號(hào)

    類比半導(dǎo)體全新第二代邊開關(guān)芯片HD80152和SPI邊HD708204量產(chǎn)

    致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布全新第二代邊開關(guān)芯片HD
    的頭像 發(fā)表于 01-05 17:57 ?736次閱讀
    類比半導(dǎo)體全新<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>高</b>邊開關(guān)<b class='flag-5'>芯片</b>HD80152和SPI<b class='flag-5'>高</b>邊HD708204量產(chǎn)

    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì),同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:05 ?469次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V<b class='flag-5'>第二代</b>器件

    TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測(cè)試與調(diào)試解決方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測(cè)試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規(guī)性測(cè)試。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:04 ?1409次閱讀

    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1288次閱讀
    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    類比半導(dǎo)體推出全新第二代邊開關(guān)芯片HD80012

    致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代邊開關(guān)芯片
    的頭像 發(fā)表于 07-02 15:19 ?1217次閱讀
    類比半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>高</b>邊開關(guān)<b class='flag-5'>芯片</b>HD80012

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1702次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級(jí)開發(fā)平臺(tái)

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1206次閱讀

    類比半導(dǎo)體推出全新第二代邊開關(guān)芯片HD8004

    致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代邊開關(guān)芯片
    的頭像 發(fā)表于 05-21 18:04 ?1231次閱讀
    類比半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>高</b>邊開關(guān)<b class='flag-5'>芯片</b>HD8004

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái),提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1113次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    Framework召開第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì),新品搶先看!

    2025年2月25日,F(xiàn)ramework在美國(guó)舊金山召開了盛大的第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。Framework發(fā)布了有史以來(lái)最大規(guī)模的一系列新品,包括Framework臺(tái)式機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 17:55 ?1390次閱讀
    Framework召開<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品<b class='flag-5'>發(fā)布</b>會(huì),新品搶先看!

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC爬電距離 采用TO-247-4HC爬電距離封裝的第二代
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1216次閱讀

    紫光展銳聯(lián)合美格智能推出第二代5G Sub6G R16模組SRM812

    在2025年世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC 2025)期間,紫光展銳攜手美格智能正式推出了基于紫光展銳V620平臺(tái)的第二代5G Sub6G R16模組SRM812,以超高性價(jià)比方案,全面賦能合作伙伴,加速
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:14 ?1941次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC爬電距離采用TO-247-4HC爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?1006次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>G</b>2分立器件 1200 V TO-247-4HC<b class='flag-5'>高</b>爬電距離

    芯原與新基訊發(fā)布第二代5G RedCap/4G LTE雙模調(diào)制解調(diào)器IP

    2025年1月23日,中國(guó)上海——芯原股份 (芯原,股票代碼:688521.SH) 宣布其與無(wú)線通信技術(shù)和芯片提供商新基訊科技有限公司 (簡(jiǎn)稱“新基訊”) 聯(lián)合推出經(jīng)量產(chǎn)驗(yàn)證的云豹系列第二代5G RedCap/4
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:03 ?1153次閱讀