“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)目前還非常脆弱，預(yù)計(jì)再過(guò)5年才能站穩(wěn)腳跟，屆時(shí)將在全球有一席之地，屆時(shí)三分天下或四分天下能有其一?！弊瞎饧瘓F(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)稱。為了在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一席之地，紫光集團(tuán)頻頻動(dòng)作，持續(xù)加碼存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，近日在南京與成都的項(xiàng)目新基地紛紛動(dòng)工，全部建成月產(chǎn)能各達(dá)30萬(wàn)片，與武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)已形成“三箭齊發(fā)”態(tài)勢(shì)。

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

基于紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)領(lǐng)域的整體戰(zhàn)略布局考量，紫光國(guó)微開始資產(chǎn)調(diào)整。紫光國(guó)微 10 月 11 日晚間公告，擬將從事 DRAM 芯片設(shè)計(jì)的全資子公司西安紫光國(guó)芯 100% 股權(quán)以 2.20 億元轉(zhuǎn)讓給同集團(tuán)、從事存儲(chǔ)模組業(yè)務(wù)的北京紫光存儲(chǔ)，這象征著紫光集團(tuán)旗下資產(chǎn)持續(xù)進(jìn)行整合，試圖集中存儲(chǔ)事業(yè)戰(zhàn)力。

剝離紫光國(guó)芯后的紫光國(guó)微，主要產(chǎn)品將集中在智能安全芯片的研發(fā)領(lǐng)域上。

成立于 2017 年 8 月的北京紫光存儲(chǔ)，角色偏向于存儲(chǔ)模組廠產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)和自有品牌銷售，2018年8月攜旗下8個(gè)系列的存儲(chǔ)產(chǎn)品首次亮相位于美國(guó)的2018年閃存峰會(huì)。未來(lái)加入西安紫光國(guó)芯的 DRAM 設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，可能會(huì)朝 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域著力，讓整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品線的布局更為完整。

而紫光國(guó)微剝離DRAM，也能夠更加專注于安全芯片領(lǐng)域。這樣對(duì)雙方都比較有利，能夠避免未來(lái)可能存在的競(jìng)爭(zhēng)，戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片才起步 萬(wàn)事起頭難

然而，和NAND Flash一樣，國(guó)內(nèi)的DRAM之前也近乎一片空白。據(jù)集邦科技旗下的DRAMeXchange公布的2018年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)的報(bào)告顯示，三星以43.6%的市占率奪得第一；海力士排名第二，市占率達(dá)29.9%；美光則以21.6%的市占率排為第三。

由此可看出，三星、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球95%的DRAM市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴(yán)峻。

日前美光科技CEO Sanjay Mehrotra接受媒體訪問時(shí)直言，想晉身全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高，中國(guó)內(nèi)存芯片制造商日前仍對(duì)美光、 三星及SK海力士等主要廠商不構(gòu)成威脅。他指出，中國(guó)廠商在開發(fā)NAND及DRAM上，仍處在“非常早期”階段。

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。

紫光國(guó)產(chǎn)芯又一步 南京、成都存儲(chǔ)器基地開工

2018年9月30日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目項(xiàng)目開工，總投資300億美元。項(xiàng)目一期投資約105億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片，主要產(chǎn)品為國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的3D NAND FLASH(閃存)、DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)芯片等。預(yù)估項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬(wàn)片。

緊接著，2018年10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地在成都開工。據(jù)官方介紹，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12吋3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。據(jù)悉，項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬(wàn)片。

而此前，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)曾表示，紫光計(jì)劃在10年內(nèi)在芯片制造領(lǐng)域投資超過(guò)1000億美元，目前已籌集1800億元人民幣，其中800億人民幣投資武漢的存儲(chǔ)工廠，并計(jì)劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個(gè)存儲(chǔ)工廠。力爭(zhēng)讓中國(guó)企業(yè)進(jìn)入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊(duì)，到2020年，計(jì)劃把中國(guó)芯片制造自產(chǎn)率從 8%提升到40%。

隨著南京、成都項(xiàng)目的相繼開工，預(yù)示著紫光集團(tuán)在芯片制造產(chǎn)業(yè)十年1000億美元的投資布局計(jì)劃又邁進(jìn)了一步。

至此，加上2016年12月30日在武漢開工的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，紫光3D存儲(chǔ)計(jì)劃三地“三箭齊發(fā)”，其存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)夢(mèng)又進(jìn)了一步。

縱觀紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)領(lǐng)域上的布局，紫光在存儲(chǔ)領(lǐng)域正在研發(fā)128層堆棧256Gb的3D NAND，今年年底可以量產(chǎn)32層堆棧64Gb的3D NAND，明年將會(huì)量產(chǎn)64層堆棧128Gb的3D NAND，同時(shí)導(dǎo)入創(chuàng)新的 Xtacking 技術(shù)。此外，官方表示，DDR4芯片正在研發(fā)中，預(yù)計(jì)2018年底將會(huì)推向市場(chǎng)。